编码方法及使用所述编码方法的存储器存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于采用错误校正码算法的存储器存储装置的编码方法。所述存储器存储装置包括错误校正码编码器。所述编码方法包括：接收包含写入地址及写入数据的写入命令；读取现有码字；将翻转位附加到所述写入数据；由所述错误校正码编码器基于所述错误校正码算法对所述写入数据及所述翻转位进行编码以产生多个奇偶校验位，并将所述写入数据及所述翻转位附加到所述多个奇偶校验位以产生新码字；基于所选位中从所述现有码字成为所述新码字需要改变的位数目来翻转所述新码字；以及将所述新码字及经翻转的所述新码字中的一者写入到所述写入地址。另外，本发明专利技术提供一种使用所述编码方法的存储器存储装置。

【技术实现步骤摘要】
编码方法及使用所述编码方法的存储器存储装置
本专利技术涉及一种存储器存储装置，且更具体来说涉及一种编码方法及一种使用所述编码方法的存储器存储装置。
技术介绍
一般来说，可根据错误校正码(errorcorrectingcode，ECC)将待写入到可重写非易失性存储器(non-volatilememory，NVM)的数据编码成码字。也可通过对应的解码程序来处理从可重写非易失性存储器读取的码字以恢复所述数据。码字通常是数据本身与根据以下产生的奇偶校验数据的组合：博斯-乔杜里-霍昆格姆(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem，BCH)码、汉明码(hammingcode)、具有额外奇偶校验的汉明码(SECDED)、里德-索罗门(Reed-Solomon)码、萧氏(Hsiao)码、或利恩(Lien)码等。为改善NVM写入功率、写入时间及循环可靠性，需要一种方法及一种芯片上ECC算法来实现低功率设计及页面写入时间减少并改善装置可靠性。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种编码方法及一种使用所述编码方法的存储器存储装置，其中利用ECC算法来实作NVM翻转位写入功能，以减少写入时间、写入功率并改善可靠性。本专利技术的示例性实施例提供一种用于采用错误校正码(ECC)算法的存储器存储装置的编码方法。所述编码方法包括：接收包含写入地址及写入数据的写入命令；读取现有码字；将翻转位附加到所述写入数据；由ECC编码器基于默认ECC对所述写入数据及所述翻转位进行编码以产生多个奇偶校验位，并将所述写入数据及所述翻转位附加到所述多个奇偶校验位以产生新码字；基于所选位中从所述现有码字成为所述新码字需要改变的位数目来翻转所述新码字；以及将所述新码字及经翻转的所述新码字中的一者写入到所述写入地址。本专利技术的另一示例性实施例提供一种采用ECC算法的存储器存储装置。所述存储器存储装置包括连接接口、存储器阵列及存储器控制电路。所述连接接口被配置成耦合到主机系统。所述存储器控制电路耦合到所述连接接口及所述存储器阵列且被配置成响应于接收到包含写入地址及写入数据的写入命令而基于所述ECC算法来执行编码操作。所述编码操作包括：读取现有码字；将翻转位附加到所述写入数据；由ECC编码器基于所述ECC算法来对所述写入数据及所述翻转位进行编码以产生多个奇偶校验位，并将所述写入数据及所述翻转位附加到所述多个奇偶校验位以产生新码字；基于所选位中从所述现有码字成为所述新码字需要改变的位数目来翻转所述新码字；以及将所述新码字及经翻转的所述新码字中的一者写入到所述写入地址。基于以上内容，通过采用本专利技术中所提供的编码方法及存储器存储装置，响应于接收到写入命令，对写入数据进行编码并与写入地址中的或具有预定义模式的现有码字进行比较以确定写入时需要改变的位数目。基于所确定数目来选择性地翻转经编码码字的位，并将指示位翻转的至少一个翻转位添加到码字。因此，写入时的位改变数目可减少，且写入时间及功率可减少。为使本专利技术的上述特征及优点更易理解，下面结合附图详细地阐述若干实施例。附图说明包含附图是为了提供对本专利技术的进一步理解，并且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本专利技术的实施例，并且与本说明一起用于解释本专利技术的原理。图1是示出根据本专利技术实施例的存储器存储装置的示意性框图。图2是示出根据本专利技术实施例用于存储器存储装置的编码方法的流程图。图3是示出根据本专利技术另一实施例采用通过BCH(51,33,7)修改的ECC算法的编码方法的示意图。图4是示出根据本专利技术另一实施例采用通过BCH(51,33,7)修改的ECC算法的编码方法的示意图。图5是示出根据本专利技术另一实施例采用通过BCH(51,33,7)修改的ECC算法的编码方法的示意图。图6是示出根据本专利技术另一实施例采用通过BCH(51,33,7)修改的ECC算法的编码方法的示意图。图7是示出根据本专利技术实施例用于存储器存储装置的编码方法的流程图。图8是示出根据本专利技术另一实施例采用通过BCH(52,34,7)修改的ECC算法的编码方法的示意图。符号的说明100：存储器存储装置110：连接接口130：存储器控制电路/存储器控制电路单元131：错误校正码(ECC)编码器150：存储器阵列CW：51位码字/51位新码字EC1、EC2、EC4：51位现有码字/现有码字EC3：现有码字EC3a：现有码字的偶数位EC3b：现有码字的奇数位f1：翻转位m1～m32：写入数据Mp：矩阵NC1、NC2、NC4：51位新码字/新码字NC1’、NC2’、NC3a’、NC3b’、NC4’：经翻转新码字NC3：52位新码字/新码字NC3a：新码字的偶数位NC3b：新码字的奇数位OD：33位数据p1～p18：元素PD：18位奇偶校验数据S202、S204、S206、S208、S702、S704、S706、S708、S710、S712、S714、S716、S718、S720、S722：步骤具体实施方式现在将详细参照本专利技术的优选实施例，在附图中示出所述优选实施例的实例。在附图及说明中，尽可能地使用相同参考编号来指代相同或类似的部件。参照图1，存储器存储装置100包括连接接口110、存储器控制电路130及存储器阵列150。在一个实施例中，存储器存储装置100是可重写非易失性存储器，且存储器阵列150包括多个可重写非易失性存储器胞元。在一个实施例中，连接接口110被配置成通过串行高级技术附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment，SATA)标准耦合到主机系统(图中未示出)。在其他实施例中，连接接口110可符合并行高级技术附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment，PATA)标准、电气与电子工程师学会(InstituteofElectricalandElectronicEngineers，IEEE)1394标准、或其他适合的标准，这在本专利技术并不受限。在一个实施例中，连接接口110可与存储器控制电路单元130封装在一个芯片中，或者被放置在具有存储器控制电路单元130的芯片之外。存储器控制电路130耦合到连接接口110及存储器阵列150，且被配置成执行多个逻辑门或控制命令，所述逻辑门或控制命令是以硬件形式或以固件形式来实作并根据主机系统的命令而在存储器阵列150中执行例如数据写入、读取或擦除等操作。在一个实施例中，存储器存储装置100是采用ECC算法的可重写NVM，其中存储器控制电路130进一步包括ECC编码器131，ECC编码器131使用所述ECC算法来对通过连接接口110接收的数据进行编码以产生码字并将所述码字写入到存储器阵列150中。应注意，在本专利技术中，通过所述ECC算法产本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于采用错误校正码算法的存储器存储装置的编码方法，包括：/n接收包含写入地址及写入数据的写入命令；/n读取现有码字；/n将翻转位附加到所述写入数据；/n由错误校正码编码器基于所述错误校正码算法对所述写入数据及所述翻转位进行编码以产生多个奇偶校验位，并将所述写入数据及所述翻转位附加到所述多个奇偶校验位以产生新码字；/n基于所选位中从所述现有码字成为所述新码字需要改变的位数目来翻转所述新码字；以及/n将所述新码字及经翻转的所述新码字中的一者写入到所述写入地址。/n

【技术特征摘要】
20180713 US 16/034,3651.一种用于采用错误校正码算法的存储器存储装置的编码方法，包括：
接收包含写入地址及写入数据的写入命令；
读取现有码字；
将翻转位附加到所述写入数据；
由错误校正码编码器基于所述错误校正码算法对所述写入数据及所述翻转位进行编码以产生多个奇偶校验位，并将所述写入数据及所述翻转位附加到所述多个奇偶校验位以产生新码字；
基于所选位中从所述现有码字成为所述新码字需要改变的位数目来翻转所述新码字；以及
将所述新码字及经翻转的所述新码字中的一者写入到所述写入地址。


2.根据权利要求1所述的编码方法，其中如果将改变的所述位数目与将不改变的位数目相同，则不执行位翻转。


3.根据权利要求1所述的编码方法，其中所述现有码字及所述新码字中的任一码字的一的补数也为码字。


4.根据权利要求1所述的编码方法，其中所述现有码字及所述新码字中的每一码字包括第一翻转位且进一步包括第二翻转位，所述第一翻转位包含在所述码字的第一部分中，所述第二翻转位包含在所述码字的第二部分中。


5.根据权利要求4所述的编码方法，其中所述新码字及所述现有码字中的任一码字的所述第一部分或所述第二部分的一的补数也为码字。


6.根据权利要求4所述的编码方法，其中在所述第一部分及所述第二部分中的每一部分中，如果将改变的所述位数目与将不改变的位数目相同，则不执行位翻转。


7.根据权利要求1所述的编码方法，其中所述所选位是所述奇偶校验...

【专利技术属性】
技术研发人员：连存德，谢明辉，林纪舜，张雅廸，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71