一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜及制备方法技术

本发明专利技术属于有机高分子材料制备技术领域，尤其为一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜及制备方法，其方法包括：S1：原料准备：按以下重量份称取材料：芳香族二元胺1.5～1.8份、刚性芳香族二酐1.3～1.5份、芳香族二酐0.8～1.2份、对氨基苯基三甲氧基硅烷4～8份、芳香族四羧酸6～10份、六氟二酐6～9份、芳香族四羧酸二烷酯5～10份、二氨基二苯醚2～3份、均苯四甲酸酐2～6份和二甲基乙酰胺42～46份；S2：聚合：将称量得到的材料在低压、惰性气体保护条件下进行高温混合。本发明专利技术设计合理，能够制得兼具导电性和磁性的聚酰亚胺复合薄膜，以获得符合挠性印刷电路板基材使用要求的专用双向拉伸聚酰亚胺薄膜材料。

A biaxially stretched polyimide film for flexible PCB substrate and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜及制备方法
本专利技术涉及有机高分子材料制备
，尤其涉及一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜及制备方法。
技术介绍
目前国内生产双向拉伸聚酰亚胺薄膜的厂家大多采用非常原始的工艺技术，均采用二种原料一种溶剂的作法，即是由均苯四甲酸二酐和二氨基二苯醚在极强性溶剂二甲基乙酰胺中经缩聚并流涎成膜,再经亚胺化而成，例如，申请号为201110248294.6的中国专利公开了一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜及制备方法，方法主要包括如下步骤：1聚合；按如下配比进行聚酰亚胺酸原液的制备:对苯二胺1-5%，联苯四甲酸二酐2-8%，二氨基二苯醚5-10%，均苯四甲酸二酐8-15%，二甲基乙酰胺62-84%；2流涎成膜；3纵拉；拉伸比为1：1.02~1.15；4横拉及亚胺化：拉伸比为1：1.05~1.2；5切边收卷；6后处理；7分切包装。该技术可以获得符合挠性印刷电路板基材使用要求的专用双向拉伸聚酰亚胺薄膜材料。但是上述设计还存在不足之处，上述专利设计的聚酰亚胺薄膜制备方法制得的聚酰亚胺薄膜的导电性和磁性不够完美，不能很好的适应电路板的发展和性能需求，需要对此改进，因此我们提出了一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜及制备方法用于解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术的缺点，而提出的一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜及制备方法。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜，包括以下重量份的原料：芳香族二元胺1.5～1.8份、刚性芳香族二酐1.3～1.5份、芳香族二酐0.8～1.2份、对氨基苯基三甲氧基硅烷4～8份、芳香族四羧酸6～10份、六氟二酐6～9份、芳香族四羧酸二烷酯5～10份、二氨基二苯醚2～3份、均苯四甲酸酐2～6份和二甲基乙酰胺42～46份。优选的，挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜，包括以下重量份的原料：芳香族二元胺1.6～1.7份、刚性芳香族二酐1.35～1.45份、芳香族二酐0.9～1.1份、对氨基苯基三甲氧基硅烷5～7份、芳香族四羧酸7～9份、六氟二酐7～8份、芳香族四羧酸二烷酯6～9份、二氨基二苯醚2.3～2.7份、均苯四甲酸酐3～5份和二甲基乙酰胺43～45份。优选的，挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜，包括以下重量份的原料：芳香族二元胺1.5份、刚性芳香族二酐1.4份、芳香族二酐1份、对氨基苯基三甲氧基硅烷6份、芳香族四羧酸8份、六氟二酐7.5份、芳香族四羧酸二烷酯8份、二氨基二苯醚2.5份、均苯四甲酸酐4份和二甲基乙酰胺44份。本专利技术还提出了一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：原料准备：按以下重量份依次称取原材料：芳香族二元胺1.5～1.8份、刚性芳香族二酐1.3～1.5份、芳香族二酐0.8～1.2份、对氨基苯基三甲氧基硅烷4～8份、芳香族四羧酸6～10份、六氟二酐6～9份、芳香族四羧酸二烷酯5～10份、二氨基二苯醚2～3份、均苯四甲酸酐2～6份和二甲基乙酰胺42～46份，备用；S2：聚合：将S1中所述称量得到的芳香族二元胺、刚性芳香族二酐、芳香族二酐、对氨基苯基三甲氧基硅烷、芳香族四羧酸、六氟二酐、芳香族四羧酸二烷酯、二氨基二苯醚、均苯四甲酸酐和二甲基乙酰胺材料在低压、惰性气体保护条件下进行高温混合，得到聚合液，备用；S3：脱泡：在低压、高温条件下对S2中所述的聚合液进行脱泡和均衡化处理，得到聚酰亚胺原液，备用：S4：涂覆成膜：对支撑面进行预热除尘处理后，将S3中所述的聚酰亚胺原液在高温条件下涂覆在支撑面表面，得到原膜；S5：双向拉伸：将S4中所述的原膜投放到拉伸机内进行两次拉伸，然后对其进行阶梯式加热处理并去除水分，得到薄膜；S6：去边：将S5中所述的薄膜裁去5～10cm的边缘后进行水浴加热，得到聚酰亚胺原液成品。优选的，所述S2中，原材料在100kPa～200kPa、145～195℃条件下进行混合，且混合搅拌速率为25～35转/min。优选的，所述S2中，惰性气体选用氦气、氮气中的一种。优选的，所述S3中，聚合液在0～25kPa、190～220℃条件下进行脱泡工序。优选的，所述S4中，支撑面预热温度为370～395℃，聚酰亚胺原液的涂覆厚度为30～70μm。优选的，所述S5中，拉伸机对原膜进行两次相互垂直方向上的拉伸处理，阶梯式加热温度分别为：270～290℃、25～35min，290～390℃、10～25min，470～590℃、5～10min。优选的，所述S6中，水浴条件为：110～130kPa，102～105℃。本专利技术所述的挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜及制备方法，通过对芳香族二元胺、刚性芳香族二酐、芳香族二酐、对氨基苯基三甲氧基硅烷、芳香族四羧酸、六氟二酐、芳香族四羧酸二烷酯和二氨基二苯醚材料混合反应生成含氟联苯型聚酰胺酸溶液的高沸点质子惰性的溶剂中进行缩聚型聚酰亚胺合成反应；本专利技术所述的挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜及制备方法，通过对缩聚型聚酰亚胺进行高温酰亚胺化，得到聚酰亚胺原液之后在对其进行涂覆后加热，使聚酰胺酸亚胺化形成聚酰亚胺，同时末端硅烷脱水环化形成聚倍半硅氧烷，制得含氟联苯型聚酰亚胺/聚倍半硅氧烷薄膜，制得兼具导电性和磁性的聚酰亚胺复合薄膜，以获得符合挠性印刷电路板基材使用要求的专用双向拉伸聚酰亚胺薄膜材料。具体实施方式下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。实施例一一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜，包括以下重量份的原料：芳香族二元胺1.5份、刚性芳香族二酐1.3份、芳香族二酐0.8份、对氨基苯基三甲氧基硅烷4份、芳香族四羧酸6份、六氟二酐6份、芳香族四羧酸二烷酯份、二氨基二苯醚2份、均苯四甲酸酐2份和二甲基乙酰胺42份。本实施例还提出了一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：原料准备：按重量份依次称取原材料，备用；S2：聚合：将S1中所述称量得到的芳香族二元胺、刚性芳香族二酐、芳香族二酐、对氨基苯基三甲氧基硅烷、芳香族四羧酸、六氟二酐、芳香族四羧酸二烷酯、二氨基二苯醚、均苯四甲酸酐和二甲基乙酰胺材料在低压、惰性气体保护条件下进行高温混合，得到聚合液，备用；S3：脱泡：在低压、高温条件下对S2中所述的聚合液进行脱泡和均衡化处理，得到聚酰亚胺原液，备用：S4：涂覆成膜：对支撑面进行预热除尘处理后，将S3中所述的聚酰亚胺原液在高温条件下涂覆在支撑面表面，得到原膜；S5：双向拉伸：将S4中所述的原膜投放到拉伸机内进行两次拉伸，然后对其进行阶梯式加热处理并去除水分，得到薄膜；S6：去边：将S5中所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包括以下重量份的原料：芳香族二元胺1.5～1.8份、刚性芳香族二酐1.3～1.5份、芳香族二酐0.8～1.2份、对氨基苯基三甲氧基硅烷4～8份、芳香族四羧酸6～10份、六氟二酐6～9份、芳香族四羧酸二烷酯5～10份、二氨基二苯醚2～3份、均苯四甲酸酐2～6份和二甲基乙酰胺42～46份。/n

【技术特征摘要】
1.一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包括以下重量份的原料：芳香族二元胺1.5～1.8份、刚性芳香族二酐1.3～1.5份、芳香族二酐0.8～1.2份、对氨基苯基三甲氧基硅烷4～8份、芳香族四羧酸6～10份、六氟二酐6～9份、芳香族四羧酸二烷酯5～10份、二氨基二苯醚2～3份、均苯四甲酸酐2～6份和二甲基乙酰胺42～46份。


2.根据权利要求1所述的一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包括以下重量份的原料：芳香族二元胺1.6～1.7份、刚性芳香族二酐1.35～1.45份、芳香族二酐0.9～1.1份、对氨基苯基三甲氧基硅烷5～7份、芳香族四羧酸7～9份、六氟二酐7～8份、芳香族四羧酸二烷酯6～9份、二氨基二苯醚2.3～2.7份、均苯四甲酸酐3～5份和二甲基乙酰胺43～45份。


3.根据权利要求1所述的一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包括以下重量份的原料：芳香族二元胺1.5份、刚性芳香族二酐1.4份、芳香族二酐1份、对氨基苯基三甲氧基硅烷6份、芳香族四羧酸8份、六氟二酐7.5份、芳香族四羧酸二烷酯8份、二氨基二苯醚2.5份、均苯四甲酸酐4份和二甲基乙酰胺44份。


4.一种挠性印刷电路板基材用双向拉伸聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：原料准备：按以下重量份依次称取原材料：芳香族二元胺1.5～1.8份、刚性芳香族二酐1.3～1.5份、芳香族二酐0.8～1.2份、对氨基苯基三甲氧基硅烷4～8份、芳香族四羧酸6～10份、六氟二酐6～9份、芳香族四羧酸二烷酯5～10份、二氨基二苯醚2～3份、均苯四甲酸酐2～6份和二甲基乙酰胺42～46份，备用；
S2：聚合：将S1中所述称量得到的芳香族二元胺、刚性芳香族二酐、芳香族二酐、对氨基苯基三甲氧基硅烷、芳香族四羧酸、六氟二酐、芳香族四羧酸二烷酯、二氨基二苯醚、均苯四甲酸酐和二甲基乙酰胺材料在低压、惰性气体保护条件...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙大山，曲延涛，张范，曹广文，
申请(专利权)人：潍坊弘润新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37