一种双银低辐射玻璃及其生产工艺制造技术

技术编号:22968711 阅读:61 留言:0更新日期:2019-12-31 21:13
本发明专利技术提供一种双银低辐射玻璃及其生产工艺,所述双银低辐射玻璃包括:玻璃基片;所述玻璃基片表面设有双银低辐射膜层,所述双银低辐射膜层包括由内至外依次设置于所述玻璃基片一面的第一SnO

A double silver low radiation glass and its production process

【技术实现步骤摘要】
一种双银低辐射玻璃及其生产工艺
本专利技术属于玻璃生产
,具体地,涉及一种双银低辐射玻璃及其生产工艺。
技术介绍
Low-E玻璃又称低辐射玻璃,是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性,使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比,具有优异的隔热效果和良好的透光性。玻璃是重要的建筑材料,随着对建筑物装饰性要求的不断提高,玻璃在建筑行业中的使用量也不断增大。然而,当今人们在选择建筑物的玻璃门窗时,除了考虑其美学和外观特征外,更注重其热量控制、制冷成本和内部阳光投射舒适平衡等问题。这就使得镀膜玻璃家族中的新贵—Low-E玻璃脱颖而出,成为人们关注的焦点。对于低辐射玻璃,公开号为CN105174744B的中国专利公开了一种双银低辐射镀膜玻璃及基于该镀膜玻璃的夹层玻璃制品,自玻璃层向外依次为底层介质层或钠阻挡层、附着力增强层I、银功能层I、保护层I、中间介质层、附着力增强层II、银功能层II、顶层介质层或保护层II,所述保护层中含有Cr3+和Cr6+离子,其中:保护层中Cr3+和Cr6+的摩尔比为1:2.8~3.2,介质层含有SnO2、SiO2。然而,该专利所提供的双银低辐射镀膜玻璃,结构复杂,生产成本高。
技术实现思路
为解决上述存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种双银低辐射玻璃及其生产工艺,所述双银低辐射玻璃,在玻璃基片表面通过磁控溅射工艺镀双银低辐射膜层,所得双银低辐射玻璃可见光透过率高,遮阳系数高,传热性能好,生产制造成本低,经济效益好。为达到上述目的,本专利技术的技术方案是:一种双银低辐射玻璃,所述双银低辐射玻璃包括:玻璃基片;所述玻璃基片表面设有双银低辐射膜层,所述双银低辐射膜层包括由内至外依次设置于所述玻璃基片一面的第一SnOx层、第一ZnOx层、第一AgTi层、第二ZnOx层、第二SnOx层、第三ZnOx层、第二AgTi层、第四ZnOx层以及第三SnOx层;所述双银低辐射膜层通过磁控溅镀工艺镀膜于玻璃基片表面。进一步地,所述玻璃基片为白玻璃,玻璃基片的厚度为5~10mm。进一步地,所述双银低辐射玻璃的遮阳系数≤0.48。进一步地,所述双银低辐射玻璃的传热系数为1.5~1.8。进一步地,所述双银低辐射玻璃的可见光透过率为75%。同时,本专利技术还提供一种双银低辐射玻璃的生产工艺,所述生产工艺包括如下步骤:1)将玻璃基片送入磁控溅射镀膜室内,采用直流电源,功率调至32KW,以O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在玻璃基片表面磁控溅射第一SnOx层;2)采用直流电源,功率调至12KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第一SnOx层远离玻璃基片一表面磁控溅射第一ZnOx层;3)采用直流电源,功率调至2.2KW,Ar气作为反应气体,反应气体的气压为3.0mt,在所述第一ZnOx层外表面磁控溅射Ag,将直流电源功率调至2.6KW,所述第一ZnOx层外表面磁控溅射Ti,完成所述第一AgTi层在第一ZnOx层外表面的磁控溅射;4)采用直流电源,功率调至15KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第一AgTi层外表面磁控溅射第二ZnOx层;5)采用直流电源,功率调至80KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第二ZnOx层外表面磁控溅射第二SnOx层;6)采用直流电源,功率调至15KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第二SnOx层外表面磁控溅射第三ZnOx层;7)采用直流电源,功率调至3.2KW,Ar气作为反应气体,反应气体的气压为3.0mt,在所述第三ZnOx层外表面磁控溅射Ag,将直流电源功率调至2.8KW,所述第三ZnOx层外表面磁控溅射Ti,完成所述第二AgTi层在第三ZnOx层外表面的磁控溅射;8)采用直流电源,功率调至15KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第二AgTi层外表面磁控溅射第四ZnOx层;9)采用直流电源,功率调至35KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第四ZnOx层外表面磁控溅射第三SnOx层,完成所述双银低辐射玻璃的生产。进一步地,以O2和Ar气的混合气体作为反应气体的步骤中,O2和Ar气的比例为100:8。进一步地,所述玻璃基片的溅射传动速度为180cm/min。本专利技术的有益效果在于:所述双银低辐射玻璃,在玻璃基片表面通过磁控溅射工艺镀双银低辐射膜层,所得双银低辐射玻璃可见光透过率高,遮阳系数高,传热性能好,生产制造成本低,经济效益好。附图说明图1为本专利技术所提供的一种双银低辐射玻璃的结构示意图。具体实施方式参照图1,本专利技术所述的一种双银低辐射玻璃,所述双银低辐射玻璃包括:玻璃基片1;所述玻璃基片1表面设有双银低辐射膜层2,所述双银低辐射膜层2包括由内至外依次设置于所述玻璃基片1一面的第一SnOx层21、第一ZnOx层22、第一AgTi层23、第二ZnOx层24、第二SnOx层25、第三ZnOx层26、第二AgTi层27、第四ZnOx层28以及第三SnOx层29;所述双银低辐射膜层通过磁控溅镀工艺镀膜于玻璃基片1表面。进一步地,所述玻璃基片1为白玻璃,玻璃基片的厚度为5~10mm。进一步地,所述双银低辐射玻璃的遮阳系数≤0.48。进一步地,所述双银低辐射玻璃的传热系数为1.5~1.8。进一步地,所述双银低辐射玻璃的可见光透过率为75%。同时,本专利技术还提供一种双银低辐射玻璃的生产工艺,所述生产工艺包括如下步骤:1)将玻璃基片1送入磁控溅射镀膜室内,采用直流电源,功率调至32KW,以O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在玻璃基片表面磁控溅射第一SnOx层21;2)采用直流电源,功率调至12KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第一SnOx层21远离玻璃基片1一表面磁控溅射第一ZnOx层22;3)采用直流电源,功率调至2.2KW,Ar气作为反应气体,反应气体的气压为3.0mt,在所述第一ZnOx层外表面磁控溅射Ag,将直流电源功率调至2.6KW,所述第一ZnOx层22外表面磁控溅射Ti,完成所述第一AgTi层23在第一ZnOx层22外表面的磁控溅射;4)采用直流电源,功率调至15KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第一AgTi层23外表面磁控溅射第二ZnOx层24;5)采用直流电源,功率调至80KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第二ZnOx层24外表面磁控溅射第二Sn本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双银低辐射玻璃,其特征在于,所述双银低辐射玻璃包括:/n玻璃基片;/n所述玻璃基片表面设有双银低辐射膜层,所述双银低辐射膜层包括由内至外依次设置于所述玻璃基片一面的第一SnO

【技术特征摘要】
1.一种双银低辐射玻璃,其特征在于,所述双银低辐射玻璃包括:
玻璃基片;
所述玻璃基片表面设有双银低辐射膜层,所述双银低辐射膜层包括由内至外依次设置于所述玻璃基片一面的第一SnOx层、第一ZnOx层、第一AgTi层、第二ZnOx层、第二SnOx层、第三ZnOx层、第二AgTi层、第四ZnOx层以及第三SnOx层;
所述双银低辐射膜层通过磁控溅镀工艺镀膜于玻璃基片表面。


2.根据权利要求1所述的双银低辐射玻璃,其特征在于,所述玻璃基片为白玻璃,玻璃基片的厚度为5~10mm。


3.根据权利要求1所述的双银低辐射玻璃,其特征在于,所述双银低辐射玻璃的遮阳系数≤0.48。


4.根据权利要求1所述的双银低辐射玻璃,其特征在于,所述双银低辐射玻璃的传热系数为1.5~1.8。


5.根据权利要求1所述的双银低辐射玻璃,其特征在于,所述双银低辐射玻璃的可见光透过率为75%。


6.一种如权利要求1~5中任一项所述的双银低辐射玻璃的生产工艺,其特征在于,所述生产工艺包括如下步骤:
1)将玻璃基片送入磁控溅射镀膜室内,采用直流电源,功率调至32KW,以O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在玻璃基片表面磁控溅射第一SnOx层;
2)采用直流电源,功率调至12KW,O2和Ar气的混合气体作为反应气体,反应气体的气压为2.0mt,在所述第一SnOx层远离玻璃基片一表面磁控溅射第一ZnOx层;
3)采用直流电源,功率调至2.2KW,Ar气作为反应气体,反应气体的气压为3.0mt,在所述第一ZnOx层外表面磁控溅射Ag,将直流电...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩君晖
申请(专利权)人:太仓耀华玻璃有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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