一种检测基板及其制作方法、检测方法技术

一种检测基板及其制作方法、检测方法，其中，检测基板用于检测原始基板上的多个发光元件，检测基板包括：基底以及设置在基底上的多个检测结构，至少一个检测结构包括：转移器件和驱动器件；检测基板还包括：分别与转移器件和驱动器件电连接的处理器件；驱动器件用于在处理器件提供的电信号的控制下，驱动发光元件发光；转移器件用于在处理器件提供的电信号的控制下，从原始基板上拾取发光元件，并带动发光元件移动，直至发光元件与驱动器件电连接；处理器件，用于分别向驱动器件和转移器件提供电信号，并检测发光元件的发光状态。本申请提供的检测基板能够实现对发光元件的自动检测，提高了Micro LED的检测效率。

A testing substrate and its manufacturing method and testing method

【技术实现步骤摘要】
一种检测基板及其制作方法、检测方法
本文涉及显示
，具体涉及一种检测基板及其制作方法、检测方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)技术发展了近三十年，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。随着芯片制作及封装技术的发展，次微型发光二极管(MicroLightEmittingDiode，MicroLED)显示逐渐成为显示面板的一个热点。其中，MicroLED显示具有低功耗、高色域、超高分辨率、超薄等显著优势，有望成为替代有机发光二极管显示(OrganicLightEmittingDiode，OLED)的更优显示技术。MicroLED显示器就是MicroLED阵列，即将多个MicroLED巨量转移到电路基板上。相关技术中，将MicroLED巨量转移到电路基板之后，还会进行加电测试，而在加电测试后，由人工对MicroLED进行亮度检测，使得MicroLED的检测效率较低。
技术实现思路
本申请提供了一种检测基板及其制作方法、检测方法，能够解决MicroLED的检测效率较低的技术问题。第一方面，本申请提供了一种检测基板，用于检测原始基板上的多个发光元件，所述检测基板包括：基底以及设置在所述基底上的多个检测结构，至少一个检测结构包括：转移器件和驱动器件；所述检测基板还包括：分别与所述转移器件和所述驱动器件电连接的处理器件；所述驱动器件用于在所述处理器件提供的电信号的控制下，驱动所述发光元件发光；所述转移器件用于在所述处理器件提供的电信号的控制下，从所述原始基板上拾取发光元件，并带动所述发光元件移动，直至发光元件与驱动器件电连接；所述处理器件，用于分别向所述驱动器件和所述转移器件提供电信号，并检测所述发光元件的发光状态。可选地，所述处理器件还用于在发光元件的发光状态正常时，改变提供在所述转移器件的电信号，使得所述转移器件将所述发光元件释放至所述驱动器件上；或者，在发光元件的发光状态不正常时，改变提供在所述转移器件的电信号，使得所述转移器件带动所述发光元件远离所述驱动器件。可选地，所述驱动器件包括：第一晶体管、和驱动电极，驱动电极包括：第一驱动电极和第二驱动电极；所述第一驱动电极和所述第二驱动电极同层设置，且设置在第一晶体管远离所述基底的一侧；所述第二驱动电极和第一晶体管分别与处理器件连接，所述第一驱动电极与第一晶体管连接；所述第一驱动电极和所述第二驱动电极为金属电极。可选地，所述转移器件包括：第二晶体管、形变层、第一电极、第二电极和第三电极；所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极位于所述第二晶体管远离所述基底的一侧，且沿目标方向设置；所述第一电极位于所述第二电极和所述第三电极之间；所述第二电极和所述第三电极同层设置，所述第二电极与所述第一驱动电极同层设置；所述目标方向为所述第一晶体管和所述第二晶体管的设置方向；所述形变层位于所述第一电极远离所述基底的一侧，用于带动所述第一电极发生形变；所述第二电极、第三电极和第二晶体管分别与处理器件连接，所述第一电极与第二晶体管连接；所述第一电极、第二电极和第三电极为金属电极。可选地，所述第一电极包括：连接电极和与所述连接电极连接的吸附电极；所述检测基板还包括：绝缘层；所述连接电极与所述第二电极同层设置；所述绝缘层设置在所述连接电极远离所述基底的一侧，所述吸附电极设置在所述绝缘层远离所述基底的一侧；所述吸附电极的初始状态为卷曲状态；所述绝缘层在基底上的正投影覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极在基底上的正投影，且与所述驱动器件在基底上的正投影不存在重叠区域；所述形变层具体用于带动所述吸附电极发生卷曲。可选地，所述吸附电极包括：一体成型的形变部和吸附部；所述形变部在所述基底上的正投影与所述形变层在所述基底上的正投影重合，所述吸附部在基底上的正投影与所述形变层在基底上的正投影不存在重叠区域，且用于拾取所述发光元件。可选地，所述转移器件还包括：减粘层；所述减粘层位于所述吸附电极和所述绝缘层之间，用于在所述形变层带动吸附电极发生卷曲时，减少所述吸附电极与所述绝缘层之间的粘附力。可选地，所述第二电极与所述第一电极之间的沿目标方向的距离小于所述第二电极与所述驱动电极之间的沿目标方向的距离。可选地，所述形变层的制作材料包括：聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。第二方面，本申请还提供一种检测基板的制作方法，用于制作上述检测基板，所述方法包括：提供一基底；在基底上形成多个检测结构和处理器件。可选地，所述在基底上形成多个检测结构包括：在基底上形成包括第一晶体管和第二晶体管的薄膜晶体管层；在所述薄膜晶体管层远离基底的一侧形成包括第一驱动电极、第二驱动电极、第二电极、第三电极和连接电极的金属层；在所述金属层远离基底的一侧依次形成绝缘层和减粘层；在所述减粘层远离基底的一侧形成吸附电极，以形成初始检测基板；以烘烤温度为100～250摄氏度，烘烤时间为2～4小时对所述初始检测基板进行烘烤；对烘烤后的初始检测基板进行降温固化，形成检测基板。第三方面，本申请实施例还提供一种采用上述检测基板的检测方法，所述方法包括：向转移器件提供电信号，以使得转移器件从原始基板上拾取发光元件，并带动所述发光元件移动，直至发光元件与驱动器件电连接；向驱动器件提供电信号，以使得驱动器件驱动所述发光元件发光；检测所述发光元件的发光状态。可选地，所述方法还包括：在发光元件的发光状态正常时，改变提供在所述转移器件的电信号，使得所述转移器件将所述发光元件释放至所述驱动器件上；或者，在发光元件的发光状态不正常时，改变提供在所述转移器件的电信号，使得所述转移器件带动所述发光元件远离所述驱动器件。可选地，所述转移器件包括：第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极包括连接电极和吸附电极，所述吸附电极的初始状态为卷曲状态，所述转移器件提供电信号包括：向第一电极提供第一电信号，向第三电极提供第二电信号，以使得吸附电极在第一电极和第三电极的引力的作用下从原始基板上拾取发光元件；所述第一电信号和所述第二电信号的电性相反；去掉第三电极上的第二电信号，使得吸附电极带动发光元件恢复初始状态；向第二电极提供第三电信号，以使得吸附电极在第一电极和第二电极的引力的作用下带动所述发光元件移动，直至发光元件与驱动器件电连接；所述第三电信号与所述第一电信号的电性相反。可选地，所述在发光元件的发光状态正常时，改变提供在所述转移器件的电信号包括：去掉第一电极上的第一电信号，使得所述吸附电极将所述发光元件释放至所述驱动器件上；所述在发光元件的发光状态不正常时，改变提供在所述转移器件的电信号包括：...

【技术保护点】
1.一种检测基板，其特征在于，用于检测原始基板上的多个发光元件，所述检测基板包括：基底以及设置在所述基底上的多个检测结构，至少一个检测结构包括：转移器件和驱动器件；所述检测基板还包括：分别与所述转移器件和所述驱动器件电连接的处理器件；/n所述驱动器件用于在所述处理器件提供的电信号的控制下，驱动所述发光元件发光；/n所述转移器件用于在所述处理器件提供的电信号的控制下，从所述原始基板上拾取发光元件，并带动所述发光元件移动，直至发光元件与驱动器件电连接；/n所述处理器件，用于分别向所述驱动器件和所述转移器件提供电信号，并检测所述发光元件的发光状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种检测基板，其特征在于，用于检测原始基板上的多个发光元件，所述检测基板包括：基底以及设置在所述基底上的多个检测结构，至少一个检测结构包括：转移器件和驱动器件；所述检测基板还包括：分别与所述转移器件和所述驱动器件电连接的处理器件；
所述驱动器件用于在所述处理器件提供的电信号的控制下，驱动所述发光元件发光；
所述转移器件用于在所述处理器件提供的电信号的控制下，从所述原始基板上拾取发光元件，并带动所述发光元件移动，直至发光元件与驱动器件电连接；
所述处理器件，用于分别向所述驱动器件和所述转移器件提供电信号，并检测所述发光元件的发光状态。


2.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述处理器件还用于在发光元件的发光状态正常时，改变提供在所述转移器件的电信号，使得所述转移器件将所述发光元件释放至所述驱动器件上；
或者，在发光元件的发光状态不正常时，改变提供在所述转移器件的电信号，使得所述转移器件带动所述发光元件远离所述驱动器件。


3.根据权利要求1或2所述的检测基板，其特征在于，所述驱动器件包括：第一晶体管和驱动电极，所述驱动电极包括：第一驱动电极和第二驱动电极；
所述第一驱动电极和所述第二驱动电极同层设置，且设置在第一晶体管远离所述基底的一侧；
所述第二驱动电极和所述第一晶体管分别与处理器件连接，所述第一驱动电极与第一晶体管连接；
所述第一驱动电极和所述第二驱动电极为金属电极。


4.根据权利要求3所述的检测基板，其特征在于，所述转移器件包括：第二晶体管、形变层、第一电极、第二电极和第三电极；
所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极位于所述第二晶体管远离所述基底的一侧，且沿目标方向设置；所述第一电极位于所述第二电极和所述第三电极之间；所述第二电极和所述第三电极同层设置，所述第二电极与所述第一驱动电极同层设置；所述目标方向为所述第一晶体管和所述第二晶体管的设置方向；
所述形变层位于所述第一电极远离所述基底的一侧，用于带动所述第一电极发生形变；
所述第二电极、第三电极和第二晶体管分别与处理器件连接，所述第一电极与第二晶体管连接；
所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极为金属电极。


5.根据权利要求4所述的检测基板，其特征在于，所述第一电极包括：连接电极和与所述连接电极连接的吸附电极；所述检测基板还包括：绝缘层；
所述连接电极与所述第二电极同层设置；所述绝缘层设置在所述连接电极远离所述基底的一侧，所述吸附电极设置在所述绝缘层远离所述基底的一侧；所述吸附电极的初始状态为卷曲状态；
所述绝缘层在基底上的正投影覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极在基底上的正投影，且与所述驱动器件在基底上的正投影不存在重叠区域；
所述形变层具体用于带动所述吸附电极发生卷曲。


6.根据权利要求5所述的检测基板，其特征在于，所述吸附电极包括：一体成型的形变部和吸附部；
所述形变部在所述基底上的正投影与所述形变层在所述基底上的正投影重合，所述吸附部在基底上的正投影与所述形变层在基底上的正投影不存在重叠区域，且用于拾取所述发光元件。


7.根据权利要求5所述的检测基板，其特征在于，所述转移器件还包括：减粘层；
所述减粘层位于所述吸附...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋晓欣，吕志军，姚琪，张锋，刘文渠，董立文，崔钊，孟德天，王利波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11