一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺制造技术

一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺，包括以下步骤，将铜箔、半固化片、热能传输载体依次层叠并进行预压合；加热所述半固化片，使所述半固化片加热后流动作为胶水作用把所述热能传输载体和所述铜箔粘结；对所述铜箔进行蚀刻，形成连通至所述半固化片的第一导热通道；通过所述第一导热通道注入溶剂，并对所述半固化片进行溶解，直至所述热能传输载体，从而形成与所述第一导热通道连通的第二导热通道；所述步骤四中的所述半固化片完全固化后，进行完全压合；通过电镀沉积使所述第一导热通道和所述第二导热通道内填充导热体，直至与所述铜箔处于同一高度。本发明专利技术将导热体上表面和铜箔调整为同一平面内，导热功能强。

【技术实现步骤摘要】
一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺
本专利技术涉及PCB加工制造设备
，特别是一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺。
技术介绍
现有大功率电子元件的散热结构的制作工艺是主要将热沉，铝基板、导热硅脂、散热板件等部分依次连接构成，大功率电子元件经热沉与铝基板连接，这种制作工艺虽然工艺简单，但其所制得的散热结构却存在导热散热性能差等缺陷和不足，从而极大的影响了大功率电子元件的应用领域和应用范围，其导热散热性能差的主要原因在于铝基板的结构设置。铝基板一般由保护油层、铜箔层，绝缘层以及铝板层依次叠加而成，其中，绝缘层虽然在绝缘方面起到良好且有效的积极作用，却同时也生产了隔热的负面效果，大功率电子元件所产生的热量无法及时迅速导出，从而极大地影响了大功率电子元件的使用寿命。故有必要对现有制作工艺进行革新，有效地解决大功率电子元件的散热问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺，本专利技术解决了现有的PCB制作工艺散热性差的问题。本专利技术的技术解决方案是：一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺，包括以下步骤，步骤一，将铜箔、半固化片、热能传输载体依次层叠并进行预压合；步骤二，加热所述半固化片，使所述半固化片加热后流动作为胶水作用把所述热能传输载体和所述铜箔粘结；步骤三，对所述铜箔进行蚀刻，使所述铜箔上形成连通至所述半固化片的第一导热通道；步骤四，通过所述第一导热通道注入溶剂，并对所述步骤三中未完全固化的所述半固化片进行溶解，直至所述热能传输载体，从而形成与所述第一导热通道连通的第二导热通道；步骤五，所述步骤四中的所述半固化片完全固化后，进行完全压合；步骤六，通过电镀沉积使所述第一导热通道和所述第二导热通道内填充导热体，直至与所述铜箔处于同一高度。作为优选，所述第一导热通道为圆柱形。作为优选，所述步骤四中的溶剂为丙酮，通过滴入的方式注入所述第一导热通道内。作为优选，所述第二导热通道为圆柱形。作为优选，所述步骤四中的溶剂为丙酮，通过喷射的方式注入所述第一导热通道内。作为优选，所述溶剂沿所述第一导热通道的轴向轴心线环绕喷射。作为优选，所述第一导热通道的深度为H，所述第一导热通道的底面半径为R，所述溶剂的喷射方向与所述第一导热通道的轴向轴心线夹角为a，其中，0<a<arctan(R/H)。作为优选，所述第二导热通道为圆台形。作为优选，所述导热体为金属铜。作为优选，所述热能传输载体为金属铜。本专利技术有益效果是：本专利技术制作工艺通过在铜箔和半固化片上分别开设将第一导热通道和第二导热通道，并且在第一导热通道和第二导热通道内通过电镀的方式填充导热体，使导热体上表面和铜箔调整为同一平面，从而使本制作工艺所得的散热结构可以将大功率电子元件所产生的热量经导热体迅速导向热能传输载体，其导热散热功能大大增强。附图说明图1为本专利技术结构示意图；图2为本专利技术电镀沉积后示意图；图3实施例二结构示意图；图4为实施例二电镀沉积后示意图；具体实施方式下面结合附图以实施例对本专利技术作进一步说明。本具体实施例仅仅是对本专利技术的解释，其并不是对本专利技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本专利技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。实施例一，如图1、图2所示，一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺，包括以下步骤，步骤一，将铜箔1、半固化片2、热能传输载体3依次层叠并进行预压合；步骤二，加热所述半固化片2，使所述半固化片2加热后流动作为胶水作用把所述热能传输载体3和所述铜箔1粘结；步骤三，对所述铜箔1进行蚀刻，使所述铜箔1上形成连通至所述半固化片2的第一导热通道101；步骤四，通过所述第一导热通道101注入溶剂，并对所述步骤三中未完全固化的所述半固化片2进行溶解，直至所述热能传输载体3，从而形成与所述第一导热通道101连通的第二导热通道201；步骤五，所述步骤四中的所述半固化片2完全固化后，进行完全压合；步骤六，通过电镀沉积使所述第一导热通道101和所述第二导热通道201内填充导热体4，直至与所述铜箔1处于同一高度，所述导热体4与大功率电子元器件底部焊接，通过将导热体4上表面和铜箔1调整为同一平面内，将大功率电子元件底部与导热体4连接，这样设置，可以将大功率电子元件所产生热量经导热体4迅速导向热能传输载体3，其导热散热功能大大增强。优选的，所述第一导热通道101为圆柱形，所述步骤四中的溶剂为丙酮，通过滴入的方式注入所述第一导热通道101内，所述第二导热通道201为圆柱形，这样的设置可使第一导热通道101和第二导热通道201结合后的形状形成圆柱体，将大功率电子元件所产生热量快速导向热能传输载体3，提高导热效率。优选的，所述导热体4为金属铜。优选的，所述热能传输载体3为金属铜。实施例二，如图3、图4所示，一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺，包括以下步骤，步骤一，将铜箔1、半固化片2、热能传输载体3依次层叠并进行预压合；步骤二，加热所述半固化片2，使所述半固化片2加热后流动作为胶水作用把所述热能传输载体3和所述铜箔1粘结；步骤三，对所述铜箔1进行蚀刻，使所述铜箔1上形成连通至所述半固化片2的第一导热通道101；步骤四，通过所述第一导热通道101注入溶剂，并对所述步骤三中未完全固化的所述半固化片2进行溶解，直至所述热能传输载体3，从而形成与所述第一导热通道101连通的第二导热通道201；步骤五，所述步骤四中的所述半固化片2完全固化后，进行完全压合；步骤六，通过电镀沉积使所述第一导热通道101和所述第二导热通道201内填充导热体4，直至与所述铜箔1处于同一高度，所述导热体4与大功率电子元器件底部焊接，通过将导热体4上表面和铜箔1调整为同一平面内，将大功率电子元件底部与导热体4连接，这样设置，可以将大功率电子元件所产生热量经导热体4迅速导向热能传输载体3，其导热散热功能大大增强。。优选的，所述第一导热通道101为圆柱形，所述步骤四中的溶剂为丙酮，通过喷射的方式注入所述第一导热通道101内，所述溶剂沿所述第一导热通道101的轴向轴心线环绕喷射，所述第一导热通道101的深度为H，所述第一导热通道101的底面半径为R，所述溶剂的喷射方向与所述第一导热通道101的轴向轴心线夹角为a，其中，0<a<arctan(R/H)，所述第二导热通道201为圆台形，这样的设置可使第一导热通道101和第二导热通道201结合后的形状形成喇叭状，将大功率电子元件所产生热量快速向热能传输载体3扩散，提高导热效率。优选的，所述导热体4为金属铜。优选的，所述热能传输载体3为金属铜。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺，其特征在于：包括以下步骤，/n步骤一，将铜箔(1)、半固化片(2)、热能传输载体(3)依次层叠并进行预压合；/n步骤二，加热所述半固化片(2)，使所述半固化片(2)加热后流动作为胶水作用把所述热能传输载体(3)和所述铜箔(1)粘结；/n步骤三，对所述铜箔(1)进行蚀刻，使所述铜箔(1)上形成连通至所述半固化片(2)的第一导热通道(101)；/n步骤四，通过所述第一导热通道(101)注入溶剂，并对所述步骤三中未完全固化的所述半固化片(2)进行溶解，直至所述热能传输载体(3)，从而形成与所述第一导热通道(101)连通的第二导热通道(201)；/n步骤五，所述步骤四中的所述半固化片(2)完全固化后，进行完全压合；/n步骤六，通过电镀沉积使所述第一导热通道(101)和所述第二导热通道(201)内填充导热体(4)，直至与所述铜箔(1)处于同一高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺，其特征在于：包括以下步骤，
步骤一，将铜箔(1)、半固化片(2)、热能传输载体(3)依次层叠并进行预压合；
步骤二，加热所述半固化片(2)，使所述半固化片(2)加热后流动作为胶水作用把所述热能传输载体(3)和所述铜箔(1)粘结；
步骤三，对所述铜箔(1)进行蚀刻，使所述铜箔(1)上形成连通至所述半固化片(2)的第一导热通道(101)；
步骤四，通过所述第一导热通道(101)注入溶剂，并对所述步骤三中未完全固化的所述半固化片(2)进行溶解，直至所述热能传输载体(3)，从而形成与所述第一导热通道(101)连通的第二导热通道(201)；
步骤五，所述步骤四中的所述半固化片(2)完全固化后，进行完全压合；
步骤六，通过电镀沉积使所述第一导热通道(101)和所述第二导热通道(201)内填充导热体(4)，直至与所述铜箔(1)处于同一高度。


2.根据权利要求1所述的一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺，其特征在于：所述第一导热通道(101)为圆柱形。


3.根据权利要求1所述的一种用于大功率电子元器件散热的PCB制作工艺，其特征在于：所述步骤四中的溶剂为丙酮，通过滴入的方式注入所述第一导热通道(101)内。


4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟，
申请(专利权)人：临安盛浙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33