一种孔式连通型芯片电容器制造技术

技术编号:23119993 阅读:35 留言:0更新日期:2020-01-15 11:47
本实用新型专利技术涉及电子元件技术领域,公开了一种孔式连通型芯片电容器,包括介质体、覆盖于介质体表面的第一电极和第二电极,所述第一电极包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与第二子电极之间设置有未金属化的通道,所述第二子电极所在介质体的一侧设置有金属化过孔,所述金属化过孔将所述第二子电极与第二电极连通。本实用新型专利技术通过金属化过孔将第二子电极与第二电极连通,以实现接地孔与芯片电容集成在一个元器件上,可减少装配时引线的键合,一定程度上减少了系统体积,同时避免键合引线带来的接地电感的影响。

A kind of hole connected chip capacitor

【技术实现步骤摘要】
一种孔式连通型芯片电容器
本技术涉及电子元件
,具体而言,涉及一种孔式连通型芯片电容器。
技术介绍
随着电路不断的向集成化、微型化、高可靠性方向发展,对电路中所包含的电子元件的尺寸提出了更高的要求,电子元件如何兼顾小型化和本身的电学性能成为亟待解决的问题。芯片电容普遍应用在各电子产品中,其尺寸与电学性能直接影响集成有芯片电容的电子产品的尺寸与性能,如何使芯片电容兼顾小型化和良好的电学性能成为至关重要的问题。
技术实现思路
本技术提供一种孔式连通型芯片电容器,其在一定程度上减小了系统体积且具有良好的电学性能。本技术采用的技术方案为:一种孔式连通型芯片电容器,包括介质体、覆盖于介质体表面的第一电极和第二电极,所述第一电极包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与第二子电极之间设置有未金属化的通道,所述第二子电极所在介质体的一侧设置有金属化过孔,所述金属化过孔将所述第二子电极与第二电极连通。进一步的,所述第一电极和第二电极为金属涂层,所述第二电极完全覆盖所述介质体的下表面。进一步的,所述介质体为陶瓷介质体。进一步的,所述金属化过孔为半圆形。本技术的有益效果是:本技术通过金属化过孔将第二子电极与第二电极连通,以实现接地孔与芯片电容集成在一个元器件上,可减少装配时引线的键合,一定程度上减少了系统体积,同时避免键合引线带来的接地电感的影响。本技术的接地性能不受键合引线长短的影响,能够实现芯片电容器装配后的性能与理想接地时的性能基本一致;在接地电路中不需加入其他元件,可直接在第二子电极表面焊接元件实现接地,操作简单、方便。附图说明图1为本技术的主视图;图2为本技术的后视图;图3为本技术的右视图;图4为本技术的仰视图。附图标记:10-介质体,20-第一电极,21-第一子电极,22-第二子电极,23-通道,30-第二电极,40-金属化过孔。具体实施方式为使本技术目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。参照图1至图4,一种孔式连通型芯片电容器,包括介质体10、覆盖于介质体10表面的第一电极20和第二电极30,所述介质体10为陶瓷介质体。所述第一电极20包括第一子电极21和第二子电极22,所述第一子电极21与第二子电极22之间设置有未金属化的通道23,通道23的位置和宽度影响芯片电容器的电容值,制作过程中可根据实际所需的电容值来设定通道23的位置和宽度。所述第二子电极22所在介质体10的一侧设置有金属化过孔40,该金属化过孔40将第二子电极22与第二电极30连通。所述第一电极20和第二电极30为金属涂层,所述第二电极30完全覆盖所述介质体10的下表面,第二电极30作为接地电极。本实施例中,所述金属化过孔40为半圆形。由于陶瓷介质体不易直接做半孔,制作过程中首先在陶瓷介质体上做圆形通孔,然后在陶瓷介质体上溅射金属电极,使得圆形通孔金属化,再光刻出第一子电极21与第二子电极22之间的通道23,最后在圆形通孔处切割形成两个半圆形过孔。在接地电路中不需加入其他元件,可直接在第二子电极22表面焊接元件实现接地,操作简单、方便。本技术通过金属化过孔40将芯片电容器下表面的第二电极30与上表面的第二子电极22连通,实现了电极在物理结构上的直接接地,接地性能不受键合引线长短的影响,可实现芯片电容器装配后的性能与理想接地时的性能基本一致。本技术的第一子电极21的面积大小和第二子电极22的面积大小可根据实际应用需要在生产制作过程中进行调整,例如,第一子电极21的面积大于第二子电极22的面积。以上所述仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,对于本领域的技术人员来说,本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种孔式连通型芯片电容器,包括介质体、覆盖于介质体表面的第一电极和第二电极,其特征在于:所述第一电极包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与第二子电极之间设置有未金属化的通道,所述第二子电极所在介质体的一侧设置有金属化过孔,所述金属化过孔将所述第二子电极与第二电极连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种孔式连通型芯片电容器,包括介质体、覆盖于介质体表面的第一电极和第二电极,其特征在于:所述第一电极包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与第二子电极之间设置有未金属化的通道,所述第二子电极所在介质体的一侧设置有金属化过孔,所述金属化过孔将所述第二子电极与第二电极连通。


2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭小丽牟舜禹舒钞杨海涛
申请(专利权)人:成都宏科电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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