离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置。该离子切割校准装置包括第一校准组件和第二校准组件，第一校准组件具有第一校准面，第二校准组件具有第二校准面；待校准样品和样品托板设置在第一校准面上，以调整待校准样品在样品托板上的位置，并形成初校准样品；初校准样品设置在第二校准面上，第二校准面与离子切割装置的挡板相对设置，以调整初校准样品与离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。该离子切割装置包括离子发生器、挡板以及上述的离子切割校准装置。本发明专利技术提高了校准装样的准确性，减少了校准样品表面的离子划痕，缩短了离子切割的时间，从而提高了离子切割的效率。

Ion cutting calibration device, calibration method and ion cutting device

【技术实现步骤摘要】
离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置
本专利技术涉及样品表面处理技术，尤其涉及一种离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置。
技术介绍
装样校准在很多场景中发挥着极其重要的作用。例如，离子切割前需要用挡板遮挡住样品不被切割的部分，露出需要进行离子切割的部分，样品高出挡板的部分为样品的被切割部，然后利用离子对被切割部进行轰击从而获得平整的样品切割面。可见，准确的装样对离子的切割效果有很大影响。现有技术中，通常先将样品底面用双面胶黏在样品托上，使样品的一个侧面与基准靠板贴齐，然后将样品托转移至三轴平移台上，通过三轴平移台调节样品的上下、前后及左右位置，使样品紧贴挡板并露出需要进行离子切割的部分。然而通过上述方法校准装样不够准确，容易使校准样品表面产生离子划痕，且导致离子切割的时间过长，效率低下。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题，本专利技术提供一种离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置，能够有效避免离子切割校准装置的校准装样不够准确的问题，减少了校准样品表面的离子划痕，并缩短了离子切割的时间，提高了离子切割的效率。为实现上述的技术效果，第一方面，本专利技术提供一种离子切割校准装置，用于离子切割装置的装样校准，包括第一校准组件和第二校准组件，所述第一校准组件具有第一校准面，所述第二校准组件具有第二校准面。待校准样品和样品托板设置在所述第一校准面上，以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品。所述初校准样品设置在所述第二校准面上，所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置，以调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。可选地，所述第一校准组件包括底板和设置在所述底板上的基准靠板，所述基准靠板的侧面具有表面高度不同的两个基准面；其中，表面高度较低的所述基准面为第一基准面，表面高度较高的所述基准面为第二基准面，所述第一基准面和所述第二基准面通过位于两者之间的连接面连接，所述第一基准面和所述第二基准面共同形成所述第一校准面；所述待校准样品和所述样品托板分别抵接所述第一基准面和所述第二基准面上，以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品。可选地，所述底板的表面具有高度不同的第一平面和第二平面，所述第一平面和所述第二平面通过位于两者之间的侧面连接；当所述基准靠板设置在所述底板上时，所述基准靠板位于高度较低的所述第一平面上，所述第一基准面抵接所述侧面；所述样品托板位于高度较高的第二平面上，且所述样品托板靠近所述基准靠板一侧的端部抵接所述第一基准面，所述待校准样品靠近所述基准靠板一侧的端部抵接所述第二基准面。可选地，所述第二校准组件包括第一基准台和与所述第一基准台连接的第二基准台，所述第二校准面位于所述第一基准台上。可选地，所述第一基准台和所述第二基准台通过卡合组件连接，所述卡合组件包括位于所述第一基准台和所述第二基准台中一者上的卡接头，以及位于所述第一基准台和所述第二基准台中另一者上的卡接槽，当所述第一基准台和所述第二基准台连接时，所述卡接头卡设在所述卡接槽中。可选地，所述第一基准台包括底座。所述底座具有第一腔体，所述第一腔体内设置有第一转动件，所述第一转动件的转轴位于第一方向上；所述第一转动件内设置有第二腔体，所述第二腔体内设置有第二转动件，所述第二转动件的转轴位于第二方向上，所述第一方向和所述第二方向为空间中相互垂直的两个方向。所述第二转动件具有沿所述第一方向延伸的滑槽，所述滑槽的槽口与所述挡板相对设置，所述样品托板位于所述滑槽中，与所述样品托板连接的所述初校准样品通过所述槽口暴露在所述滑槽的外部，并与所述挡板沿所述第二方向相对设置。可选地，所述第二基准台包括基座和与所述基座相对设置的固定座，所述第一基准台连接在所述固定座上。所述基座上靠近所述固定座的一侧设置有推板，所述基座上设置有调整所述推板在所述第一方向上的位置的第一调节件，以及调整所述推板在所述第二方向上的位置的第二调节件。当所述第一基准台连接在所述第二基准台上时，所述推板的端部位于所述滑槽的第一端，并抵接所述滑槽内的所述样品托板，以推动所述样品托板在所述滑槽的相对位置的第一端和第二端之间往复滑动。可选地，所述底座上设置有多个锁定件；其中，所述底座和所述第一转动件之间设置有至少一个用于锁定所述第一转动件在所述底座内的转动位置的第一锁定件；所述第一转动件与所述第二转动件之间设置有至少一个用于锁定所述第二转动件在所述第一转动件内的转动位置的第二锁定件。所述滑槽和所述样品托板之间设置有弹性件，所述样品托板在所述推板的推力和所述弹性件的弹性恢复力的共同作用下，在所述滑槽内往复滑动；所述样品托板和所述滑槽之间设置有至少一个用于锁定所述样品托板在所述滑槽内的移动位置的第三锁定件。第二方面，本专利技术提供一种离子切割校准方法，应用于如上所述的离子切割校准装置中，包括：将待校准样品和样品托板安装在第一校准组件的第一校准面上，调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品。将所述初校准样品设置在第二校准组件的第二校准面上，所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置，调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。第三方面，本专利技术还提供一种离子切割装置，包括离子发生器、挡板以及如上所述的离子切割校准装置。待校准样品和样品托板设置在离子切割校准装置上，所述挡板位于所述待校准样品和所述离子发生器之间，且所述离子发生器的离子发射端朝向所述挡板和所述待校准样品。本专利技术提供的离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置，该离子切割校准装置用于离子切割装置的装样校准，包括具有第一校准面的第一校准组件和具有第二校准面的第二校准组件。通过将待校准样品和样品托板设置在第一校准面上，以调整待校准样品在样品托板上的位置，以形成初校准样品；通过将初校准样品设置在第二校准面上，第二校准面与离子切割装置的挡板相对设置，以调整初校准样品与离子切割装置的挡板的相对位置，以形成校准样品，提高了校准装样的准确性，减少了校准样品表面的离子划痕，同时也降低了离子切割的装样难度。该离子切割装置包括离子发生器、挡板和上述的离子切割校准装置，通过将待校准样品和样品托板设置在上述离子切割校准装置上，挡板位于待校准样品和离子发生器之间，且离子发生器的离子发射端朝向挡板和待校准样品，缩短了离子切割的时间，提高了离子切割的效率。本专利技术的构造以及它的其他专利技术目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一提供的离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子切割校准装置，用于离子切割装置的装样校准，其特征在于，包括第一校准组件和第二校准组件，所述第一校准组件具有第一校准面，所述第二校准组件具有第二校准面；/n待校准样品和样品托板设置在所述第一校准面上，以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品；/n所述初校准样品设置在所述第二校准面上，所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置，以调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子切割校准装置，用于离子切割装置的装样校准，其特征在于，包括第一校准组件和第二校准组件，所述第一校准组件具有第一校准面，所述第二校准组件具有第二校准面；
待校准样品和样品托板设置在所述第一校准面上，以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品；
所述初校准样品设置在所述第二校准面上，所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置，以调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。


2.根据权利要求1所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述第一校准组件包括底板和设置在所述底板上的基准靠板，所述基准靠板的侧面具有表面高度不同的两个基准面；
其中，表面高度较低的所述基准面为第一基准面，表面高度较高的所述基准面为第二基准面，所述第一基准面和所述第二基准面通过位于两者之间的连接面连接，所述第一基准面和所述第二基准面共同形成所述第一校准面；
所述待校准样品和所述样品托板分别抵接所述第一基准面和所述第二基准面上，以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品。


3.根据权利要求2所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述底板的表面具有高度不同的第一平面和第二平面，所述第一平面和所述第二平面通过位于两者之间的侧面连接；
当所述基准靠板设置在所述底板上时，所述基准靠板位于高度较低的所述第一平面上，所述第一基准面抵接所述侧面；
所述样品托板位于高度较高的第二平面上，且所述样品托板靠近所述基准靠板一侧的端部抵接所述第一基准面，所述待校准样品靠近所述基准靠板一侧的端部抵接所述第二基准面。


4.根据权利要求3所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述第二校准组件包括第一基准台和与所述第一基准台连接的第二基准台，所述第二校准面位于所述第一基准台上。


5.根据权利要求4所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述第一基准台和所述第二基准台通过卡合组件连接，所述卡合组件包括位于所述第一基准台和所述第二基准台中一者上的卡接头，以及位于所述第一基准台和所述第二基准台中另一者上的卡接槽，当所述第一基准台和所述第二基准台连接时，所述卡接头卡设在所述卡接槽中。


6.根据权利要求5所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述第一基准台包括底座；
所述底座具有第一腔体，所述第一腔体内设置有第一转动件，所述第一转动件的转轴位于第一方向上；所述第一转动件内...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜忠明，杨继进，周飞，陈卫，
申请(专利权)人：中国科学院地质与地球物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11