晶圆镀钨膜加热器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种晶圆镀钨膜加热器，其包含一加热盘、一真空装置及一加热装置；加热盘中心处具抽气孔，加热盘的顶面形成有一内环槽、一外环槽、多个内径向槽及多个外径向槽，内环槽环绕抽气孔，外环槽环绕内环槽，外径向槽的两端连通内环槽及外环槽，且外径向槽弧形地延伸；由此，外径向槽因弧形延伸而使的外径向槽的总长度较长，外径向槽两侧延伸形成的有效排气区域因此能够完整覆盖内环槽与外环槽之间的面积，从而使得外加热块与晶圆间的气体可迅速移动进入外径向槽内而被排出，由此加快晶圆吸附于加热平面的速度，以提高产量。

【技术实现步骤摘要】
晶圆镀钨膜加热器
本技术涉及一种在金属钨化学气相沉积制程中，用于加热基材的加热器，尤指一种在半导体晶圆的钨沉积制程中，用于加热晶圆的晶圆镀钨膜加热器。
技术介绍
在半导体制程中，具有一钨沉积制程，钨沉积制程是以化学气相沉积的方式，将钨沉积于晶圆表面上，以形成晶片上的接点或通道等导电结构。钨沉积制程在一反应室中进行，反应室中具有一加热器，加热器整体为一金属座体，加热器的顶面突出有多个陶瓷弹性凸点，加热器中央凹设有真空吸附装置；进行钨沉积制程时，将晶圆放置于加热器上，同时以前驱气体充满反应室，加热器先以隔热效果良好的陶瓷弹性凸点支撑晶圆，使加热器能够与隔着薄层空气对晶圆进行预热；预热完成后，加热器启动中央的真空吸附装置，将晶圆吸附贴靠于加热器的表面，继续将晶圆加热至处理温度，使晶圆表面与前驱气体作用，在晶圆上沉积形成钨薄膜。现有的加热器如图6所示，加热器的顶面为一圆型的加热平面91，加热平面91中央处凹设有抽气孔92，并且加热平面91凹设有与抽气孔92相连通的多个内径向槽93、一内环槽94及多个外径向槽95，通过设置前述各凹槽以确保真空装置所产生的负压吸附力能均匀分布于晶圆的平面上；在真空装置启动后，晶圆与加热器顶面之间的气体经由抽气孔92向下抽出，使晶圆底面的气压小于晶圆顶面的气压，进而使晶圆的底面朝贴靠于加热平面91的方向移动；当晶圆的底面朝贴靠于加热平面91的方向移动时，晶圆与加热平面91之间的气体的是沿加热平面91的平面，从加热平面91的周缘处朝抽气孔92移动，具体来说，大部分的气体会先汇集至外径向槽95，然后再经由内径向槽93流动到抽气孔92，再被真空装置抽出，因此可想象外径向槽95会在凹槽的两侧延伸形成一个长条状的有效排气区域，在有效排气区域中的气体因距离凹槽很近，因此气体可迅速汇集至外径向槽95内而被排出；然而，因外径向槽95是一直线地从加热平面91的中心朝加热平面91的周缘放射状的延伸，造成外径向槽95的间隔距离随着外径向槽95远离加热平面91的中心不断增加，因而使得外加热块911的中央与外径向槽95的距离在远离加热平面91的中心处变得过大而无法被外径向槽95等凹槽所形成的有效排气区域覆盖，因而使晶圆向下移动时，外加热块911与晶圆之间的气体无法迅速地通过外径向槽95等凹槽排出，晶圆也因此无法确实贴靠于加热平面91；造成现有的加热器在启动真空吸附装置后，需费时等待晶圆吸附贴靠于加热平面91，因而影响生产速度。因此，现有技术的晶圆镀钨膜加热器实有待加以改进。
技术实现思路
有鉴于前述的现有技术的缺点及不足，本技术提供一种晶圆镀钨膜加热器以减少晶圆吸附贴靠于加热平面所需的时间。为达到上述的创作目的，本技术所采用的技术手段为设计一种晶圆镀钨膜加热，其中包含：一加热盘，其具有：一加热平面，其位于该加热盘的顶面；一抽气孔，其贯穿该加热盘的该加热平面及底面；一内环槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心及该抽气孔；一外环槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心及该内环槽；多个内径向槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心间隔设置；所述内径向槽的一端连通该抽气孔，另一端连通该内环槽；多个外径向槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心间隔设置；所述外径向槽的一端连通该内环槽，另一端连通该外环槽，且所述外径向槽弧形地延伸；多个弹片凹槽，所述弹片凹槽环绕该加热平面间隔设置；一真空装置，该真空装置连通该加热盘的该抽气孔；一加热装置，其连接该加热盘。本技术的优点在于，通过使外径向槽弧形地朝加热平面的周缘延伸，外径向槽因弧形延伸而使得外径向槽的总长度相比于现有技术的直线延伸的外径向槽来的更长，因此本技术的外径向槽两侧延伸形成的有效排气区域因此能够完整覆盖外加热块的全部面积，从而使得外加热块与晶圆间的气体可迅速沿加热平面移动进入外径向槽内而被排出，由此缩短启动真空吸附装置后，晶圆吸附贴靠于加热平面的速度，加快生产速度。进一步而言，前述的晶圆镀钨膜加热器，其中所述外径向槽的数量大于所述内径向槽的数量。进一步而言，前述的晶圆镀钨膜加热器，其中所述外径向槽的数量为所述内径向槽的数量的两倍。进一步而言，前述的晶圆镀钨膜加热器，其中所述该弹片凹槽位于该内环槽的外侧，且各该弹片凹槽连通其中至少两该外径向槽。进一步而言，前述的晶圆镀钨膜加热器，其中该外环槽相邻该加热平面的周缘。进一步而言，前述的晶圆镀钨膜加热器，其中该加热盘进一步具有：一吹气环槽，其凹设于该加热盘的顶面，且位于该加热平面的外侧；多个吹气通道，其凹设于该加热盘的底面，且环绕该加热盘的中心间隔设置，各该吹气通道与该吹气环槽相连通。进一步而言，前述的晶圆镀钨膜加热器，其中该加热盘进一步具有一中环槽，该中环槽凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心及该内环槽；该外环槽环绕该中环槽。进一步而言，前述的晶圆镀钨膜加热器，其中该晶圆镀钨膜加热器进一步包含多个弹片，所述弹片分别设于该加热盘的该多个弹片凹槽中，各该弹片的一侧面突出有一凸点，各该弹片的该凸点选择性地向上突出该加热平面。附图说明图1为本技术的立体外观图。图2为本技术的元件分解图。图3为本技术的剖视示意图。图4为本技术的俯视图。图5为本技术的另一剖视示意图。图6为现有技术的晶圆镀钨膜加热器的上视图。具体实施方式以下配合附图及本技术的较佳实施例，进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段。请参阅图1至图3所示，本技术的晶圆镀钨膜加热器包含一加热盘10、多个弹片20、一真空装置(图中未示)及一加热装置(图中未示)，本技术用以对一晶圆A进行加热；弹片20设于加热盘10的顶面，晶圆A通过弹片20的抵靠与加热盘10的顶面间隔设置，真空装置连接至加热盘10；当真空装置启动后，晶圆A与加热盘10间的气体被真空装置抽出，使晶圆A因两侧面的压力差而吸附贴靠于加热盘10的顶面。请参阅图1、图3及图4所示，前述的加热盘10具有一加热平面11、一抽气孔12、一内环槽13、一外环槽15、多个内径向槽17、多个外径向槽18及多个弹片凹槽19，且在本实施例中，加热盘10进一步包含一中环槽14、一吹气环槽16及一吹气通道161；前述的加热平面11位于加热盘10的顶面，在本实施例中，加热平面11的形状为圆形，且加热平面11的直径与晶圆A的直径大致相同，但加热平面11的形状也可以是方形等其他形状，仅要能均匀加热晶圆A即可；抽气孔12贯穿加热盘10的加热平面11及底面，在本实施例中，抽气孔12在加热平面11上环绕加热平面11的中心形成有多个抽气开口，但不以此为限；前述的内环槽13、中环槽14及外环槽15凹设于加热平面11上，且环绕加热平面11的中心及抽气孔12，中环槽14环绕本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆镀钨膜加热器，其特征在于，包含：/n一加热盘，其具有：/n一加热平面，其位于该加热盘的顶面；/n一抽气孔，其贯穿该加热盘的该加热平面及底面；/n一内环槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心及该抽气孔；/n一外环槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心及该内环槽；/n多个内径向槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心间隔设置；所述内径向槽的一端连通该抽气孔，另一端连通该内环槽；/n多个外径向槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心间隔设置；所述外径向槽的一端连通该内环槽，另一端连通该外环槽，且所述外径向槽弧形地延伸；/n多个弹片凹槽，所述弹片凹槽环绕该加热平面间隔设置；/n一真空装置，该真空装置连通该加热盘的该抽气孔；/n一加热装置，其连接该加热盘。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆镀钨膜加热器，其特征在于，包含：
一加热盘，其具有：
一加热平面，其位于该加热盘的顶面；
一抽气孔，其贯穿该加热盘的该加热平面及底面；
一内环槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心及该抽气孔；
一外环槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心及该内环槽；
多个内径向槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心间隔设置；所述内径向槽的一端连通该抽气孔，另一端连通该内环槽；
多个外径向槽，其凹设于该加热平面上，且环绕该加热平面的中心间隔设置；所述外径向槽的一端连通该内环槽，另一端连通该外环槽，且所述外径向槽弧形地延伸；
多个弹片凹槽，所述弹片凹槽环绕该加热平面间隔设置；
一真空装置，该真空装置连通该加热盘的该抽气孔；
一加热装置，其连接该加热盘。


2.如权利要求1所述的晶圆镀钨膜加热器，其特征在于，所述外径向槽的数量大于所述内径向槽的数量。


3.如权利要求2所述的晶圆镀钨膜加热器，其特征在于，所述外径向槽的数量为所述内径向槽的数量的两倍。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈登葵，
申请(专利权)人：微芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;TW