【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光系统
本公开涉及激光系统。
技术介绍
随着半导体集成电路的微细化、高集成化,在半导体曝光装置中要求提高分辨率。以下,将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。为此,正在推进从曝光用光源输出的光的短波长化。在曝光用光源中,使用气体激光装置来代替以往的水银灯。目前,作为曝光用激光装置,使用了输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置以及输出波长为193.4nm的紫外线的ArF准分子激光装置。作为目前的曝光技术,实用化了如下的浸液曝光:通过用液体充满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙来改变该间隙的折射率,从而缩短曝光用光源的目击波长。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行浸液曝光的情况下,对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将这种技术称为ArF浸液曝光。ArF浸液曝光也被称为ArF液浸光刻。由于KrF、ArF准分子激光装置在自然振荡中的谱线宽度宽至大约350pm~400pm,所以由曝光装置侧的投影透镜缩小投影到晶片上的激光(紫外线光)产生色像差而导致分辨率降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化,直到色像差达到能够忽略的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内设置有具有窄带化元件的窄带化模块(LineNarrowingModule)。通过该窄带化模块实现了谱线宽度的窄带化。窄带化元件也可以是标准具或光栅等。将谱线宽度被以这种方式窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2016/046871号专 ...
【技术保护点】
1.一种激光系统,其具有:/nA.固体激光装置,其输出脉冲激光,该脉冲激光的光强度分布是以光路轴为中心的旋转对称的高斯形状;/nB.放大器,其包含一对放电电极,并且在所述一对放电电极之间的放电空间中对所述脉冲激光进行放大;以及/nC.转换光学系统,其对从所述放大器输出的所述脉冲激光的光强度分布进行转换,使该光强度分布在所述一对放电电极的放电方向和与所述放电方向垂直的方向的任意方向上均为顶帽形状。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光系统,其具有:
A.固体激光装置,其输出脉冲激光,该脉冲激光的光强度分布是以光路轴为中心的旋转对称的高斯形状;
B.放大器,其包含一对放电电极,并且在所述一对放电电极之间的放电空间中对所述脉冲激光进行放大;以及
C.转换光学系统,其对从所述放大器输出的所述脉冲激光的光强度分布进行转换,使该光强度分布在所述一对放电电极的放电方向和与所述放电方向垂直的方向的任意方向上均为顶帽形状。
2.根据权利要求1所述的激光系统,其中,
所述转换光学系统配置在所述固体激光装置与所述放大器之间的所述脉冲激光的光路上。
3.根据权利要求2所述的激光系统,其中,
所述转换光学系统包含第一锥轴透镜和第二锥轴透镜,
所述第一锥轴透镜和所述第二锥轴透镜以各自中心轴与所述光路轴一致并且彼此的顶点对置的方式配置。
4.根据权利要求3所述的激光系统,其中,
该激光系统还具有:
D.线性平台,其使第一锥轴透镜和第二锥轴透镜中的一方在所述光路轴的方向上进行往返移动;以及
E.控制部,其对所述线性平台进行控制而对所述第一锥轴透镜与第二锥轴透镜之间的间隔进行调整。
5.根据权利要求4所述的激光系统,其中,
该激光系统还具有:
F.光强度分布计测部,其对从所述放大器输出的所述脉冲激光的光强度分布进行计测;
其中,所述控制部根据由所述光强度分布计测部计测的所述光强度分布的计测值来控制所述线性平台。
6.根据权利要求5所述的激光系统,其中,
所述光强度分布计测部包含:分束器,其对从所述放大器输出的所述脉冲激光的一部分进行反射;转印光学系统,其对被所述分束器反射的所述脉冲激光的一部分进行转印;以及二维图像传感器,其对由所述转印光学系统转印的转印像进行拍摄。
7.根据权利要求2所述的激光系统,其中,
该激光系统还具有:
G.放大光学系统,其配置在所述转换光学系统的入射侧,使所述脉冲激光的射束直径放大;以及
H.压缩光学系统,其配置在所述转换光学系统的射出侧,对所述脉冲激光的射束直径进行压缩。
8.根据权利要求7所述的激光系统,其中,
所述转换光学系统的所述射束直径的放大率与所述压缩光学系统的所述射束直径的压缩率的倒数相同。
9.根据权利要求2所述的激光系统,其中,
所述转换光学系统包含第一非球面透镜和第二非球面透镜,
所述第一非球面透镜和所述第二非球面透镜以各自中心轴与所述光路轴一致的方式配置。
10.根据权利要求2所述的激光系统,其中,
所述转换光学系统...
【专利技术属性】
技术研发人员:荒川正树,若林理,
申请(专利权)人:极光先进雷射株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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