一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法技术

本发明专利技术公开了一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法，包括如下步骤：S1、向1.5mol/L的HCl与AlCl

A method of formation suitable for the production of small wide electrode foil

【技术实现步骤摘要】
一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法
本专利技术属于电极箔生产的化成
，更具体地说，尤其涉及一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法。
技术介绍
电极箔是铝电解电容器制造的关键原材料。由于电子产业的迅速发展，尤其是通信产品、计算机、家电等整机产品市场的急剧扩大，对铝电极箔产业的发展起了推波助澜的作用。现有电极箔的化成工艺制备得到的电极箔的比容低、折曲强度低且漏电大漏电流较大。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法，包括如下步骤：S1、向0.2-2mol/L的HCl与AlCl3的混合溶液中加入表面活性剂，随后边加热边搅拌，在30-50℃温度下对铝箔进行表面处理；S2、用蒸馏水反复冲洗干净，将铝箔置于温度为20-30℃，浓度为2.0-3.0mo1/L的NaOH水溶液中浸泡2-3min，然后再用蒸馏水反复冲洗干净；S3、铝箔置于92-100℃的去离子水中浸泡15-30min，将铝箔置于浓度为0.2％-1.0％的草酸和3.5％-7％的己二酸铵混合后的水溶液中，在80-95℃温度、100-220V电压与50-200mA/cm2电流的条件下化成150-200s，得到一级化成电极箔；S4、将一级化成电极箔置于浓度为1-10％的硼酸、0.1-1％的草酸和0.1-1％的五硼酸铵混合后的水溶液中，在温度温度为65℃-85℃、100-240V电压与处理电流密度为0.11A/m2-0.22A/cm2条件下化成100-180s，得到二级化成电极箔；S5、将二级化成电极箔置于浓度为0.2％-2％的磷酸二氢铵水溶液中，在温度为50-80℃，300-400V电压与处理电流密度为0.25A/m2-0.38A/cm2条件下化成60-120s，得到三级化成电极箔；S6、将三级化成电极箔置于热处理炉中，在温度500℃焙烧2min，最后进行去极化处理，得到小片宽电极箔。优选的，所述步骤S1中表面活性剂为C12H25SO4Na和C18H29NaO3S按1∶1混合后的混合物，该混合物在步骤S1的混合溶液中的浓度为0.1-1.5wt％。优选的，所述步骤S1和步骤S2在超声辅助下完成，超声频率为40KHz，表面处理时间为1-2min，电压为10-65V、电流密度为0.2A/cm2的交流电。优选的，所述蒸馏水反复冲洗干净后需要干燥，干燥温度为200-220℃，干燥时间为2-5min。优选的，所述步骤S3中铝箔采用去离子水中浸泡后需要在温度80-100℃情况下烘干5-10min。优选的，所述步骤S6中的去极化处理为将焙烧后的三级化成电极箔置于浓度为1％-5％的磷酸二氢铵和7-12％的磷酸水溶液的混合液中，控制温度为50-70℃，浸泡1-2分钟，最后取出烘干。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法，与传统技术相比，该方法首先采用了腐蚀化成技术，利用盐酸在电解池中与铝箔反应生产的腐蚀溶解性，便于后续的多次化成过程中，提高了电极箔的化成效率，铝箔上形成致密氧化膜，提高使用寿命，采用多级化成工艺，制得的电极箔低漏电的优异性能，提高了电极箔的品质。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法，包括如下步骤：S1、向0.5mol/L的HCl与AlCl3的混合溶液中加入表面活性剂，随后边加热边搅拌，在35℃温度下对铝箔进行表面处理；S2、用蒸馏水反复冲洗干净，将铝箔置于温度为30℃，浓度为2.0mo1/L的NaOH水溶液中浸泡3min，然后再用蒸馏水反复冲洗干净；S3、铝箔置于92℃的去离子水中浸泡15min，将铝箔置于浓度为0.2％的草酸和3.5％的己二酸铵混合后的水溶液中，在80℃温度、100V电压与50mA/cm2电流的条件下化成150s，得到一级化成电极箔；S4、将一级化成电极箔置于浓度为5％的硼酸、0.5％的草酸和0.1％的五硼酸铵混合后的水溶液中，在温度温度为65℃、100V电压与处理电流密度为0.11A/m2条件下化成100s，得到二级化成电极箔；S5、将二级化成电极箔置于浓度为0.2％的磷酸二氢铵水溶液中，在温度为50℃，300V电压与处理电流密度为0.25A/m2条件下化成60-120s，得到三级化成电极箔；S6、将三级化成电极箔置于热处理炉中，在温度500℃焙烧2min，最后进行去极化处理，得到小片宽电极箔。具体的，所述步骤S1中表面活性剂为C12H25SO4Na和C18H29NaO3S按1∶1混合后的混合物，该混合物在步骤S1的混合溶液中的浓度为0.5wt％。具体的，所述步骤S1和步骤S2在超声辅助下完成，超声频率为40KHz，表面处理时间为1min，电压为10V、电流密度为0.2A/cm2的交流电。具体的，所述蒸馏水反复冲洗干净后需要干燥，干燥温度为200℃，干燥时间为2min。具体的，所述步骤S3中铝箔采用去离子水中浸泡后需要在温度80℃情况下烘干5min。具体的，所述步骤S6中的去极化处理为将焙烧后的三级化成电极箔置于浓度为1％％的磷酸二氢铵和7％的磷酸水溶液的混合液中，控制温度为50℃，浸泡2分钟，最后取出烘干。实施例2一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法，包括如下步骤：S1、向1mol/L的HCl与AlCl3的混合溶液中加入表面活性剂，随后边加热边搅拌，在50℃温度下对铝箔进行表面处理；S2、用蒸馏水反复冲洗干净，将铝箔置于温度为30℃，浓度为2.5mo1/L的NaOH水溶液中浸泡2min，然后再用蒸馏水反复冲洗干净；S3、铝箔置于100℃的去离子水中浸泡30min，将铝箔置于浓度为1.0％的草酸和4％的己二酸铵混合后的水溶液中，在95℃温度、150V电压与100mA/cm2电流的条件下化成200s，得到一级化成电极箔；S4、将一级化成电极箔置于浓度为5％的硼酸、0.8％的草酸和0.6％的五硼酸铵混合后的水溶液中，在温度温度为85℃、240V电压与处理电流密度为0.22A/cm2条件下化成180s，得到二级化成电极箔；S5、将二级化成电极箔置于浓度为0.8％的磷酸二氢铵水溶液中，在温度为80℃，300V电压与处理电流密度为0.38A/cm2条件下化成120s，得到三级化成电极箔；S6、将三级化成电极箔置于热处理炉中，在温度500℃焙烧2min，最后进行去极化处理，得到小片宽电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法，其特征在于：包括如下步骤：/nS1、向0.2-2mol/L的HCl与AlCl

【技术特征摘要】
1.一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1、向0.2-2mol/L的HCl与AlCl3的混合溶液中加入表面活性剂，随后边加热边搅拌，在30-50℃温度下对铝箔进行表面处理；
S2、用蒸馏水反复冲洗干净，将铝箔置于温度为20-30℃，浓度为2.0-3.0mo1/L的NaOH水溶液中浸泡2-3min，然后再用蒸馏水反复冲洗干净；
S3、铝箔置于92-100℃的去离子水中浸泡15-30min，将铝箔置于浓度为0.2％-1.0％的草酸和3.5％-7％的己二酸铵混合后的水溶液中，在80-95℃温度、100-220V电压与50-200mA/cm2电流的条件下化成150-200s，得到一级化成电极箔；
S4、将一级化成电极箔置于浓度为1-10％的硼酸、0.1-1％的草酸和0.1-1％的五硼酸铵混合后的水溶液中，在温度温度为65℃-85℃、100-240V电压与处理电流密度为0.11A/m2-0.22A/cm2条件下化成100-180s，得到二级化成电极箔；
S5、将二级化成电极箔置于浓度为0.2％-2％的磷酸二氢铵水溶液中，在温度为50-80℃，300-400V电压与处理电流密度为0.25A/m2-0.38A/cm2条件下化成60-120s，得到三级化成电极箔；
S6、将三级化成电极箔置于热处理炉中，在温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓天，陈小兵，包志刚，
申请(专利权)人：南通南辉电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32