本发明专利技术涉及多层陶瓷基板制造方法。本发明专利技术的多层陶瓷基板制造方法包括:对多个陶瓷生片进行烧成,从而生成多个陶瓷薄板的步骤;在上述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板形成导通孔的步骤;在上述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的导通孔中填充导电膏并进行热处理,从而形成通孔电极的步骤;利用导电膏在上述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的截面印刷图案并进行热处理,从而形成内部电极的步骤;在上述多个陶瓷薄板中的除了最上位陶瓷薄板之外的剩余陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的截面以避开导通孔的方式涂敷粘合剂的步骤;通过上述通孔电极和上述内部电极,排列并层压各个上述多个陶瓷薄板,使得上述多个陶瓷薄板分别电性连接的步骤;以及对所层压的上述多个陶瓷薄板进行烧成或热处理的步骤。
Multilayer ceramic substrate and its manufacturing method
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多层陶瓷基板及其制造方法
本专利技术涉及多层陶瓷基板及其制造方法。
技术介绍
近年来,随着电子设备技术的发展,设备本身呈现轻薄简单化和薄型化的趋势,按照这种趋势,部件需要集成化,并且为了上述部件的集成化,通过层压多个陶瓷片来制造多层陶瓷基板。并且,由于上述多层陶瓷基板具有耐热性、耐磨性及优异的电气特性,被广泛用作现有的印刷电路板(printedcircuitboard,PCB)的替代品,并且其需求日益增加。通常,通过称为生片层压法(greensheetlaminationmethod)的方法制造上述多层陶瓷基板。在这种方法中,通过流延法(tapecastingmethod)使由陶瓷粉末和有机粘合剂构成的浆料(slurry)成型以制造陶瓷生片,并且冲压所制造的陶瓷生片来在陶瓷生片形成导通孔后,将导电膏(paste)填充到孔中,在片表面上丝网印刷导电膏后,将上述陶瓷生片层压所需的层数,通过加热和加压制造层压体,然后在一定温度下进行烧成。然而,在对上述层压体进行烧成和冷却的过程中,层压体进行热膨胀和热收缩,由此,形成层压体的陶瓷薄板会产生裂纹、弯曲、间隙、剥离现象等不良。进而,由于并非在层压体的所有部分施加一定的温度,因此层压体的每一层的热膨胀程度和热收缩程度不同,进而,即使在一个层,陶瓷薄板的各个部分的热膨胀程度和热收缩程度必然是不同的。因此,上述不良的程度根据层压体的层以及即使在一个层也根据陶瓷薄板的部分而不同。因此,存在如下问题:在烧成层压体之前所排列的各层的导通孔错位,进而可能会产生层间的导电性的不良。并且,在对上述层压体进行烧成的过程中,除了在陶瓷薄板本身产生的不良之外,还有可能产生形成于陶瓷薄板的内部电极和外部电极的不良,在这种情况下,只能在对上述层压体进行烧成之后才能确认不良与否,因此当产生不良时,应废弃整个层压体。并且,在进行层压时,形成在上述陶瓷生片的表面的导电膏印刷层布置于生片的层于层之间,从而形成最终获得的多层陶瓷基板的内部电极。此时,由于上述内部电极的厚度,多层陶瓷基板的层间分离产生空间。这种空间可能会导致之后的基板裂纹等不良。进而,在一个多层陶瓷基板中,具有内部电极的部分和未具有内部电极的部分之间产生高度差,因此可能出现基板的表面平坦度下降的问题。进而,在现有的生片层压法中,将生片进行层压,并通过对层压体一次性地以一定的温度进行烧成来制造多层陶瓷基板。因此,构成层压体的各层的生片必须具有在相同的温度下反应的相同的材料,由此多层陶瓷基板在材料方面存在不能进行各种构成的问题。对于探针卡,半导体集成电路装置的多个集成电路芯片通常非常复杂且精细地封装而成。通过对这种半导体集成电路进行电学特性检查来检查半导体集成电路的不良与否,通常使用称为探针卡(probecard)的检查装置。上述探针卡起到电性连接半导体集成电路的晶圆(wafer)和测试仪(tester)的功能,并且主要由空间变压器(spacetransformer)和探针构成。尤其,上述空间变压器的作用在于,对与半导体集成电路的芯片的接合焊盘相接触的探针进行固定,并将其探针连接到探针卡的主板。这种空间变压器由多层陶瓷基板和层压于上述多层陶瓷基板上的聚酰亚胺层构成。由于现有的这种空间变压器是使用陶瓷生片通过多层陶瓷同时烧结方法制造而成,因此成本高,并且由于高温工带来起的陶瓷片的收缩和膨胀引起产品的变形,导致产品收率下降,由此会发生电短路而无法正常进行半导体集成电路检查。并且,由这种陶瓷薄板的翘曲现象引起平坦度不良,从而引起与空间变压器相连接的探针的平坦度的不良。并且,这将导致在半导体集成电路上存在没有连接探针的部分,因此存在无法正常进行检查的问题。并且,现有的这种空间变压器形成用于将探针粘合于聚酰亚胺上表面的粘合垫,通过激光照射将探针分别精细地粘合于上述粘合垫。因此,现有的技术中存在需要昂贵的装置来粘合探针,且粘合上万个探针需要花费很长时间的问题。并且,当进行多次检查时,上述探针和上述粘合垫的粘合部分的耐久性变弱,因此存在上述探针容易从上述粘合垫分离的问题。进而,需要进行将分离的探针通过激光照射来逐一粘合到上述粘合垫的操作,而且需要直接投入相应的人力,并且维修时间较长。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题为解决上述问题,本专利技术的目的在于提供一种多层陶瓷基板的制造方法及由上述方法制造的多层陶瓷基板,在上述多层陶瓷基板的制造方法中,不出现在多层陶瓷基板的制造过程中各层的通孔排列错开的问题。本专利技术的另一个目的在于提供一种多层陶瓷基板的制造方法及由上述方法制造的多层陶瓷基板,在上述多层陶瓷基板的制造方法中,可在完成多层陶瓷基板前事先确认并修复在多层陶瓷基板的制造过程中各层中产生的不良。本专利技术的再一个目的在于提供一种多层陶瓷基板的制造方法及由上述方法制造的多层陶瓷基板,在上述多层陶瓷基板的制造方法中,不产生形成于多层陶瓷基板的层间的基于内部电极的高度差。本专利技术的又一个目的在于提供一种多层陶瓷基板的制造方法及由上述方法制造的多层陶瓷基板,在上述多层陶瓷基板的制造方法中,多层陶瓷基板的各层可以由多种材料构成。本专利技术的又一个目的在于提供一种空间变压器制造方法及由上述方法制造的空间变压器,在上述空间变压器制造方法中,可降低与空间变压器相连接的探针的平坦度不良。本专利技术的又一个目的在于提供一种空间变压器制造方法及由上述方法制造的空间变压器,在上述空间变压器制造方法中,增强与空间变压器相连接的探针的耐久性、降低成本及易于修复。用于解决问题的方案为了达成上述目的,根据本专利技术的一个实施例的多层陶瓷基板的制造方法可以包括:对多个陶瓷生片进行烧成,从而生成多个陶瓷薄板的步骤;在上述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板形成导通孔的步骤;在上述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的导通孔中填充导电膏并进行热处理,从而形成通孔电极的步骤;利用导电膏在上述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的截面印刷图案并进行热处理,从而形成内部电极的步骤;在上述多个陶瓷薄板中的除了最上位陶瓷薄板之外的剩余陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的截面以避开导通孔的方式涂敷粘合剂的步骤;通过上述通孔电极和上述内部电极,排列并层压各个上述多个陶瓷薄板,使得上述多个陶瓷薄板分别电性连接的步骤;和/或对所层压的上述多个陶瓷薄板进行烧成或热处理的步骤。优选地,上述导电膏包含玻璃成分,对所层压的上述多个陶瓷薄板可以以高于上述粘合剂的熔点且低于上述陶瓷薄板的熔点及上述导电膏的熔点的温度进行热处理。优选地,对上述通孔电极或上述内部电极的导电性进行检查,当导电性存在问题时,可以利用蚀刻溶液来蚀刻上述导通孔的导电膏或上述图案的导电膏,并重新填充上述导通孔或者重新印刷上述图案优选地,上述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的厚度可以为10微米至500微米,由上述粘合剂形成的粘合层的厚度可以为2微米至100微米,上述多个陶瓷薄板中的每个陶瓷薄板的直径可以为12英寸以上。根据本专利技术的另一个实施例,一种多层陶瓷基板,其通过层压多个陶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种多层陶瓷基板制造方法,其特征在于,包括:/n对多个陶瓷生片进行烧成,从而生成多个陶瓷薄板的步骤;/n在所述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板形成导通孔的步骤;/n在所述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的导通孔中填充导电膏并进行热处理,从而形成通孔电极的步骤;/n利用导电膏在所述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的截面印刷图案并进行热处理,从而形成内部电极的步骤;/n在所述多个陶瓷薄板中的除了最上位陶瓷薄板之外的剩余陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的截面以避开导通孔的方式涂敷粘合剂的步骤;/n通过所述通孔电极和所述内部电极,排列并层压各个所述多个陶瓷薄板,使得所述多个陶瓷薄板分别电性连接的步骤;以及/n对所层压的所述多个陶瓷薄板进行烧成或热处理的步骤。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170629 KR 10-2017-00823161.一种多层陶瓷基板制造方法,其特征在于,包括:
对多个陶瓷生片进行烧成,从而生成多个陶瓷薄板的步骤;
在所述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板形成导通孔的步骤;
在所述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的导通孔中填充导电膏并进行热处理,从而形成通孔电极的步骤;
利用导电膏在所述多个陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的截面印刷图案并进行热处理,从而形成内部电极的步骤;
在所述多个陶瓷薄板中的除了最上位陶瓷薄板之外的剩余陶瓷薄板中的每一个陶瓷薄板的截面以避开导通孔的方式涂敷粘合剂的步骤;
通过所述通孔电极和所述内部电极,排列并层压各个所述多个陶瓷薄板,使得所述多个陶瓷薄板分别电性连接的步骤;以及
对所层压的所述多个陶瓷薄板进行烧成或热处理的步骤。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板制造方法,其特征在于,
所述导电膏包含玻璃成分,
对所层压的所述多个陶瓷薄板以高于所述粘合剂的熔点且低于所述陶瓷薄板的熔点及所述导电膏的熔点的温度进行热处理。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板制造方法,其特征在于,
对所述通孔电极或...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢泰亨,
申请(专利权)人:株式会社DIT,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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