三唑衍生物制造技术

本发明专利技术的目的是提供由通式(G6)表示的三唑衍生物，

Triazole derivatives

【技术实现步骤摘要】
三唑衍生物本申请是是申请号为“201710158441.8”、申请日为“2017年3月13日”、专利技术名称为“三唑衍生物”的专利申请的分案申请。该专利申请(申请号为201710158441.8)是申请号为“201410476481.3”、申请日为“2008年4月28日”、专利技术名称为“三唑衍生物”的专利申请的分案申请；该专利申请(申请号为201410476481.3)又是申请号为“200880014007.1”、申请日为“2008年4月28日”、专利技术名称为“三唑衍生物，和使用三唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及三唑衍生物。另外，本专利技术涉及电流激励型发光元件和具有该发光元件的发光器件和电子器件。
技术介绍
近些年来，对于使用电致发光的发光元件进行了广泛地研究和开发。在此类发光元件的基本结构中，将具有发光性能的物质插在一对电极之间。通过向这个元件施加电压，可以从具有发光性能的物质获得发光。因为此类发光元件是自发光型的，所以存在像素可见性好于液晶显示器的可见性的优点，以致不需要背灯等。因此，此类发光元件适合于平板显示器元件。此外，此类发光元件的其它优点是该元件可以制造得薄且轻并且响应速度非常高。因为这种发光元件能形成为膜状，所以通过形成大面积元件就可以轻易得到表面发光。这是难以通过以白炽灯或LED为代表的点光源或以荧光灯为代表的线光源获得的特征。因此，这种发光元件作为适用于照明系统等的表面光源具有高利用价值。使用电致发光的发光元件根据它们是否使用有机化合物或无机化合物作为发光物质来进行广泛分类。当有机化合物用作发光物质时，通过施加电压到发光元件上，将电子和空穴从一对电极注入含发光有机化合物的层中，以致电流流过该发光元件。电子和空穴(即载流子)重组，并因此，发光有机化合物变得处于激发态。该发光有机化合物从激发态返回到基态，因此发射光。基于这种机理，此类发光元件称作电流激励型发光元件。作为有机化合物的激发态的类型，存在单重激发态(S*)和三重激发态(T*)。它们在发光元件中的统计产生比是S*:T*＝1:3。在将单重激发态转化成发光的化合物(以下简称荧光性化合物)中，在室温下没有观察到来自三重激发态的发光(磷光)，但是仅观察到来自单重激发态的发光(荧光)。因此，在使用荧光性化合物的发光元件中，基于S*:T*＝1:3，内量子效率(产生的光子与注入的载流子的比例)的理论极限认为是25％。另一方面，当使用将三重激发态转化成发光的化合物(以下简称磷光性化合物)时，内量子效率可以理论上改进到75-100％。即，发光效率可以高达荧光性化合物的三至四倍。出于此种原因，为了获得高效率的发光元件，近来已经活跃地开发使用磷光性化合物的发光元件。当使用上述磷光性化合物形成发光元件的发光层时，为了抑制磷光性化合物的浓度猝灭或由于三重态-三重态湮灭(T-T湮灭)引起的猝灭，通常形成发光层满足磷光性化合物分散在另一种物质的基体中。此时，充当基体的物质称为主体材料，分散在基体中的物质例如磷光性物质称为客体材料。当磷光性化合物用作客体材料时，主体材料需要具有比该磷光性化合物更高的三重态激发能(基态和三重激发态之间的能量差)。在专利文献1(日本公开专利申请号2002-352957)中，TAZ用作发射绿光的磷光性化合物的主体材料。专利技术公开具有如TAZ那样高的三重态激发能(基态和三重激发态间的能量差)的化合物可用作磷光性化合物的主体材料。另一方面，TAZ具有高的单重态激发能(基态和单重激发态间的能量差)并且也用作空穴阻挡材料。即，TAZ具有空穴极其难以注入TAZ中的特征。因此，当TAZ用作发光层的主体材料时，空穴难以注入发光层中，并因此发光区域接近于发光层和空穴传输层间的界面存在是可能的。当发光区域接近于所述界面局部存在时，发光物质的浓度猝灭或由于三重态-三重态湮灭(T-T湮灭)引起的猝灭发生，这导致发光效率降低。鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供新型三唑衍生物。此外，本专利技术的另一个目的是提供使用所述新型三唑衍生物的具有高发光效率的发光元件。此外，本专利技术又一个目的是提供具有低功耗的发光器件和电子器件。本专利技术专利技术人合成了在同一分子中包括具有电子传输性能和高三重态激发能的三唑骨架和具有空穴传输性能的咔唑骨架的三唑衍生物。然后，发现这种三唑衍生物具有高的三重态激发能和电子传输性能和空穴传输性能。更具体地说，发现了是1,2,4-三唑衍生物的三唑衍生物，其中芳基或杂芳基与3-位、4-位和5-位中的每一个键接，和其中芳基或杂芳基中任一个具有9H-咔唑-9-基，具有高三重态激发能和电子传输性能和空穴传输性能。因此，本专利技术一个方面是三唑衍生物，其中由通式(G1)表示的三唑衍生物的Ar1-Ar3中任一个与由通式(G2)表示的9H-咔唑-9-基键接。在该通式中，Ar1-Ar3各自表示芳基或杂芳基，R1-R8各自表示氢、烷基、烷氧基或芳基。另外，本专利技术另一个方面是由通式(G3)表示的三唑衍生物。在该通式中，Ar1和Ar2各自表示芳基或杂芳基，Ar3表示亚芳基或杂亚芳基，R11和R12各自表示氢、烷基、烷氧基或芳基。另外，本专利技术另一个方面是由通式(G4)表示的三唑衍生物。在该通式中，Ar1和Ar2各自表示芳基或杂芳基，R11和R12各自表示氢、烷基、烷氧基或芳基。另外，本专利技术另一个方面是由通式(G5)表示的三唑衍生物。在该通式中，Ar1和Ar2各自表示芳基或杂芳基，R11和R12各自表示氢、烷基、烷氧基或芳基。在上述结构中的任一个中，优选Ar1和Ar2各自是苯基或吡啶基。另外，本专利技术另一个方面是由通式(G6)表示的三唑衍生物。在该通式中，Ar1和Ar3各自表示芳基或杂芳基，Ar2表示亚芳基或杂亚芳基，R11和R12各自表示氢、烷基、烷氧基或芳基。另外，本专利技术另一个方面是由通式(G7)表示的三唑衍生物。在该通式中，Ar1和Ar3各自表示芳基或杂芳基，R11和R12各自表示氢、烷基、烷氧基或芳基。另外，本专利技术另一个方面是由通式(G8)表示的三唑衍生物。在该通式中，Ar1和Ar3各自表示芳基或杂芳基，R11和R12各自表示氢、烷基、烷氧基或芳基。在上述结构中的任一个中，优选Ar1和Ar3各自是苯基或吡啶基。另外，本专利技术另一个方面是含任何上述三唑衍生物的发光元件。具体来说，它是在一对电极之间包括任何上述三唑衍生物的发光元件。另外，本专利技术另一个方面是在一对电极之间包括发光层的发光元件，其中该发光层具有任何上述三唑衍生物。因为任何上述三唑衍生物具有高三重态激发能，所以当发光层在其结构中具有任何上述三唑衍生物和发射磷光的物质时可以获得更有利的效果。具体来说，使用任何上述三唑衍生物可以获得具有高发光效率的发光，甚至当使用发射磷光的物质时仍如此，该磷光显示具有短波本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由通式(TAZ-1)表示的三唑衍生物，/n

【技术特征摘要】
20070517 JP 2007-1312281.一种由通式(TAZ-1)表示的三唑衍生物，



其中Ar1表示含6-25个碳原子的芳基或含3-9个碳原子的杂芳基，
其中Ar3表示含6-25个碳原子的亚芳基或含3-9个碳原子的杂亚芳基，
其中Ar2表示杂芳基，和
其中X1表示溴基或碘基。


2.根据权利要求1所述的三唑衍生物，
其中Ar1表示苯基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、4-叔丁基苯基、1-萘基、2-萘基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、9,9-二甲基芴-2-基、螺-9,9'-联芴-2-基、1,3,5-三嗪-2-基、1,2,4-三嗪-3-基、嘧啶-4-基、吡嗪-2-基、2-吡啶基、3-吡啶基、或4-吡啶基，和
其中Ar2表示1,3,5-三嗪-2-基、1,2,4-三嗪-3-基、嘧啶-4-基、吡嗪-2-基、2-吡啶基、3-吡啶基、或4-吡啶基。


3.根据权利要求1所述的三唑衍生物，
其中Ar3表示1,2-亚苯基、1,3-亚苯基、1,4-亚苯基、2,5-二甲基-1,4-亚苯基、1,4-亚萘基、1,5-亚萘基、4,4'-亚联苯基、9,9-二甲基芴-2,7-二基、螺-9,9'-联芴-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、或吡啶-2,6-二基。


4.一种由通式(TAZ-2)表示的三唑衍生物，



其中Ar1和A...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村洸子，川上祥子，大泽信晴，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP