一种扇出封装方法及封装结构技术

本发明专利技术公开了一种扇出封装方法及封装结构，该方法包括：在载板的第一表面的两端形成重新布线层；在重新布线层上表面形成导电金属柱；将芯片的背面贴附在载板的第一表面的空白区；在载板的第一表面形成塑封层，在芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层，导电互连层分别与芯片以及导电金属柱电连接。去除载板以及与载板的第一表面形成的临时键合层，贯穿与重新布线层连接的绝缘介质层形成与重新布线层电连接的焊点。本发明专利技术提供的方法实现了芯片的双面扇出封装，由于导电金属柱贯穿设置在塑封层中，所以芯片层两侧可以通过该导电金属柱实现电连接，降低了封装结构的生产难度，提高了各工艺可靠性，减小了封装结构的体积。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出封装方法及封装结构
本专利技术涉及芯片封装
，具体涉及一种扇出封装方法及封装结构。
技术介绍
随着集成电路技术的快速发展，集成电路封装也再不断的完善。芯片的特征尺寸逐渐小型化以满足摩尔定律的要求，虽然芯片特征尺寸减小，但是芯片内的电子元件数量却不断增加(包含电阻、电容、二极管、晶体管等)。为了实现芯片功能在产品终端的应用，在封装领域需要封装尺寸紧凑、有更多的输出终端I/O数量的封装技术。目前，先进的封装方法包括：晶圆级芯片规模封装、扇出封装倒装芯片(FlipChip)和叠层封装等等。其中，扇出封装是一种嵌入式封装，I/O数也较多，集成灵活性较好，是主要的先进封装方式。为了满足用户对封装尺寸越来越高的要求，现有技术中为了使封装件中的元器件的数量以及功能不受影响，做出的封装尺寸不够紧凑，体积较大，而且在制作封装结构的过程中，步骤较多，工艺比较复杂，因此，往往不能满足用户的需求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种扇出封装方法及结构，从而解决现有技术的封装结构体积较大及制作工艺较复杂的技术问题。本专利技术提出的技术方案如下：第一方面，本专利技术实施例提供一种扇出封装方法，包括：在载板的第一表面的两端形成重新布线层；在所述重新布线层上表面形成导电金属柱；将芯片的背面贴附在所述载板的第一表面的空白区；在所述载板的第一表面形成塑封层，所述塑封层包覆所述芯片和所述导电金属柱的侧壁，并露出所述芯片的正面和所述导电金属柱；在所述芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层，所述导电互连层分别与所述芯片以及导电金属柱电连接。可选的，在所述载板的第一表面形成塑封层的步骤之后，且在所述芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层的步骤之前，扇出封装方法还包括:在所述芯片的正面形成导电层，且所述导电层的上表面与所述导电金属柱的上表面处于同一水平面。可选的，所述在载板的第一表面形成重新布线层的步骤之前，还包括：在载板的第一表面形成临时键合层；在所述临时键合层的上形成绝缘介质层。可选的，在所述芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层的步骤之后，还包括：去除所述载板及所述临时键合层。可选的，还包括：贯穿所述绝缘介质层形成与所述重新布线层电连接的焊点。第二方面，本专利技术实施例还提供一种扇出封装结构，包括：芯片和重新布线层，所述芯片的背面与所述重新布线层的下表面位于同一水平面上；导电金属柱，设置于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；塑封层，包覆所述芯片和所述导电金属柱的侧壁，并露出所述芯片的正面和所述导电金属柱；导电互连层，形成于所述芯片的正面，且分别与所述芯片和导电金属柱电连接。可选的，所述重新布线层包括：重布转移线层和第一介质层；所述第一介质层形成于所述重布转移线层与的空隙，且第一介质层的上表面与所述重布转移线层的上表面位于同一水平面上。可选的，所述扇出封装结构还包括：导电层，所述导电层形成于所述芯片的正面，且所述导电层的上表面与所述导电金属柱的上表面处于同一水平面。可选的，所述导电层包括：导电垫和第二介质层；所述第二介质层形成于所述导电垫与所述芯片的正面之间的空隙，且第二介质层的上表面与所述导电垫的上表面位于同一水平面上。可选的，所述扇出封装结构还包括：绝缘介质层，与所述芯片的背面及所述重新布线层的下表面固定连接。可选的，所述扇出封装结构还包括：焊点，贯穿所述绝缘介质层与所述重新布线层电连接。本专利技术技术方案，具有如下优点：本专利技术实施例提供的扇出封装方法及封装结构，通过在载板的第一表面的两端形成重新布线层；在重新布线层上表面形成导电金属柱；这样，由于重新布线层的存在，在封装结构制作过程中导电金属柱不会发生移动；将芯片的背面贴附在载板的第一表面的空白区；在载板的第一表面形成塑封层，包覆芯片和导电金属柱的侧壁，并露出芯片的正面和导电金属柱；在芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层，导电互连层分别与芯片以及导电金属柱电连接。去除载板以及与载板的第一表面形成的临时键合层，贯穿与重新布线层连接的绝缘介质层形成与重新布线层电连接的焊点，实现了芯片的双面扇出封装；此外，由于导电金属柱贯穿设置在塑封层中，所以芯片层两侧可以通过该导电金属柱实现电连接，无需在芯片内部开设通孔，也无需在设计芯片时预留预定位置，从而降低了芯片的设计难度，降低了对芯片的不同上、下游厂家设计规格和技术的一致性要求，从而降低了封装结构的生产难度，提高了各工艺可靠性，减小了封装结构的体积。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本专利技术实施例提供的扇出封装方法的一个示例的流程图；图2示出了本专利技术提供的扇出封装方法的另一个示例流程图；图3至图8为本专利技术实施例提供的扇出封装方法所得到的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。本专利技术实施例提供一种扇出封装方法，如图1所示，该扇出封装方法的步骤包括：步骤S1：在载板1的第一表面的两端形成重新布线层2。其中，如图6所示，重新布线层2包括：重布转移线层21和第一介质层22；在制作过程中，首先在载板1上形成重布转移线层21，第一介质层22再形成于重布转移线层21的空隙，且第一介质层22的上表面与所述重布转移线层21的上表面位于同一水平面上。第一介质层22的材质可以为氧化硅、碳化硅等无机材料，也可以为PBO、PI等有机材料，本专利技术仅以此举例，并不以此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出封装方法，其特征在于，包括：/n在载板的第一表面的两端形成重新布线层；/n在所述重新布线层上表面形成导电金属柱；/n将芯片的背面贴附在所述载板的第一表面的空白区；/n在所述载板的第一表面形成塑封层，所述塑封层包覆所述芯片和所述导电金属柱的侧壁，并露出所述芯片的正面和所述导电金属柱；/n在所述芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层，所述导电互连层分别与所述芯片以及导电金属柱电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种扇出封装方法，其特征在于，包括：
在载板的第一表面的两端形成重新布线层；
在所述重新布线层上表面形成导电金属柱；
将芯片的背面贴附在所述载板的第一表面的空白区；
在所述载板的第一表面形成塑封层，所述塑封层包覆所述芯片和所述导电金属柱的侧壁，并露出所述芯片的正面和所述导电金属柱；
在所述芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层，所述导电互连层分别与所述芯片以及导电金属柱电连接。


2.根据权利要求1所述的扇出封装方法，其特征在于，在所述载板的第一表面形成塑封层的步骤之后，且在所述芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层的步骤之前，还包括:
在所述芯片的正面形成导电层，且所述导电层的上表面与所述导电金属柱的上表面处于同一水平面。


3.根据权利要求1所述的扇出封装方法，其特征在于，所述在载板的第一表面形成重新布线层的步骤之前，还包括：
在载板的第一表面形成临时键合层；
在所述临时键合层上形成绝缘介质层。


4.根据权利要求1所述的扇出封装方法，其特征在于，在所述芯片的正面及塑封层上表面形成导电互连层的步骤之后，还包括：
去除所述载板及所述临时键合层。


5.根据权利要求3所述的扇出封装方法，其特征在于，还包括：
贯穿所述绝缘介质层形成与所述重新布线层电连接的焊点。


6.一种扇出封装结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恒甫，孙鹏，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31