一种警示灯控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种警示灯控制电路，其包括电阻R1、电阻R3、N沟道MOSFET Q2、NPN型三极管Q1、高亮发光二极管D1、电容C1、高亮发光二极管D5、高亮发光二极管D2、高亮发光二极管D9、高亮发光二极管D6、高亮发光二极管D10、高亮发光二极管D3、高亮发光二极管D7、高亮发光二极管D4、高亮发光二极管D11、高亮发光二极管D8、高亮发光二极管D12、电阻R2、电阻R4、高亮发光二极管D13、高亮发光二极管D14、高亮发光二极管D15、高亮发光二极管D16。本实用新型专利技术通过控制信号输入方波占空比就可以方便地控制警灯的闪烁频率。

A control circuit of warning light

【技术实现步骤摘要】
一种警示灯控制电路
本技术涉及一种警示灯控制电路。
技术介绍
目前，警示灯控制电路一般都是基于嵌入式系统或者单片机进行设计，LED灯驱动往往使用集成电路，这样的设计方便，快捷，其大量的用于警务车、消防车、救护车，以及各种需要警示的场合，其也有明显的缺点，就是成本较高，价格昂贵。
技术实现思路
本技术为了解决上述问题，提供了一种警示灯控制电路。该电路使用分离器件搭建，支持各种闪烁模式，同时成本低，寿命长。比传统警示灯控制电路成本减少70%以上。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：其包括电阻R1（1）、电阻R3（2）、N沟道MOSFETQ2（3）、NPN型三极管Q1（4）、高亮发光二极管D1（5）、电容C1（6）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D9（9）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D12（17）、电阻R2（18）、电阻R4（19）、高亮发光二极管D13（20）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）。所述输入电压+5VDC通过电阻R1（1）、电阻R2（18）、电阻R3（2）提供NPN型三极管Q1（4）直流工作电压，NPN型三极管Q1（4）导通，N沟道MOSFETQ2（3）栅极获得高电平，N沟道MOSFETQ2（3）导通，+16VDC经过N沟道MOSFETQ2（3）源极、漏极给高亮LED矩阵供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D9（9）高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D12（17）、高亮发光二极管D13（205）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）导通点亮；当控制信号输入高电平NPN型三极管Q1（4）基极高电平，NPN型三极管Q1（4）导通，N沟道MOSFETQ2（3）控制栅极电平为高电平，N沟道MOSFETQ2（3）继续导通，高亮LED矩阵获得供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D9（9）高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D12（17）、高亮发光二极管D13（205）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）导通继续点亮；当控制信号输入低电平NPN型三极管Q1（4）基极低电平，NPN型三极管Q1（4）截止，N沟道MOSFETQ2（3）控制栅极电平为0VDC，N沟道MOSFETQ2（3）截止，高亮LED矩阵失去供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D9（9）高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D12（17）、高亮发光二极管D13（205）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）导通熄灭。通过控制信号输入方波的占空比就可以方便地控制警灯的闪烁频率。进一步地，所述N沟道MOSFETQ2（3）源极接+16伏电源；所述N沟道MOSFETQ2（3）栅极接NPN型三极管Q1（4）发射极、电阻R4（19）上端；所述N沟道MOSFETQ2（3）漏极接电容C1（6）正极、高亮发光二极管D1（5）正极、高亮发光二极管D2（8）正极、高亮发光二极管D3（12）正极、高亮发光二极管D4（14）正极；所述电阻R1（1）上端接+5VDC；所述电阻R1（1）下端接NPN型三极管Q1（4）基极、电阻R2（18）上端、控制信号输入端；所述NPN型三极管Q1（4）集电极接电阻R3（2）下端；所述高亮发光二极管D5（7）正极接高亮发光二极管D1（5）负极；所述高亮发光二极管D5（7）负极接高亮发光二极管D9（9）正极；所述高亮发光二极管D6（10）正极接高亮发光二极管D2（8）负极；所述高亮发光二极管D6（10）负极接高亮发光二极管D10（11）正极；所述高亮发光二极管D7（13）正极接高亮发光二极管D3（12）负极；所述高亮发光二极管D7（13）负极接高亮发光二极管D11（15）正极；所述高亮发光二极管D8（16）正极接高亮发光二极管D4（14）负极；所述高亮发光二极管D8（16）负极接高亮发光二极管D12（17）正极；所述高亮发光二极管D13（20）正极接高亮发光二极管D9（9）负极；所述高亮发光二极管D14（21）正极接高亮发光二极管D10（11）负极；所述高亮发光二极管D15（22）正极接高亮发光二极管D11（15）负极；所述高亮发光二极管D16（23）正极接高亮发光二极管D12（17）负极；所述地接电阻R2（18）下端、电阻R4（19）下端、高亮发光二极管D13（20）负极、高亮发光二极管D14（21）负极、高亮发光二极管D15（22）负极、高亮发光二极管D16（23）负极。所述N沟道MOSFETQ2（3）的型号为BUZ10。所述NPN型三极管Q1（4）的型号为2N3054。所述高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D9（9）高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D12（17）、高亮发光二极管D13（205）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）的型号为ZX-35288W42-1。本技术具有以下有益效果：本技术使用简单的电子元器件，支持各种闪烁模式，同时成本低，寿命长。比传统警示灯控制电路成本减少70%以上，经济效益明显。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出，创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的结构示意图。具体实施方式<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种警示灯控制电路，其特征在于：包括电阻R1（1）、电阻R3（2）、N沟道MOSFET Q2（3）、NPN型三极管Q1（4）、高亮发光二极管D1（5）、电容C1（6）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D9（9）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D12（17）、电阻R2（18）、电阻R4（19）、高亮发光二极管D13（20）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）；所述N沟道MOSFETQ2（3）源极接+16伏电源；所述N沟道MOSFETQ2（3）栅极接NPN型三极管Q1（4）发射极、电阻R4（19）上端；所述N沟道MOSFETQ2（3）漏极接电容C1（6）正极、高亮发光二极管D1（5）正极、高亮发光二极管D2（8）正极、高亮发光二极管D3（12）正极、高亮发光二极管D4（14）正极；所述电阻R1（1）上端接+5VDC；所述电阻R1（1）下端接NPN型三极管Q1（4）基极、电阻R2（18）上端、控制信号输入端、控制信号输入端；所述NPN型三极管Q1（4）集电极接电阻R3（2）下端；所述高亮发光二极管D5（7）正极接高亮发光二极管D1（5）负极；所述高亮发光二极管D5（7）负极接高亮发光二极管D9（9）正极；所述高亮发光二极管D6（10）正极接高亮发光二极管D2（8）负极；所述高亮发光二极管D6（10）负极接高亮发光二极管D10（11）正极；所述高亮发光二极管D7（13）正极接高亮发光二极管D3（12）负极；所述高亮发光二极管D7（13）负极接高亮发光二极管D11（15）正极；所述高亮发光二极管D8（16）正极接高亮发光二极管D4（14）负极；所述高亮发光二极管D8（16）负极接高亮发光二极管D12（17）正极；所述高亮发光二极管D13（20）正极接高亮发光二极管D9（9）负极；所述高亮发光二极管D14（21）正极接高亮发光二极管D10（11）负极；所述高亮发光二极管D15（22）正极接高亮发光二极管D11（15）负极；所述高亮发光二极管D16（23）正极接高亮发光二极管D12（17）负极；所述地接电阻R2（18）下端、电阻R4（19）下端、电容C1（6）负极、高亮发光二极管D13（20）负极、高亮发光二极管D14（21）负极、高亮发光二极管D15（22）负极、高亮发光二极管D16（23）负极；输入电压+5VDC通过电阻R1（1）、电阻R2（18）、电阻R3（2）提供NPN型三极管Q1（4）直流工作电压，NPN型三极管Q1（4）导通，N沟道MOSFET Q2（3）栅极获得高电平，N沟道MOSFET Q2（3）导通，+16VDC经过N沟道MOSFET Q2（3）源极、漏极给高亮LED矩阵供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D9（9）高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D12（17）、高亮发光二极管D13（205）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）导通点亮；当控制信号输入高电平NPN型三极管Q1（4）基极高电平，NPN型三极管Q1（4）导通，N沟道MOSFET Q2（3）控制栅极电平为高电平，N沟道MOSFET Q2（3）继续导通，高亮LED矩阵获得供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D9（9）高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D12（17）、高亮发光二极管D13（205）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）导通继续点亮；当控制信号输入低电平NPN型三极管Q1（4）基极低电平，NPN型三极管Q1（4）截止，N沟道MOSFET Q2（3）控制栅极电平为0VDC，N沟道MOSFET Q2（3）截止，高亮LED矩阵失去供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极...

【技术特征摘要】
1.一种警示灯控制电路，其特征在于：包括电阻R1（1）、电阻R3（2）、N沟道MOSFETQ2（3）、NPN型三极管Q1（4）、高亮发光二极管D1（5）、电容C1（6）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D9（9）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D12（17）、电阻R2（18）、电阻R4（19）、高亮发光二极管D13（20）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）；所述N沟道MOSFETQ2（3）源极接+16伏电源；所述N沟道MOSFETQ2（3）栅极接NPN型三极管Q1（4）发射极、电阻R4（19）上端；所述N沟道MOSFETQ2（3）漏极接电容C1（6）正极、高亮发光二极管D1（5）正极、高亮发光二极管D2（8）正极、高亮发光二极管D3（12）正极、高亮发光二极管D4（14）正极；所述电阻R1（1）上端接+5VDC；所述电阻R1（1）下端接NPN型三极管Q1（4）基极、电阻R2（18）上端、控制信号输入端、控制信号输入端；所述NPN型三极管Q1（4）集电极接电阻R3（2）下端；所述高亮发光二极管D5（7）正极接高亮发光二极管D1（5）负极；所述高亮发光二极管D5（7）负极接高亮发光二极管D9（9）正极；所述高亮发光二极管D6（10）正极接高亮发光二极管D2（8）负极；所述高亮发光二极管D6（10）负极接高亮发光二极管D10（11）正极；所述高亮发光二极管D7（13）正极接高亮发光二极管D3（12）负极；所述高亮发光二极管D7（13）负极接高亮发光二极管D11（15）正极；所述高亮发光二极管D8（16）正极接高亮发光二极管D4（14）负极；所述高亮发光二极管D8（16）负极接高亮发光二极管D12（17）正极；所述高亮发光二极管D13（20）正极接高亮发光二极管D9（9）负极；所述高亮发光二极管D14（21）正极接高亮发光二极管D10（11）负极；所述高亮发光二极管D15（22）正极接高亮发光二极管D11（15）负极；所述高亮发光二极管D16（23）正极接高亮发光二极管D12（17）负极；所述地接电阻R2（18）下端、电阻R4（19）下端、电容C1（6）负极、高亮发光二极管D13（20）负极、高亮发光二极管D14（21）负极、高亮发光二极管D15（22）负极、高亮发光二极管D16（23）负极；输入电压+5VDC通过电阻R1（1）、电阻R2（18）、电阻R3（2）提供NPN型三极管Q1（4）直流工作电压，NPN型三极管Q1（4）导通，N沟道MOSFETQ2（3）栅极获得高电平，N沟道MOSFETQ2（3）导通，+16VDC经过N沟道MOSFETQ2（3）源极、漏极给高亮LED矩阵供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊浩，
申请(专利权)人：熊浩，
类型：新型
国别省市：云南;53