一种适用于厕所动态干法除恶臭设备制造技术

技术编号:23184775 阅读:24 留言:0更新日期:2020-01-24 14:04
本发明专利技术公开了一种适用于厕所动态干法除恶臭设备,包括固定管道以及安装在固定管道内部的均流器、F6级板式过滤器、氧化床A和氧化床B,本发明专利技术通过与氧化床A和氧化床B反应后,除了需要固定管道内保持气体的流动速率以外,不需要给予其它任何辅助条件就可以完成治理过程,达到治理效果,氧化床A和氧化床B可以方便的进行组合、携带和运输。当基材板失活了,可以重新通过A氧化剂或者B复合反应剂进行制备,使得基材板可反复使用,降低运行成本。

A dynamic dry deodorization equipment for toilet

【技术实现步骤摘要】
一种适用于厕所动态干法除恶臭设备
本专利技术涉及厕所异味治理
,具体为一种适用于厕所动态干法除恶臭设备。
技术介绍
如厕是人们的生活行为,若不加管理,厕所中的尿渍便迹就很容易腐败挥发。时间一长,会产生一定的异味,环境空气也会受到影响,同时还会滋生蚊蝇等细菌的大量繁殖,对如厕人员的健康带来危害。解决厕所异味,唯一办法就是只有管理人员及时跟进清洁,同时开启换气,把厕所的室内外空气进行交换,让新鲜空气导入室内,把异味气体导出室外。被导出的厕所异味气体不能直排放,也需要经过处理才能排放,因此设计一种厕所用除异味的设备。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适用于厕所动态干法除恶臭设备,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种适用于厕所动态干法除恶臭设备,包括固定管道以及安装在固定管道内部的均流器、F6级板式过滤器、氧化床A和氧化床B,异味气体通过固定管道的进气端进入且依次与均流器、F6级板式过滤器、氧化床A和氧化床B接触,所述氧化床A是将A氧化剂负载在碳化硅的基材板表面而形成的,所述氧化床B是将B复合反应剂负载在碳化硅的基材板表面而形成的,A氧化剂是由质量百分比为30%氧化剂硫酸钠Na2S2O8和质量百分比为1‰催化剂氧化铁FeO组成的,所述B复合反应剂是由质量百分比为25%磷酸二氢钠NaH2PO4和质量百分比为25%硫酸镁MgSO4组成的。优选的,氧化床A的具体制备步骤为:S1、按质量百分比称取30%的Na2S2O8和1‰的FeO注入到70%的自来水中,依靠搅拌机在水中进行搅拌至药剂全部溶解混合后,即可制得A氧化剂;S2、取碳化硅基材板置于A氧化剂中浸泡,浸泡一段时间后捞出进行风干,即可制得氧化床A。优选的,氧化床B的具体制备步骤为:S1、按质量百分比称取25%的NaH2PO4和25%的MgSO4注入到50%的自来水中,依靠搅拌机在水中进行搅拌至药剂全部溶解混合后,即可制得所述B复合反应剂;S2、取碳化硅基材板置于所述B复合反应剂中浸泡,浸泡一段时间后捞出进行风干,即可制得氧化床B。优选的,步骤S2中浸泡时间为每批次15-20min,风干时间为200-300min。优选的,碳化硅的基材板为泡沫碳化硅陶瓷板。优选的,除恶臭设备的除臭方法包括以下步骤:S1、异味气体通过固定管道的进气端进入,首先通过均流器对异味气体进行均流与分配,同时进行初步的过滤;S2、气体通过均流器后进入F6级板式过滤器,对气体进行进一步过滤;S3、气体通过F6级板式过滤器后进入氧化床A进行氧化反应;S4、气体通过氧化床A后进入氧化床B进行复合反应。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:通过与氧化床A和氧化床B反应后,除了需要固定管道内保持气体的流动速率以外,不需要给予其它任何辅助条件就可以完成治理过程,达到治理效果,氧化床A和氧化床B可以方便的进行组合、携带和运输。当基材板失活了,可以重新通过A氧化剂或者B复合反应剂进行制备,使得基材板可反复使用,降低运行成本。附图说明图1为本专利技术整体的结构示意图。图中:1、均流器;2、F6级板式过滤器;3、氧化床A;4、氧化床B;5、固定管道。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中,需要说明的是,术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。请参阅图1,本专利技术提供一种技术方案:一种适用于厕所动态干法除恶臭设备,包括固定管道5以及安装在固定管道5内部的均流器1、F6级板式过滤器2、氧化床A3和氧化床B4,异味气体通过固定管道5的进气端进入且依次与均流器1、F6级板式过滤器2、氧化床A3和氧化床B4接触,所述氧化床A3是将A氧化剂负载在碳化硅的基材板表面而形成的,所述氧化床B4是将B复合反应剂负载在碳化硅的基材板表面而形成的,A氧化剂是由质量百分比为30%氧化剂硫酸钠Na2S2O8和质量百分比为1‰催化剂氧化铁FeO组成的,所述B复合反应剂是由质量百分比为25%磷酸二氢钠NaH2PO4和质量百分比为25%硫酸镁MgSO4组成的。进一步的,氧化床A3的具体制备步骤为:S1、按质量百分比称取30%的Na2S2O8和1‰的FeO注入到70%的自来水中,依靠搅拌机在水中进行搅拌至药剂全部溶解混合后,即可制得A氧化剂;S2、取碳化硅基材板置于A氧化剂中浸泡,浸泡一段时间后捞出进行风干,即可制得氧化床A3。进一步的,氧化床B4的具体制备步骤为:S1、按质量百分比称取25%的NaH2PO4和25%的MgSO4注入到50%的自来水中,依靠搅拌机在水中进行搅拌至药剂全部溶解混合后,即可制得所述B复合反应剂;S2、取碳化硅基材板置于所述B复合反应剂中浸泡,浸泡一段时间后捞出进行风干,即可制得氧化床B4。进一步的,步骤S2中浸泡时间为每批次15-20min,风干时间为200-300min。进一步的,碳化硅的基材板为泡沫碳化硅陶瓷板。进一步的,除恶臭设备的除臭方法包括以下步骤:S1、异味气体通过固定管道5的进气端进入,首先通过均流器1对异味气体进行均流与分配,同时进行初步的过滤;S2、气体通过均流器1后进入F6级板式过滤器2,对气体进行进一步过滤;S3、气体通过F6级板式过滤器2后进入氧化床A3进行氧化反应;S4、气体通过氧化床A3后进入氧化床B4进行复合反应。工作原理:当异味气体中恶臭污染因子以动态形式扩散至氧化床A3或氧化床B4表面活性中心时,恶臭污染因子即与氧化床A3或氧化床B4上的氧化分子发生化学反应。根据瞬时反应机理,恶臭污染因子被分解成小分子化合物和无臭分子。因此可以达到除臭效果,厕所的异味气体主要为:硫化氢H2S,具有鸡蛋臭气味;氨气NH3,具有强烈刺激性气体;甲流醇CH3SH,具有烂白菜气味;粪臭类C9H9N,具有屎液+粪便的腐臭味;具体的反应机理如下:硫化氢:本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于厕所动态干法除恶臭设备,其特征在于:包括固定管道(5)以及安装在固定管道(5)内部的均流器(1)、F6级板式过滤器(2)、氧化床A(3)和氧化床B(4),异味气体通过固定管道(5)的进气端进入且依次与均流器(1)、F6级板式过滤器(2)、氧化床A(3)和氧化床B(4)接触,所述氧化床A(3)是将A氧化剂负载在碳化硅的基材板表面而形成的,所述氧化床B(4)是将B复合反应剂负载在碳化硅的基材板表面而形成的,所述A氧化剂是由质量百分比为30%氧化剂硫酸钠Na2S2O8和质量百分比为1‰催化剂氧化铁FeO组成的,所述B复合反应剂是由质量百分比为25%磷酸二氢钠NaH2PO4和质量百分比为25%硫酸镁MgSO4组成的。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于厕所动态干法除恶臭设备,其特征在于:包括固定管道(5)以及安装在固定管道(5)内部的均流器(1)、F6级板式过滤器(2)、氧化床A(3)和氧化床B(4),异味气体通过固定管道(5)的进气端进入且依次与均流器(1)、F6级板式过滤器(2)、氧化床A(3)和氧化床B(4)接触,所述氧化床A(3)是将A氧化剂负载在碳化硅的基材板表面而形成的,所述氧化床B(4)是将B复合反应剂负载在碳化硅的基材板表面而形成的,所述A氧化剂是由质量百分比为30%氧化剂硫酸钠Na2S2O8和质量百分比为1‰催化剂氧化铁FeO组成的,所述B复合反应剂是由质量百分比为25%磷酸二氢钠NaH2PO4和质量百分比为25%硫酸镁MgSO4组成的。


2.根据权利要求1所述的一种适用于厕所动态干法除恶臭设备,其特征在于:氧化床A(3)的具体制备步骤为:
S1、按质量百分比称取30%的Na2S2O8和1‰的FeO注入到70%的自来水中,依靠搅拌机在水中进行搅拌至药剂全部溶解混合后,即可制得A氧化剂;
S2、取碳化硅基材板置于A氧化剂中浸泡,浸泡一段时间后捞出进行风干,即可制得氧化床A(3)。


3.根据权利要求1所述的一种适用于厕所动态干法除恶臭设备,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:林啟繁田元棋
申请(专利权)人:上海鸿来环保设备有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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