一种双面散热半导体IGBT管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双面散热半导体IGBT管，包括半导体IGBT管，半导体IGBT管的正反面分别贴装导热层，正反面贴装的导热层在半导体IGBT管上形成双面散热结构，半导体IGBT管与导热层之间均设置有一层绝缘层，半导体IGBT管上的热量通过绝缘层传递给导热层散热，半导体IGBT管的两侧分别设置一个以上的连接脚。本实用新型专利技术采用双面散热的方式，体积小电流做得更大，节省空间使空气流动快，散热更有效，不用螺丝固定，双面压紧就行，省去人工和材料费。

【技术实现步骤摘要】
一种双面散热半导体IGBT管
本技术涉及电子领域，具体涉及一种双面散热半导体IGBT管。
技术介绍
IGBT单管(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型功率管)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点，驱动功率小而饱和压降低，在工业控制领域中，尤其是变频器领域内，被广泛用作开关器件。日常中，原先的IGBT单管电流不大，散热不好很容易烧坏，且只有一面散热，由于散热面积小重受的电流就小，功能单一,没有别的功能。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是一种双面散热半导体IGBT管，采用双面散热结构，能够有效解决现有技术中的不足。本技术是通过以下技术方案来实现的：一种双面散热半导体IGBT管，包括半导体IGBT管，半导体IGBT管的正反面分别贴装导热层，正反面贴装的导热层在半导体IGBT管上形成双面散热结构，半导体IGBT管与导热层之间均设置有一层绝缘层，半导体IGBT管上的热量通过绝缘层传递给导热层散热，半导体IGBT管的两侧分别设置一个以上的连接脚。作为优选的技术方案，所述导热层为纯铜导热层，所述绝缘层陶瓷绝缘板，所述连接脚为纯铜脚，半导体IGBT管具备一颗芯片。作为优选的技术方案，一个以上的连接脚包括设置于半导体IGBT管一侧G、C、E三个引脚，以及设置于半导体IGBT管另一侧的G1、E1、G2、E2四个引脚。本技术的有益效果是：1、本技术不用螺丝固定，双面压紧就行，省去人工和材料费。2、本技术体积小电流做得更大，节省空间使空气流动快，散热更有效。3、本技术经济使用价值高节省成本，以前变频器要用6只IGBT单管，本技术只用3只LSKHBIGBT管就可以了。4、以前做全桥方案要用4只IGBT单管，而用本技术只要2只完成全桥方案。材料费省了一半，工艺简单达到事半功倍效果；5、双面散热，温度低，散热效果好。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的电路原理图；图2为本技术的正面简图；图3为本技术的反面简图。具体实施方式本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。本说明书（包括任何附加权利要求、摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“一端”、“另一端”、“外侧”、“上”、“内侧”、“水平”、“同轴”、“中央”、“端部”、“长度”、“外端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本技术使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向（旋转90度或其他朝向），并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“套接”、“连接”、“贯穿”、“插接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。如图1-图3所示，包括半导体IGBT管，半导体IGBT管的正反面分别贴装导热层，正反面贴装的导热层在半导体IGBT管上形成双面散热结构，半导体IGBT管与导热层之间均设置有一层绝缘层，半导体IGBT管上的热量通过绝缘层传递给导热层散热，半导体IGBT管的两侧分别设置一个以上的连接脚。本实施例中，导热层为纯铜导热层，绝缘层陶瓷绝缘板，所述连接脚为纯铜脚，半导体IGBT管具备一颗芯片，由于绝缘层采用陶瓷绝缘板，故具有非常的绝缘性能以及导热性能。本实施例中，一个以上的连接脚包括设置于半导体IGBT管一侧G、C、E三个引脚，以及设置于半导体IGBT管另一侧的G1、E1、G2、E2四个引脚。本技术的有益效果是：1、本技术不用螺丝固定，双面压紧就行，省去人工和材料费。2、本技术体积小电流做得更大，节省空间使空气流动快，散热更有效。3、本技术经济使用价值高节省成本，以前变频器要用6只IGBT单管，本技术只用3只LSKHBIGBT管就可以了。4、以前做全桥方案要用4只IGBT单管，而用本技术只要2只完成全桥方案。材料费省了一半，工艺简单达到事半功倍效果；5、双面散热，温度低，散热效果好。以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面散热半导体IGBT管，其特征在于：包括半导体IGBT管，半导体IGBT管的正反面分别贴装导热层，正反面贴装的导热层在半导体IGBT管上形成双面散热结构，半导体IGBT管与导热层之间均设置有一层绝缘层，半导体IGBT管上的热量通过绝缘层传递给导热层散热，半导体IGBT管的两侧分别设置一个以上的连接脚。/n

【技术特征摘要】
1.一种双面散热半导体IGBT管，其特征在于：包括半导体IGBT管，半导体IGBT管的正反面分别贴装导热层，正反面贴装的导热层在半导体IGBT管上形成双面散热结构，半导体IGBT管与导热层之间均设置有一层绝缘层，半导体IGBT管上的热量通过绝缘层传递给导热层散热，半导体IGBT管的两侧分别设置一个以上的连接脚。


2.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈微微，林世科，
申请(专利权)人：深圳市红邦半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44