改善激光发射源的方法、激光发射源以及光刻系统技术方案

本发明专利技术公开了一种改善激光发射源的方法、激光发射源以及光刻系统，所述改善激光发射源的方法包括：提供一放电腔，放电腔内通入有气体，对放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压，使得气体放电，产生激光。本发明专利技术具有缩短起辉时间，提高气体的利用率的优点。

Methods of improving laser emission source, laser emission source and photolithography system

【技术实现步骤摘要】
改善激光发射源的方法、激光发射源以及光刻系统
本专利技术涉及激光
，尤其是涉及一种改善激光发射源的方法、激光发射源以及光刻系统。
技术介绍
气体激光器具有结构简单、造价低廉，操作方便，工作介质均匀、光束质量好，以及能够长时间较稳定连续工作的特点，其被广泛应用于半导体器件的制备工艺过程中。例如应用于光刻系统中的光刻机台中，作为光刻机台的光源。传统的光刻机台的控制激光发射源(光源)为一高压调制射频电源(高压控制器)，将此高压调制射频电源连接至调制器中的一个平行板的阴阳两级，并对其施加一射频电压，在所述调制器的两个平行板之间通入特定的气体，该气体在此射频电压的作用下，会发生一系列的物理化学反应，这个过程被称为电子放电，在反应过程中，电子会剧烈运动，并释放能量，且会产生各种不同频率的光线，再通过一些光学元件的作用，最后便产生了具有特定频率的激光，但是，在得到一个具有特定频率的激光前，需要一个稳定的放电过程才能做到，而要达到这个状态，需要电子在一段较长的反应时间后才能形成。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改善激光发射源的方法、激光发射源以及光刻系统，用以解决现有的激光发射源需要较长的反应时间才能得到具有特定频率的激光，并由此导致后续半导体器件的制备工艺所用时间增加，降低产能的问题。为了解决上述问题，本专利技术通过以下技术方案实现：一种改善激光发射源的方法，包括：提供一放电腔，所述放电腔内通入有气体，对所述放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压，使得所述气体放电，产生激光。优选地，所述激光发射电压为调制的射频电压。优选地，所述对所述放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压的步骤具体为通过在相邻的两段所述调制的射频电压之间施加所述脉冲电压，用以缩短起辉时间。优选地，所述放电腔内设有相互平行设置的两个平行板，所述气体位于两个所述平行板之间。优选地，所述激光发射电压和所述脉冲电压施加在两个所述平行板中的任意一个平行板上。另一方面，本专利技术还提供一种激光发射源，包括：放电腔、位于所述放电腔内部的调制器、与所述放电腔连通的气源、以及分别与所述调制器连接的直流脉冲电源和高压控制器；所述气源用于向所述调制器内部通入气体，所述高压控制器用于对所述调制器施加激光发射电压，使得所述气体在所述激光发射电压的作用下放电；所述直流脉冲电源用于对所述调制器施加脉冲电压，缩短起辉时间。进一步的，还包括：过滤器，所述过滤器的输入端与所述气源连接，所述过滤器的输出端与所述调制器连接，所述过滤器用于对所述气源输出的气体进行过滤。进一步的，还包括：总控制器，分别与所述总控制器连接的监控模块和光学器件模组，所述监控模块用于向所述总控制器输入预设的激光的基本参数信息；所述总控制器用于根据其接收到的所述预设的激光的基本参数信息控制所述气源向所述调制器输送的气体，控制所述高压控制器向所述调制器施加所述激光发射电压，使得所述气体放电产生激光并输出，以及控制所述光学器件模组对其接收到的激光进行选择，得到具有单一频率的激光并输出；所述监控模块还用于对接收到的具有单一频率的激光进行调整，得到所述预设的激光并输出。优选地，所述预设的激光的基本参数信息包括：所述预设的激光的波长、频率和功率。再一方面，本专利技术还提供一种光刻系统，包括：如上文所述的激光发射源。本专利技术与现有技术相比具有以下优点：本专利技术通过提供一种改善激光发射源的方法，包括：提供一放电腔，所述放电腔内通入有气体，对所述放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压，使得所述气体放电，产生激光。由此可知，本专利技术不仅对所述放电腔施加一激光发射电压还同时对所述放电腔施加一脉冲电压，所述脉冲电压的存在使得所述气体存在一个直流放电的过程，在这个过程中，所述气体会产生活性粒子，在这些活性粒子的作用下，使得当达到射频放电的过程时，残存的所述活性粒子会提高所述气体的反应速率，由此实现缩短了起辉时间，或者是缩短了所述气体放电达到稳定的时间，即使得产生具有特定频率的激光之前的放电过程缩短，并提高了所述气体的利用率。另外，当该激光发射源应用于光刻系统中后，可以缩短单个晶圆(wafer)的作业时间，由此提高了光刻系统中的光刻机台的产能。附图说明图1为本专利技术一实施例提供的激光发射源的主要结构示意图。具体实施方式以下结合附图1和具体实施方式对本专利技术提出的一种改善激光发射源的方法、激光发射源以及光刻系统作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施方式的目的。为了使本专利技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“高度”、“厚度”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。承如
技术介绍
所述，现有的激光发射源需要较长的反应时间才能得到具有特定频率的激光，并由此导致后续半导体器件的制备工艺所用时间增加，降低产能的问题。本专利技术的核心思想在于提供一种改善激光发射源的方法，包括：提供一放电腔，所述放电腔内通入有气体，对所述放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压，使得所述气体放电，产生激光。由此可知，本专利技术不仅对所述放电腔施加一激光发射电压还同时对所述放电腔施加一脉冲电压，所述脉冲电压的存在使得所述气体存在一个直流放电的过程，在这个过程中，所述气体会产生活性粒子，在这些活性粒子的作用下，使得当达到射频放电的过程时，残存的所述活性粒子会提高所述气体的反应速率，由此实现缩短了起辉时间，或者是缩短了所述气体放电达到稳定的时间，即使得产生具有特定频率的激光之前的放电过程缩短，并提高了所述气体的利用率。具体的，本实施例提供的一种改善激光发射源的方法，包括：提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善激光发射源的方法，其特征在于，包括：提供一放电腔，所述放电腔内通入有气体，对所述放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压，使得所述气体放电，产生激光。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善激光发射源的方法，其特征在于，包括：提供一放电腔，所述放电腔内通入有气体，对所述放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压，使得所述气体放电，产生激光。


2.如权利要求1所述的改善激光发射源的方法，其特征在于，所述激光发射电压为调制的射频电压。


3.如权利要求2所述的改善激光发射源的方法，其特征在于，所述对所述放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压的步骤具体为：通过在相邻的两段所述调制的射频电压之间施加所述脉冲电压，用以缩短起辉时间。


4.如权利要求3所述的改善激光发射源的方法，其特征在于，所述放电腔内设有相互平行设置的两个平行板，所述气体位于两个所述平行板之间。


5.如权利要求4所述的改善激光发射源的方法，其特征在于，所述激光发射电压和所述脉冲电压施加在两个所述平行板中的任意一个平行板上。


6.一种激光发射源，其特征在于，包括：放电腔、位于所述放电腔内部的调制器、与所述放电腔连通的气源、以及分别与所述调制器连接的直流脉冲电源和高压控制器；
所述气源用于向所述调制器内部通入气体，所述高压控制器用于对所述调制器施加激光发射电压，使得所述气体在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：申亚军，尹鹏腾，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31