封装膜制造技术

本申请涉及封装膜、用于制造其的方法、包括其的有机电子器件、以及用于使用其制备有机电子器件的方法，所述封装膜允许形成能够阻挡水分或氧从外部引入有机电子器件中的结构，并且可以防止有机电子器件出现亮点。

Packaging film

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装膜
相关申请的交叉引用本申请要求基于2017年6月9日提交的韩国专利申请第10-2017-0072500号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本申请涉及封装膜、包含其的有机电子器件以及用于使用其制备有机电子器件的方法。
技术介绍
有机电子器件(OED)意指包括利用空穴和电子产生电荷的交流的有机材料层的器件，并且其实例可以包括光伏器件、整流器、发射器和有机发光二极管(OLED)等。以上有机电子器件中的有机发光二极管(OLED)具有比现有光源更低的功耗和更快的响应速度，并且有利于使显示器件或照明设备变薄。此外，OLED具有空间可用性，因此有望应用于各种领域，包括各种便携式装置、监视器、笔记本电脑和电视机。在OLED的商业化和应用扩展中，最重要的问题是耐久性问题。包含在OLED中的有机材料和金属电极等非常容易被外部因素例如水分氧化。此外，还存在由于OLED器件内部可能发生的排气(outgas)而出现OLED亮点的问题。因此，包括OLED的产品对环境因素高度敏感。因此，已经提出了各种方法以有效地阻挡氧或水分从外部渗入有机电子器件例如OLED中并且抑制内部产生的排气。
技术实现思路
技术问题本申请提供了封装膜，所述封装膜允许形成能够阻挡水分或氧从外部引入有机电子器件中的结构并且可以防止有机电子器件出现亮点。技术方案本申请涉及封装膜。封装膜可以应用于密封或封装有机电子器件，例如OLED。在本说明书中，术语“有机电子器件”意指具有以下结构的制品或器件：所述结构具有包括在面向彼此的电极对之间的、利用空穴和电子产生的电荷交流的有机材料层，并且有机电子器件的实例可以包括但不限于光伏器件、整流器、发射器和有机发光二极管(OLED)等。在本专利技术的一个实例中，有机电子器件可以为OLED。用于有机电子元件的一个示例性封装膜可以包括封装层。封装层可以封装形成在基底上的有机电子元件的整个表面。在一个实例中，封装膜可以包含亮点抑制剂。在一个实施方案中，如图1(a)中，封装膜可以包括至少两个封装层，其中封装层可以包括接触有机电子元件的第一层2和不接触有机电子元件的第二层4。此外，第二层4可以包含根据通过密度泛函理论计算的对排气的吸附能为0eV或更小的亮点抑制剂3。吸附能的下限值没有特别限制，但可以为-20eV。排气的类型没有特别限制，但可以包含H原子、H2分子和/或NH3。由于封装膜包含亮点抑制剂，本申请可以阻挡水分引入到有机电子元件中并且同时防止由有机电子器件中发生的排气引起的亮点。此外，通过在不接触有机电子元件的第二层中包含亮点抑制剂，本申请的封装膜可以防止由亮点抑制剂引起的基于应力集中的有机电子元件的损坏。鉴于以上，基于封装膜中的总亮点抑制剂的质量，第一层可以以15％或更少的量包含亮点抑制剂或者可以不包含亮点抑制剂。此外，基于封装膜中总亮点抑制剂的质量，不接触有机电子元件的层(不包括第一层)可以包含85％或更多的亮点抑制剂。即，在本申请中，与接触有机电子元件的第一层相比，不接触有机电子元件的其他封装层可以以更高的含量包含亮点抑制剂，从而在实现膜的水分阻挡特性和亮点防止特性的同时，防止施加于元件的物理损坏。在本申请的一个实施方案中，亮点抑制剂与引起亮点的原子或分子之间的吸附能可以基于密度泛函理论通过电子结构计算来计算。以上计算可以通过本领域已知的方法来进行。例如，在本申请中，在制成其中具有晶体结构的亮点抑制剂的最紧密堆积的填充表面暴露于表面上的二维平板结构，然后进行结构优化，并对该真空状态的表面上吸附有引起亮点的分子的结构进行结构优化之后，将通过从这两个体系的总能量差中减去引起亮点的分子的总能量而获得的值定义为吸附能。对于关于各体系的总能量计算，使用作为GGA(广义梯度近似，GeneralizedGradientApproximation)系列的函数的修正PBE函数作为交换关联(exchange-correlation)以模拟电子与电子之间的相互作用，所使用的电子动能截止值(cutoff)为500eV，并且仅包括对应于倒易空间的原点的伽玛点，并计算。使用共轭梯度法来优化各体系的原子结构并进行迭代计算直至原子间力为或更小。一系列的计算通过作为市售代码的VASP进行。亮点抑制剂的材料没有限制，只要该材料是在将封装膜应用于有机电子器件时具有防止有机电子器件的面板上的亮点的效果的材料即可。例如，亮点抑制剂可以为能够吸附例示为以下材料的材料：例如作为由沉积在有机电子元件的电极上的硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物的无机沉积层产生的排气的H2气体、氨(NH3)气、H+、NH2+、NHR2或NH2R。在此，R可以为有机基团，并且例如，可以例示为烷基、烯基、炔基等，但不限于此。在一个实例中，亮点抑制剂的材料没有限制，只要其满足以上吸附能值即可，其可以为金属或非金属。亮点抑制剂可以包括例如Li、Ni、Ti、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr、Si、或其组合，可以包括所述材料的氧化物或氮化物，并且可以包括所述材料的合金。在一个实例中，亮点抑制剂可以包括镍颗粒、镍氧化物颗粒、钛氮化物、基于钛的铁钛合金颗粒、基于锰的铁锰合金颗粒、基于锰的锰镍合金颗粒、基于稀土元素的合金颗粒、沸石颗粒、二氧化硅颗粒、碳纳米管、石墨、铝磷酸盐分子筛颗粒或介孔二氧化硅颗粒(mesosilicaparticle)。在封装膜中，相对于封装层中的100重量份的树脂组分，亮点抑制剂可以以3重量份至150重量份、6重量份至143重量份、8重量份至131重量份、9重量份至123重量份、10重量份至116重量份、10重量份至95重量份、10重量份至50重量份、或10重量份至35重量份的量包含在内。本申请在以上含量范围内可以实现有机电子器件的亮点防止，同时改善膜的粘合性和耐久性。此外，亮点抑制剂的粒径可以在10nm至30μm、50nm至21μm、105nm至18μm、110nm至12μm、120nm至9μm、140nm至4μm、150nm至2μm、180nm至900nm、230nm至700nm或270nm至400nm的范围内。通过包含亮点抑制剂，本申请可以在有效地吸附有机电子器件中产生的氢的同时一起实现封装膜的水分阻挡特性和耐久可靠性。在本说明书中，术语树脂组分可以为以下描述的封装树脂和/或粘结剂树脂。如上所述，封装层可以具有两个或更多个多层结构。当两个或更多个层构成封装层时，封装层中各层的组成可以相同或不同。在一个实例中，封装层可以包含封装树脂和/或吸湿剂，并且封装层可以为压敏粘合剂层或粘合剂层。如图1所示，封装层2、4可以包括第一层2和第二层4，并且封装层的第二层4可以包含亮点抑制剂3。此外，如图1(b)中，第二层可以同时包含亮点抑制剂3和吸湿剂5。此外，封装层不限于以上，其可以如图3和4中所示形成为三层结构。在本申请的封装膜中，当封装层具有三层结构时，至少一个封装层可以包含亮点抑制剂和/或吸湿剂。例如，亮点抑制剂和吸湿剂可以同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于有机电子元件的封装膜，包括至少两个封装层，其中所述至少两个封装层包括：接触所述有机电子元件的第一层和不接触所述有机电子元件的第二层，并且所述第二层包含根据通过密度泛函理论计算的对排气的吸附能为0eV或更小的亮点抑制剂。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170609 KR 10-2017-00725001.一种用于有机电子元件的封装膜，包括至少两个封装层，其中所述至少两个封装层包括：接触所述有机电子元件的第一层和不接触所述有机电子元件的第二层，并且所述第二层包含根据通过密度泛函理论计算的对排气的吸附能为0eV或更小的亮点抑制剂。


2.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述排气包含H原子、H2分子或NH3。


3.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中基于所述封装膜中的全部亮点抑制剂的质量，所述第一层以15％或更少的量包含亮点抑制剂或者不包含亮点抑制剂。


4.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层包含封装树脂和/或吸湿剂。


5.根据权利要求4所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述吸湿剂包括化学反应性吸附剂。


6.根据权利要求4所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述亮点抑制剂与所述吸湿剂的重量比在0.05至0.8的范围内。


7.根据权利要求4所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述吸湿剂的粒径在100nm至15000nm的范围内。


8.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述亮点抑制剂的粒径在10nm至30μm的范围内。


9.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中相对于所述封装层中的100重量份的树脂组分，所述亮点抑制剂以3重量份至150重量份的量包含在内。


10.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层封装形成在基底上的有机电子元件的整个表面。

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【专利技术属性】
技术研发人员：文晶玉，柳贤智，睦英凤，梁世雨，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR