空调扇控制电路制造技术

本发明专利技术提供空调扇控制电路，其包括电阻R1（1）、热敏电阻RT1（2）、电阻R2（3）、NPN三极管Q1（3）、电阻R3（5）、N沟道MOSFET Q3（6）、电热丝OV1（7）、PNP三极管Q2（8）、电阻R4（9）、N沟道MOSFET Q4（10）、电机M1（11）、电容C1（12）、电阻R5（13）、电机M2（14）、电容C2（15）。本发明专利技术温度低时热敏电阻RT1（2）阻值升高，NPN三极管Q1（3）导通，N沟道MOSFET Q3（6）导通，电热丝OV1（7）工作，电机M2（14）带动风扇将热风吹响外面；温度高时热敏电阻RT1（2）阻值降低，NPN三极管Q2（8）导通，N沟道MOSFET Q4（10）导通，电机M1（11）带动风扇转动把冰盘低温吹向机器内部，再由电机M2（14）带动风扇将冷风吹响外面。加热、降温效果均好。

Air conditioning fan control circuit

【技术实现步骤摘要】
空调扇控制电路
本专利技术涉及空调扇控制电路，属于电子

技术介绍
目前，空调扇因为经济实惠，价格相对空调便宜很多，在家庭中很普及，但是总体来说价格比电扇贵很多，能否推出与电扇价格差不多的空调扇就是放在研发人员眼前的一个难题。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述问题，提供了空调扇控制电路。该电路设计非常简洁，以很少的器件、极小的体积、极低的成本实现了空调扇控制电路，使用该电路后空调扇价格明显下降，在保证空调扇基本功能的情况下，能降低控制板成本50%以上。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：其包括电阻R1（1）、热敏电阻RT1（2）、电阻R2（3）、NPN三极管Q1（3）、电阻R3（5）、N沟道MOSFETQ3（6）、电热丝OV1（7）、PNP三极管Q2（8）、电阻R4（9）、N沟道MOSFETQ4（10）、电机M1（11）、电容C1（12）、电阻R5（13）、电机M2（14）、电容C2（15）；所述专利技术温度低时热敏电阻RT1（2）阻值升高，NPN三极管Q1（3）导通，N沟道MOSFETQ3（6）导通，电热丝OV1（7）工作，电机M2（14）带动风扇将热风吹响外面；温度高时热敏电阻RT1（2）阻值降低，NPN三极管Q2（8）导通，N沟道MOSFETQ4（10）导通，电机M1（11）带动风扇转动把冰盘低温吹向机器内部，再由电机M2（14）带动风扇将冷风吹响外面。加热、降温效果均好。进一步地，所述+5VDC接电阻R1（1）下端、电阻R2（3）上端、NPN三极管Q1（3）集电极、PNP三极管Q2（8）发射极；所述电阻R1（1）上端接热敏电阻RT1（2）上端、NPN三极管Q1（3）基极、PNP三极管Q2（8）基极；所述电阻R3（5）下端接电阻R2（3）下端；所述NPN三极管Q1（3）发射极接电阻R4（9）上端、N沟道MOSFETQ3（6）栅极；所述PNP三极管Q2（8）集电极接电阻R5（13）上端、N沟道MOSFETQ4（10）栅极；所述+24VDC接电热丝OV1（7）上端、电机M1（11）右端、电容C1（12）右端、电机M2（14）上端、电容C2（15）上端；所述N沟道MOSFETQ3（6）漏级接电热丝OV1（7）下端；所述N沟道MOSFETQ4（10）漏级接电机M1（11）左端、电容C1（12）左端；所述地接热敏电阻RT1（2）下端、电阻R3（5）上端、电阻R4（9）下端、电阻R5（13）下端、N沟道MOSFETQ3（6）源极、N沟道MOSFETQ4（10）源极、电机M2（14）下端、电容C2（15）下端。所述热敏电阻RT1（2）的型号为负温度系数22k热敏电阻。所述NPN三极管Q1（3）的型号为2N3711。所述PNP三极管Q2（8）的型号为2N3703。所述N沟道MOSFETQ3（6）、N沟道MOSFETQ4（10）的型号为2N6660。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术以极低的成本，实现了空调扇功能，性价比极高，能有效降低空调扇价格，有非常高的推广使用价值。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出，创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，电阻R1（1）、热敏电阻RT1（2）、电阻R2（3）、NPN三极管Q1（3）、电阻R3（5）、N沟道MOSFETQ3（6）、电热丝OV1（7）、PNP三极管Q2（8）、电阻R4（9）、N沟道MOSFETQ4（10）、电机M1（11）、电容C1（12）、电阻R5（13）、电机M2（14）、电容C2（15）。所述专利技术温度低时热敏电阻RT1（2）阻值升高，NPN三极管Q1（3）导通，N沟道MOSFETQ3（6）导通，电热丝OV1（7）工作，电机M2（14）带动风扇将热风吹响外面；温度高时热敏电阻RT1（2）阻值降低，NPN三极管Q2（8）导通，N沟道MOSFETQ4（10）导通，电机M1（11）带动风扇转动把冰盘低温吹向机器内部，再由电机M2（14）带动风扇将冷风吹响外面。加热、降温效果均好。所述+5VDC接电阻R1（1）下端、电阻R2（3）上端、NPN三极管Q1（3）集电极、PNP三极管Q2（8）发射极；所述电阻R1（1）上端接热敏电阻RT1（2）上端、NPN三极管Q1（3）基极、PNP三极管Q2（8）基极；所述电阻R3（5）下端接电阻R2（3）下端；所述NPN三极管Q1（3）发射极接电阻R4（9）上端、N沟道MOSFETQ3（6）栅极；所述PNP三极管Q2（8）集电极接电阻R5（13）上端、N沟道MOSFETQ4（10）栅极；所述+24VDC接电热丝OV1（7）上端、电机M1（11）右端、电容C1（12）右端、电机M2（14）上端、电容C2（15）上端；所述N沟道MOSFETQ3（6）漏级接电热丝OV1（7）下端；所述N沟道MOSFETQ4（10）漏级接电机M1（11）左端、电容C1（12）左端；所述地接热敏电阻RT1（2）下端、电阻R3（5）上端、电阻R4（9）下端、电阻R5（13）下端、N沟道MOSFETQ3（6）源极、N沟道MOSFETQ4（10）源极、电机M2（14）下端、电容C2（15）下端。所述热敏电阻RT1（2）的型号为负温度系数22k热敏电阻。所述NPN三极管Q1（3）的型号为2N3711。所述PNP三极管Q2（8）的型号为2N3703。所述N沟道MOSFETQ3（6）、N沟道MOSFETQ4（10）的型号为2N6660。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.空调扇控制电路，其特征在于：包括电阻R1（1）、热敏电阻RT1（2）、电阻R2（3）、NPN三极管Q1（3）、电阻R3（5）、N沟道MOSFET Q3（6）、电热丝OV1（7）、PNP三极管Q2（8）、电阻R4（9）、N沟道MOSFET Q4（10）、电机M1（11）、电容C1（12）、电阻R5（13）、电机M2（14）、电容C2（15）；所述+5VDC接电阻R1（1）下端、电阻R2（3）上端、NPN三极管Q1（3）集电极、PNP三极管Q2（8）发射极；所述电阻R1（1）上端接热敏电阻RT1（2）上端、NPN三极管Q1（3）基极、PNP三极管Q2（8）基极；所述电阻R3（5）下端接电阻R2（3）下端；所述NPN三极管Q1（3）发射极接电阻R4（9）上端、N沟道MOSFET Q3（6）栅极；所述PNP三极管Q2（8）集电极接电阻R5（13）上端、N沟道MOSFET Q4（10）栅极；所述+24VDC接电热丝OV1（7）上端、电机M1（11）右端、电容C1（12）右端、电机M2（14）上端、电容C2（15）上端；所述N沟道MOSFET Q3（6）漏级接电热丝OV1（7）下端；所述N沟道MOSFET Q4（10）漏级接电机M1（11）左端、电容C1（12）左端；所述地接热敏电阻RT1（2）下端、电阻R3（5）上端、电阻R4（9）下端、电阻R5（13）下端、N沟道MOSFET Q3（6）源极、N沟道MOSFETQ4（10）源极、电机M2（14）下端、电容C2（15）下端；所述专利技术温度低时热敏电阻RT1（2）阻值升高，NPN三极管Q1（3）导通，N沟道MOSFET Q3（6）导通，电热丝OV1（7）工作，电机M2（14）带动风扇将热风吹响外面；温度高时热敏电阻RT1（2）阻值降低，NPN三极管Q2（8）导通，N沟道MOSFET Q4（10）导通，电机M1（11）带动风扇转动把冰盘低温吹向机器内部，再由电机M2（14）带动风将冷风吹响外面。/n...

【技术特征摘要】
1.空调扇控制电路，其特征在于：包括电阻R1（1）、热敏电阻RT1（2）、电阻R2（3）、NPN三极管Q1（3）、电阻R3（5）、N沟道MOSFETQ3（6）、电热丝OV1（7）、PNP三极管Q2（8）、电阻R4（9）、N沟道MOSFETQ4（10）、电机M1（11）、电容C1（12）、电阻R5（13）、电机M2（14）、电容C2（15）；所述+5VDC接电阻R1（1）下端、电阻R2（3）上端、NPN三极管Q1（3）集电极、PNP三极管Q2（8）发射极；所述电阻R1（1）上端接热敏电阻RT1（2）上端、NPN三极管Q1（3）基极、PNP三极管Q2（8）基极；所述电阻R3（5）下端接电阻R2（3）下端；所述NPN三极管Q1（3）发射极接电阻R4（9）上端、N沟道MOSFETQ3（6）栅极；所述PNP三极管Q2（8）集电极接电阻R5（13）上端、N沟道MOSFETQ4（10）栅极；所述+24VDC接电热丝OV1（7）上端、电机M1（11）右端、电容C1（12）右端、电机M2（14）上端、电容C2（15）上端；所述N沟道MOSFETQ3（6）漏级接电热丝OV1（7）下端；所述N沟道MOSFETQ4（10）漏级接电机M1（11）左端、电容C1（12）左端；所述地接热敏电阻RT1（2）...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊浩，胡鹏，张洋，温长康，
申请(专利权)人：昆明理工大学津桥学院，
类型：发明
国别省市：云南;53