本实用新型专利技术提出了一种石英晶体谐振器及其陶瓷基座,包括上表面设有金属环的上片以及下表面设有焊盘的下片,所述上片和下片贴合固定,所述下片的侧面设有与所述焊盘导电连接的导电层,所述导电层具有延伸至所述下片的上表面的上端面,所述上片上设有贯穿其上下表面的通孔,所述通孔中设有一端与所述金属环导电连接、另一端与所述导电层的上端面导电连接的导电柱,用以解决陶瓷基座金属封装缺少接地电路无法屏蔽信号干扰的技术问题;所述陶瓷基座为大腔体,宽度为0.85mm‑2.85mm,长度为1.55mm‑3.55mm,用以更加方便地安装晶体。
A quartz crystal resonator and its ceramic base
【技术实现步骤摘要】
一种石英晶体谐振器及其陶瓷基座
本技术涉及一种石英晶体谐振器及其陶瓷基座。
技术介绍
随着电子信息产业的飞速发展和电子整机的小型化、高性能的发展趋势,石英晶振的市场需求量还将快速增长。传统的晶振已经不能满足要求,开始向表面贴装型和轻、薄、小方向发展,并且陶瓷封装逐渐取代了传统的裸金属外壳覆塑料金属封装。然而,基于生产技术要求高和设备投入资金大等一些原因,该种陶瓷基座长期以来一直被国外一些厂商控制,主要集中在美国、日本、韩国、台湾地区等厂家。表面贴装的晶体谐振器、振荡器、滤波器陶瓷基座的生产核心技术一直掌握在日本人手中,我国每年要花费大量美元进口这种基座。我国目前的石英晶体元器件总需求量已达40亿只左右,其中表面贴装产品为15亿只,片式化率占30%左右,而同期许多欧美发达国家的片式化率已达85%。因此,研究表面贴装石英晶振陶瓷基座结构,打破进口产品在此类产品上的垄断,具有重大的实际应用价值。陶瓷基座主要由多层片状陶瓷板及金属线路组成,而陶瓷板及金属线路在物料转移以及安装过程中必然会产生静电,使陶瓷基座成为带静电的带电体,而陶瓷基座所带静电对于所安装的电器元件的性能会产生很大影响,甚至导致电器元件损坏。现有技术中公开了名称为“一种陶瓷封装基座”,授权公告号为CN201812816U,授权公告日为2011.04.27的技术专利,包括封装基底、印刷于其上的线路布局层以及设于封装基底和线路布局层四周的封装固定层,该线路布局层包括至少一个金属浆料区,在未设置金属浆料的留白区域还设有至少一个与金属浆料区对应的补偿金属浆料区”,其在装配与使用过程中因其没有设置接地电路,进而无法起到信号屏蔽的作用,致使其上安装的电器元件性能不稳定,最终导致电器元件损坏。
技术实现思路
本技术提出一种陶瓷基座,以解决陶瓷基座金属封装缺少接地电路无法屏蔽信号干扰的技术问题;所述陶瓷基座为大腔体,腔体宽度为0.85mm-2.85mm,长度为1.55mm-3.55mm,用以更加方便地安装晶体。本技术的技术方案是这样实现的:一种陶瓷基座,一种陶瓷基座,包括上表面设有金属环的上片以及下表面设有焊盘的下片,所述上片和下片贴合固定,所述下片的侧面设有与所述焊盘导电连接的导电层,所述导电层具有延伸至所述下片的上表面的上端面,其特征在于:所述上片上设有贯穿其上下表面的通孔,所述通孔中设有一端与所述金属环导电连接、另一端与所述导电层的上端面导电连接的导电柱。进一步的,所述矩形片状的下片对角设有第三扇形缺口与第四扇形缺口,所述第三扇形缺口与第四扇形缺口表面均设有导电层,所述通孔包括第一通孔与第二通孔,所述第一通孔与第二通孔内设有用于形成接地电路以屏蔽信号干扰的导电柱,所述金属环与导电柱电连接,所述第一通孔导电柱与第三扇形缺口导电层电连接,所述第二通孔导电柱与第四扇形缺口导电层电连接,所述焊盘包括第三焊盘与第四焊盘,所述第三焊盘与第三扇形缺口导电层电连接,所述第四焊盘与第四扇形缺口导电层电连接。进一步的,所述上片为矩形环状,所述下片为矩形片状,所述下片对角设有第一扇形缺口与第二扇形缺口,所述导电层位于第一扇形缺口与第二扇形缺口表面,所述下片的上表面设有第一电极与第二电极,所述第一电极与第一扇形缺口的导电层电连接,所述第二电极与第二扇形缺口的导电层电连接,所述焊盘还包括第一焊盘与第二焊盘,所述第一焊盘与第一扇形缺口的导电层电连接,所述第二焊盘与第二扇形缺口的导电层电连接。进一步的,所述第二电极设有用于方位识别的缺口。进一步的,所述下片的厚度为0.15-0.4mm。进一步的,所述上片內腔尺寸为大腔体,宽度为0.85mm-2.85mm,长度为1.55mm-3.55mm。进一步的,所述导电层、导电柱、第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、金属环均为金属浆料固化而成。一种石英晶体谐振器,包括上述所述的陶瓷基座。采用了上述技术方案,本技术的有益效果为:本技术的上片设有第一通孔与第二通孔,第一通孔与第二通孔内设有导电柱,上片的上表面设有金属环、导电柱、第三扇形缺口或第四扇形缺口导电层与第三扇形缺口或第四扇形缺口导电层形成接地电路,起到了金属封装时屏蔽信号干扰的作用,避免了基座内部元件受外来信号的干扰而损坏。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术陶瓷基座的俯视图;图2为本技术陶瓷基座上片的俯视图;图3为本技术陶瓷基座下片的俯视图;图4为本技术瓷基座下片的仰视图;图5为本技术陶瓷基座的半剖图;图6为本技术另一实施例陶瓷基座的俯视图;图7为本技术另一实施例陶瓷基座的仰视图;其中:1、下片,2、上片,11、第一扇形缺口,12、第二扇形缺口,13、导电层,14、第一电极,15、第二电极,16、第一焊盘,17、第二焊盘,18、第三扇形缺口,19、第四扇形缺口,20、金属环,21、第一通孔,22、第二通孔,23、导电柱,24、第三焊盘,25、第四焊盘,26、补偿区,27、支撑凸起,28、上端面。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。一种陶瓷基座实施例1,如图1-5所示,包括上表面设有金属环的上片2以及下表面设有焊盘的下片1,上片和下片贴合固定,下片的侧面设有与所述焊盘导电连接的导电层13,导电层具有延伸至所述下片的上表面的上端面28,上片上设有贯穿其上下表面的通孔,通孔中设有一端与所述金属环导电连接、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种陶瓷基座,包括上表面设有金属环的上片以及下表面设有焊盘的下片,所述上片和下片贴合固定,所述下片的侧面设有与所述焊盘导电连接的导电层,所述导电层具有延伸至所述下片的上表面的上端面,其特征在于:所述上片上设有贯穿其上下表面的通孔,所述通孔中设有一端与所述金属环导电连接、另一端与所述导电层的上端面导电连接的导电柱。/n
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基座,包括上表面设有金属环的上片以及下表面设有焊盘的下片,所述上片和下片贴合固定,所述下片的侧面设有与所述焊盘导电连接的导电层,所述导电层具有延伸至所述下片的上表面的上端面,其特征在于:所述上片上设有贯穿其上下表面的通孔,所述通孔中设有一端与所述金属环导电连接、另一端与所述导电层的上端面导电连接的导电柱。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基座,其特征在于,所述下片对角设有第三扇形缺口与第四扇形缺口,所述第三扇形缺口与第四扇形缺口表面均设有导电层,所述通孔包括第一通孔与第二通孔,所述第一通孔与第二通孔内设有用于金属封装时连接金属环与焊盘而形成的接地电路起到屏蔽信号干扰作用的导电柱,所述金属环与导电柱电连接,所述第一通孔导电柱与第三扇形缺口导电层电连接,所述第二通孔导电柱与第四扇形缺口导电层电连接,所述焊盘包括第三焊盘与第四焊盘,所述第三焊盘与第三扇形缺口导电层电连接,所述第四焊盘与第四扇形缺口导电层电连接。
3.根据权利要求2所述的陶瓷基座,其特征在于,所述上片为矩形环状,所述下片为矩形片状,所述下片对角设有第一扇形缺口与第二扇形缺口,所述导电层位于第一扇形...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘永良,刘奇,张东阳,关小静,孙小堆,
申请(专利权)人:郑州登电银河科技有限公司,
类型:新型
国别省市:河南;41
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