光刻系统技术方案

本公开提供多种半导体系统、设备及方法。在一实施例中，极紫外光光刻系统包括：基板台，配置以将基板固定在第一垂直高度，其中基板上沉积有光刻胶层；至少一电极，位于第一垂直高度上方的第二垂直高度；以及电源，配置以在前述至少一电极与基板台上施加电场，包括当基板固定在基板台上时电场跨越光刻胶层的厚度。

lithography system

【技术实现步骤摘要】
光刻系统
本专利技术实施例涉及一种半导体技术，特别涉及一种光刻系统及方法。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit，IC)产业经历了指数级的成长。在集成电路材料及设计上的技术进步下，产生了多个世代的集成电路，其中每一世代相较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，功能密度(即，每一芯片区域内互连元件的数目)通常增加，而几何尺寸(即，工艺中所能产出的最小构件(或者线))则缩小。尺寸缩小的工艺通常提供生产效率增加及制造成本降低的好处。这种尺寸缩小也增加了加工及制造集成电路的复杂性，并且为了实现这些进步，需要在集成电路加工及制造方面进行类似的开发，例如，极紫外光(extremeultraviolet，EUV)光刻已成为实现高分辨率光刻工艺的重要技术。虽然现有的极紫外光光刻设备及方法通常是足够的，但它们仍无法在各个方面令人满意，例如，来自极紫外光光刻系统的极紫外光可能在光刻胶层中产生电子模糊(electronblur)。因此，需要在这方面进行改进。
技术实现思路
本公开一些实施例提供一种极紫外光光刻系统，包括：基板台，配置以将基板固定在一第一垂直高度，其中基板上沉积有光刻胶层；至少一电极，位于第一垂直高度上方的第二垂直高度；以及电源，配置以在前述至少一电极与基板台上施加电场，包括当基板固定在基板台上时电场跨越光刻胶层的厚度。本公开一些实施例提供一种设备，用于在使用极紫外光辐射源的光刻操作期间在基板的厚度上施加偏压，所述设备包括：基板台，配置以将基板固定在其上；上电极，位于基板台上方；下电极，位于基板台下方；以及电源，配置以在上电极与下电极之间以及跨越基板台施加电场，包括当基板固定在基板台上时电场跨越光刻胶层的厚度。本公开一些实施例提供一种用于执行光刻的方法，包括：将基板固定在基板台上，其中基板上沉积有光刻胶层；在光刻胶层上照射极紫外光辐射；以及与照射极紫外光辐射同时，通过使用电源施加跨越光刻胶层的厚度的电场。附图说明当阅读说明书附图时，从以下的详细描述能最佳地理解本公开的各方面。应注意的是，依据业界的标准做法，各种特征并未按照比例示出且仅用于说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以清楚地表现本公开实施例的特征。图1A-1是根据本公开一些实施例的光刻系统的示意性示意图。图1A-2是根据本公开另一些实施例的光刻系统的示意性示意图。图1B-1是根据本公开一些实施例的光刻系统的示意性示意图。图1B-2是根据本公开另一些实施例的光刻系统的示意性示意图。图1C-1是根据本公开一些实施例的光刻系统的示意性示意图。图1C-2是根据本公开另一些实施例的光刻系统的示意性示意图。图2A是根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层的示意性截面图，其中电场被关闭。图2B是根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层中的二次电子分布的示意性截面图，其中电场被关闭。图3是根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层中的二次电子分布的示意性顶视图，其中电场被关闭。图4A显示根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层的示意性截面图。图4B显示根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层中的二次电子分布的示意性截面图。图5显示根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层中的散射电子分布的示意性顶视图。图6A显示根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层的示意性截面图。图6B显示根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层中的二次电子分布的示意性截面图。图6C显示根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层中的二次电子分布的示意性截面图。图6D显示根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层中的二次电子分布的示意性截面图。图7是显示根据本公开一些实施例的与光刻系统一起使用的交流(alternatingcurrent，AC)波形的示意图。图8A显示根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层的示意性截面图。图8B显示根据本公开一些实施例的光刻系统中被极紫外光辐射的光刻胶层中的二次电子分布的示意性截面图。图9是根据本公开一些实施例的方法的流程图。附图标记说明：100～光刻系统；102～辐射源/辐射源容器；104～照明器；106～遮罩台；108～遮罩；110～投射光学盒；112～度量系统；114～基板/半导体基板；115～特征；116～基板台/晶圆台；120～电极/上电极；121～电极/下电极；122～电极；1220～通孔；123～电极；124～区域；125～导电金属丝网；132～投射透镜；134～投射透镜；136～极紫外光/极紫外光辐射；138～目标曝光区域；140～电源；160～光刻系统；180～光刻系统；185～代表方向；200～光刻胶层；250～电子；260～二次电子；300～二次电子分布；400～二次电子；500～分布；600～二次电子；700～波形；710～峰到峰振幅；720～直流偏移；800～二次电子；900～方法；902、904、906、908、910～方块；A～角度；T～厚度；E1～直流电场；E2～交流电场；E3～电场；H0～垂直高度；H1～垂直高度；H2～垂直高度；PPW～正相脉冲宽度；NPW～负相脉冲宽度。具体实施方式以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下描述具体的构件及其排列方式的实施例以阐述本公开。当然，这些实施例仅作为范例，而不该以此限定本公开的范围。例如，在说明书中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，其可能包含第一特征与第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于第一特征与第二特征之间，而使得第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，在本公开不同范例中可能使用重复的参考符号及/或标记，这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的各个实施例及/或结构之间有特定的关系。此外，在下面公开中描述了一特征形成于、连接到及/或耦合至另一特征上，其可能包括该些特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于该些特征之间，而使得该些特征可能未直接接触的实施例。再者，使用空间相关用词，例如“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“在...上方”、“上方”、“下方”、“在…下方”、“上”、“下”、“本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻系统，包括：/n一基板台，配置以将一基板固定在一第一垂直高度，其中该基板上沉积有一光刻胶层；/n至少一电极，位于该第一垂直高度上方的一第二垂直高度；以及/n一电源，配置以在该至少一电极与该基板台上施加一电场，包括当该基板固定在该基板台上时电场跨越该光刻胶层的一厚度。/n

【技术特征摘要】
20180713 US 16/035,3541.一种光刻系统，包括：
一基板台，配置以将一基板固定在一第一垂直高度，其中该基板上沉积有一光...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁明晖，吴承翰，张庆裕，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71