【技术实现步骤摘要】
图案化非对称化学强化相关申请的交叉引用本专利申请为2018年7月13日提交的名称为“PatternedAsymmetricChemicalStrengthening”的美国临时专利申请No.62/697,933的非临时专利申请并且要求该临时专利申请的权益,该申请的公开内容全文并入本文。
所描述的实施方案大体涉及玻璃制品的非对称化学强化。更具体地,本公开的实施方案涉及在至少一个局部区域上具有增加的压缩深度的图案化非对称化学强化。
技术介绍
用于小形状因数设备的覆盖窗口和显示器通常由玻璃制成。玻璃虽然透明且耐刮擦,但易碎并易受冲击破坏。在这些玻璃部件中设置合理强度水平对于降低玻璃部件破坏以及因此降低设备故障的可能性而言是至关重要的。化学强化已经用于增加玻璃部件的强度。典型的化学强化依赖于在玻璃部件的整个表面上的压缩应力的均匀和对称的增加。事实证明,此类强化过程可有效降低玻璃部件的一定程度的破坏。近来,非对称化学强化已被确定为一种用于在玻璃部件的局部有问题区域处增加压缩应力的深度的方法。玻璃部件中的压缩应力的增加深度为该区域提供了更好的保护以防止冲击相关的破坏。然而,由于局部的较高压缩,非对称的化学强化(除其他因素之外)可导致玻璃部件的翘曲,当玻璃部件具有用于小形状器件的厚度和组成时,这种情况可能会加剧。这样,虽然常规的对称和非对称的化学强化是有效的,但仍然需要提供用于强化玻璃,特别是薄玻璃的改进和替代性方式。
技术实现思路
本文描述的各种实施方案包括非对称强化玻璃制品。 ...
【技术保护点】
1.一种用于电子设备的覆盖玻璃,所述覆盖玻璃包括:/n前表面;/n第一压缩应力区域,所述第一压缩应力区域从所述前表面延伸到所述覆盖玻璃中至第一深度;/n第二压缩应力区域,所述第二压缩应力区域从所述前表面延伸到所述覆盖玻璃中至第二深度,所述第二深度小于所述第一深度;/n后表面,所述后表面与所述前表面相反;/n第三压缩应力区域,所述第三压缩应力区域从所述后表面朝向所述第一压缩应力区域延伸,并延伸到所述覆盖玻璃中至第三深度;和/n第四压缩应力区域,所述第四压缩应力区域从所述后表面朝向所述第二压缩应力区域延伸,并延伸到所述覆盖玻璃中至第四深度,所述第四深度大于所述第三深度。/n
【技术特征摘要】
20180713 US 62/697,933;20190130 US 16/262,8131.一种用于电子设备的覆盖玻璃,所述覆盖玻璃包括:
前表面;
第一压缩应力区域,所述第一压缩应力区域从所述前表面延伸到所述覆盖玻璃中至第一深度;
第二压缩应力区域,所述第二压缩应力区域从所述前表面延伸到所述覆盖玻璃中至第二深度,所述第二深度小于所述第一深度;
后表面,所述后表面与所述前表面相反;
第三压缩应力区域,所述第三压缩应力区域从所述后表面朝向所述第一压缩应力区域延伸,并延伸到所述覆盖玻璃中至第三深度;和
第四压缩应力区域,所述第四压缩应力区域从所述后表面朝向所述第二压缩应力区域延伸,并延伸到所述覆盖玻璃中至第四深度,所述第四深度大于所述第三深度。
2.根据权利要求1所述的覆盖玻璃,还包括:
定位在所述第一压缩应力区域和所述第三压缩应力区域之间的第一拉伸应力区域;和
定位在所述第二压缩应力区域和所述第四压缩应力区域之间的第二拉伸应力区域。
3.根据权利要求2所述的覆盖玻璃,其中所述第一拉伸应力区域的第一中心线相对于所述第二拉伸应力区域的第二中心线偏移。
4.根据权利要求1所述的覆盖玻璃,其中:
所述第二压缩应力区域至少部分地围绕所述第一压缩应力区域;和
所述第四压缩应力区域至少部分地围绕所述第三压缩应力区域。
5.根据权利要求1所述的覆盖玻璃,其中:
所述第一深度约等于所述第四深度;并且
所述第二深度约等于所述第三深度。
6.根据权利要求1所述的覆盖玻璃,其中:
所述覆盖玻璃限定四个拐角区域;并且
所述第一压缩应力区域和所述第三压缩应力区域至少部分地位于所述覆盖玻璃的所述四个拐角区域中的一个拐角区域内。
7.根据权利要求1所述的覆盖玻璃,其中:
所述覆盖玻璃限定矩形外周边区域;
所述第一压缩应力区域和所述第三压缩应力区域至少部分地位于所述矩形外周边区域内;并且
所述第一压缩应力区域至少部分地围绕所述第二压缩应力区域。
8.一种电子设备,包括:
显示器;和
壳体,所述壳体至少部分地围绕所述显示器并且包括:
第一局部压缩应力区域,所述第一局部压缩应力区域从所述壳体的前表面延伸到所述壳体中至第一深度;
第二局部压缩应力区域,所述第二局部压缩应力区域相邻于所述第一局部压缩应力区域并且从所述前表面延伸到所述壳体中至第二深度,所述第二深度小于所述第一深度;和
后局部压缩应力区域,所述后局部压缩应力区域从所述壳体的后表面朝向所述第二局部压缩应力区域延伸到所述壳体中。
9.根据权利要求8所述的电子设备,其中:
所述后局部压缩应力区域为第三局部压缩应力区域;
所述壳体还包括相邻于所述第三局部压缩应力区域定位并且朝向所述第一局部压缩应力区域延伸的第四局部压缩应力区域;
第一拉伸应力区域定位在所述第一局部压缩应力区域和所述第四局部压缩应力区域之间;并且
第二拉伸应力区域定位在所述第二局部压缩应力区域和所述第三局部压缩应力区域之间。
10.根据权利要求9所述的电子设备,其中所述第三局部压缩...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·R·威尔森,C·D·琼斯,C·C·巴特洛,A·R·多安,
申请(专利权)人:苹果公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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