一种电路启动装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电路启动装置。电路启动装置包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、第一NMOS管、第一比较器、第一RS触发器、第二RS触发器、第二比较器和第一电容。利用本发明专利技术提供的电路启动装置能很好地防止电流过冲损坏电源系统。

A circuit starting device

【技术实现步骤摘要】
一种电路启动装置
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及到一种电路启动装置。
技术介绍
在开关电源系统中，为了防止过冲电流损坏电源系统，需要设置一种电路启动装置，可以使输出电压缓慢上升。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种电路启动装置。一种电路启动装置，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、第一NMOS管、第一比较器、第一RS触发器、第二RS触发器、第二比较器和第一电容：所述第一电阻的一端接基准电压，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的正端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一比较器的正端，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的基极；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极，另一端接地；所述第一PNP管的基极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，集电极接所述第一NMOS管的栅极和漏极，发射极接所述第一比较器的负端和所述第一电容的一端和所述第二比较器的输出端；所述第一NMOS管的栅极接漏极和所述第一PNP管的集电极，源极接地；所述第一比较器的正端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，负端接所述第一PNP管的发射极和所述第一电容的一端和所述第二比较器的输出端，输出端接所述第一RS触发器的R端和所述第二RS触发器的R端；所述第一RS触发器的R端接所述第一比较器的输出端和所述第二RS触发器的R端，S端接地，Q端接所述第二RS触发器的S端；所述第二RS触发器的R端接所述第一比较器的输出端和所述第一RS触发器的R端，S端接所述第一RS触发器的Q端，Q端接所述第二比较器的正端，Q反相端接所述第二比较器的负端；所述第二比较器的正端接所述第二RS触发器的Q端，负端接所述第二RS触发器的Q反相端，输出端接第一电容的一端和所述第一比较器的负端和所述第一PNP管的发射极；所述第一电容的一端接所述第二比较器的输出端和所述第一比较器的负端和所述第一PNP管的发射极。当电源电压上升过程中，基准电压VREF也慢慢上升，经过所述第一电阻、所述第二电阻和所述第三电阻分压得到所述第一比较器的正输入端比较电压和间接的负端输入端比较电压，所述第一比较器的输出端为高电平，所述第一RS触发器和所述第二RS触发器的Q端为高电平，Q反相端为低电平，这样所述第二比较器为高电平并为所述第一电容充电使SS_OUT电压慢慢上升，当SS_OUT电压上升到使所述第一PNP管导通时，SS_OUT电压就被钳在所述第三电阻上的电压再加上所述第一PNP管的BE间电压。在电源系统中，变压器初级线圈的电流最大值由比较点VREF决定；通过控制比较点VREF，就能控制初级线圈的电流值；比较点VREF接所述电容充放电电路的输出端SS_OUT并由内部电路确定，在上电过程中，由于SS_OUT是缓慢上升的，所以VREF也是缓慢增加，从而控制了初级线圈的电流值，减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器磁芯饱和。利用本专利技术提供的一种电路启动装置能很好地防止电流过冲损坏电源系统。附图说明图1为本专利技术的一种电路启动装置的电路图。图2为电源系统中控制初级线圈的电流值的电路图。图3为电源系统软启动上升过程图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种电路启动装置，如图1所示，包括第一电阻101、第二电阻102、第三电阻103、第一PNP管104、第一NMOS管105、第一比较器106、第一RS触发器107、第二RS触发器108、第二比较器109和第一电容110：所述第一电阻101的一端接基准电压，另一端接所述第二电阻102的一端和所述第一比较器106的正端；所述第二电阻102的一端接所述第一电阻101的一端和所述第一比较器106的正端，另一端接所述第三电阻103的一端和所述第一PNP管104的基极；所述第三电阻103的一端接所述第二电阻102的一端和所述第一PNP管104的基极，另一端接地；所述第一PNP管104的基极接所述第二电阻102的一端和所述第三电阻103的一端，集电极接所述第一NMOS管105的栅极和漏极，发射极接所述第一比较器106的负端和所述第一电容110的一端和所述第二比较器109的输出端；所述第一NMOS管105的栅极接漏极和所述第一PNP管104的集电极，源极接地；所述第一比较器106的正端接所述第一电阻101的一端和所述第二电阻102的一端，负端接所述第一PNP管104的发射极和所述第一电容110的一端和所述第二比较器109的输出端，输出端接所述第一RS触发器107的R端和所述第二RS触发器108的R端；所述第一RS触发器107的R端接所述第一比较器106的输出端和所述第二RS触发器108的R端，S端接地，Q端接所述第二RS触发器108的S端；所述第二RS触发器108的R端接所述第一比较器106的输出端和所述第一RS触发器107的R端，S端接所述第一RS触发器107的Q端，Q端接所述第二比较器109的正端，Q反相端接所述第二比较器109的负端；所述第二比较器109的正端接所述第二RS触发器108的Q端，负端接所述第二RS触发器108的Q反相端，输出端接第一电容110的一端和所述第一比较器106的负端和所述第一PNP管104的发射极；所述第一电容110的一端接所述第二比较器109的输出端和所述第一比较器106的负端和所述第一PNP管104的发射极。当电源电压上升过程中，基准电压VREF也慢慢上升，经过所述第一电阻101、所述第二电阻102和所述第三电阻103分压得到所述第一比较器106的正输入端比较电压和间接的负端输入端比较电压，所述第一比较器106的输出端为高电平，所述第一RS触发器107和所述第二RS触发器108的Q端为高电平，Q反相端为低电平，这样所述第二比较器109为高电平并为所述第一电容110充电使SS_OUT电压慢慢上升，当SS_OUT电压上升到使所述第一PNP管104导通时，SS_OUT电压就被钳在所述第三电阻103上的电压再加上所述第一PNP管104的BE间电压。如图2所示为电源系统中控制初级线圈的电流值的电路图，在电源系统中，变压器初级线圈的电流最大值由比较点VREF决定；通过控制比较点VREF，就能控制初级线圈的电流值；比较点VREF接所述电容充放电电路的输出端SS_OUT并由内部电路确定，在上电过程中，由于SS_OUT是缓慢上升的，所以VREF也是缓慢增加，从而控制了初级线圈的电流值，减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器磁芯饱和。如图3所示为电源系统软启动上升过程图。对上述所提供的实施方式的说明，仅是本专利技术的优选实施方式的说明，对本
的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本专利技术。应当指出，对于本
的技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本专利技术实质精神范围内的专利技术创造，应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路启动装置，其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、/n第一NMOS管、第一比较器、第一RS触发器、第二RS触发器、第二比较器和第一电容：/n所述第一电阻的一端接基准电压，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的正端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一比较器的正端，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的基极；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极，另一端接地；所述第一PNP管的基极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，集电极接所述第一NMOS管的栅极和漏极，发射极接所述第一比较器的负端和所述第一电容的一端和所述第二比较器的输出端；所述第一NMOS管的栅极接漏极和所述第一PNP管的集电极，源极接地；所述第一比较器的正端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，负端接所述第一PNP管的发射极和所述第一电容的一端和所述第二比较器的输出端，输出端接所述第一RS触发器的R端和所述第二RS触发器的R端；所述第一RS触发器的R端接所述第一比较器的输出端和所述第二RS触发器的R端，S端接地，Q端接所述第二RS触发器的S端；所述第二RS触发器的R端接所述第一比较器的输出端和所述第一RS触发器的R端，S端接所述第一RS触发器的Q端，Q端接所述第二比较器的正端，Q反相端接所述第二比较器的负端；所述第二比较器的正端接所述第二RS触发器的Q端，负端接所述第二RS触发器的Q反相端，输出端接第一电容的一端和所述第一比较器的负端和所述第一PNP管的发射极；所述第一电容的一端接所述第二比较器的输出端和所述第一比较器的负端和所述第一PNP管的发射极。/n...

【技术特征摘要】
1.一种电路启动装置，其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、
第一NMOS管、第一比较器、第一RS触发器、第二RS触发器、第二比较器和第一电容：
所述第一电阻的一端接基准电压，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的正端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一比较器的正端，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的基极；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一PNP管的基极，另一端接地；所述第一PNP管的基极接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，集电极接所述第一NMOS管的栅极和漏极，发射极接所述第一比较器的负端和所述第一电容的一端和所述第二比较器的输出端；所述第一NMOS管的栅极接漏极和所述第一PNP管的集电极，源极接地；所述第一比较器的正...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡曙敏，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33