一种氧化物薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种氧化物薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置，涉及薄膜晶体管技术领域，解决氧化物薄膜晶体管中的氧化物有源层容易出现局部劣化，进而影响显示面板良率的问题。该氧化物薄膜晶体管包括：栅极；依次排布的第一有源层结构和第二有源层结构，第一有源层结构包括相对设置的第一导电连接部和第二导电连接部，以及分别与第一导电连接部和第二导电连接部耦接的第一氧化物半导体图形；第二有源层结构包括相对设置的第三导电连接部和第四导电连接部，以及分别与第三导电连接部和第四导电连接部耦接的第二氧化物半导体图形；第二导电连接部与第三导电连接部耦接。本发明专利技术提供的氧化物薄膜晶体管用于驱动像素发光。

An oxide thin film transistor and its driving method and display device

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置
本专利技术涉及薄膜晶体管
，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
氧化物薄膜晶体管以其高电子迁移率、低关态电流、制备工艺简单等优势成为大尺寸、高分辨率、低功耗、窄边框的显示面板的首选。但是这种氧化物薄膜晶体管在制作过程中，由于氧化物有源层制备工艺的不稳定性，导致氧化物有源层容易出现局部劣化，进而对显示面板的良率产生影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氧化物薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置，用于解决氧化物薄膜晶体管中的氧化物有源层容易出现局部劣化，进而影响显示面板良率的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本专利技术的第一方面提供一种氧化物薄膜晶体管，包括：设置在基底上的栅极；沿第一方向依次排布的至少两个有源层结构，所述至少两个有源层结构包括第一有源层结构和第二有源层结构，所述第一有源层结构包括：相对设置的第一导电连接部和第二导电连接部，以及位于所述第一导电连接部和所述第二导电连接部之间，且分别与所述第一导电连接部和所述第二导电连接部耦接的第一氧化物半导体图形；所述第二有源层结构包括：相对设置的第三导电连接部和第四导电连接部，以及位于所述第三导电连接部和所述第四导电连接部之间，且分别与所述第三导电连接部和所述第四导电连接部耦接的第二氧化物半导体图形；所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影和所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影，均位于所述栅极在所述基底上的正投影的内部；所述第二导电连接部与所述第三导电连接部耦接。可选的，所述第一导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第一交叠区域；所述第二导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第二交叠区域；所述第三导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第三交叠区域；所述第四导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第四交叠区域；所述第二交叠区域和所述第三交叠区域位于所述第一交叠区域和所述第四交叠区域之间。可选的，所述薄膜晶体管还包括第一搭接部，所述第二导电连接部和所述第三导电连接部通过所述第一搭接部耦接，所述第一搭接部在所述基底上的正投影与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠，且与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠。可选的，所述第一氧化物半导体图形和所述第二氧化物半导体图形沿第一方向依次排列，且沿与所述第一方向垂直的第二方向错开。可选的，所述第一氧化物半导体图形在所述第二方向上的正投影，与所述第二氧化物半导体图形在所述第二方向上的正投影形成第五交叠区域，所述第二导电连接部、所述第一搭接部和所述第三导电连接部形成为沿所述第二方向延伸的一体化一字型结构，所述第五交叠区域在所述第一方向的尺寸与所述一字型结构沿第一方向的宽度相同。可选的，所述第一氧化物半导体图形和所述第二氧化物半导体图形形成为一体化结构，所述第二导电连接部复用为所述第三导电连接部。可选的，所述第一导电连接部包括沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的第一部分，和由所述第一部分沿所述第二方向延伸出的第二部分，所述第一部分在所述基底上的正投影与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成所述第一交叠区域，所述第二部分在所述基底上的正投影与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠。可选的，所述第四导电连接部包括第三部分和第四部分，所述第三部分沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，所述第三部分在所述基底上的正投影与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影部分交叠，形成所述第四交叠区域；所述第四部分沿所述第一方向延伸，所述第四部分在所述基底上的正投影与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠，所述第四部分与所述第三部分的第一端耦接，该第一端在所述基底上的正投影与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠。可选的，所述第一导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第一交叠区域；所述第二导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第二交叠区域；所述第三导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第三交叠区域；所述第四导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第四交叠区域；在与所述第一方向垂直的第二方向上，所述第二交叠区域和所述第三交叠区域位于所述第一氧化物半导体图形的第一侧，所述第一交叠区域和所述第四交叠区域位于所述第二氧化物半导体图形的第二侧，所述第一侧和所述第二侧相对。可选的，所述薄膜晶体管还包括第二搭接部，所述第二导电连接部和所述第三导电连接部通过所述第二搭接部耦接，所述第二搭接部在所述基底上的正投影与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠，且与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠；所述第二导电连接部、所述第二搭接部和所述第三导电连接部形成为沿所述第一方向的一字型结构。可选的，所述第一导电连接部包括相耦接的第五部分和第六部分，所述第五部分沿所述第一方向延伸，所述第五部分在所述基底上的正投影与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成所述第一交叠区域；所述第六部分沿所述第二方向延伸，所述第六部分在所述基底上的正投影与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠。可选的，所述第四导电连接部包括第七部分、第八部分和第九部分；其中，所述第七部分沿所述第一方向延伸，所述第七部分在所述基底上的正投影与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成所述第四交叠区域；所述第九部分沿所述第一方向延伸，所述第九部分在所述基底上的正投影与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠；所述第八部分沿所述第二方向延伸，所述第八部分在所述基底上的正投影位于所述第七部分在所述基底上的正投影和所述第九部分在所述基底上的正投影之间，且与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠，所述第七部分通过所述第八部分与所述第九部分耦接。可选的，所述第一氧化物半导体图形与所述第二氧化物半导体图形同层同材料设置。基于上述氧化物薄膜晶体管的技术方案，本专利技术的第二方面提供一种显示装置，包括上述氧化物薄膜晶体管。基于上述氧化物薄膜晶体管的技术方案，本专利技术的第三方面提供一种氧化物薄膜晶体管的驱动方法，用于驱动上述氧化物薄膜晶体管，所述驱动方法包括：向所述氧化物薄膜晶体管的栅极、所述第一有源层结构包括的第二导电连接部和所述第二有源层结构包括的第四导电连接部施加驱动信号，以使该氧化物薄膜晶体管导通。本专利技术提供的技术方案中，设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n设置在基底上的栅极；/n沿第一方向依次排布的至少两个有源层结构，所述至少两个有源层结构包括第一有源层结构和第二有源层结构，所述第一有源层结构包括：相对设置的第一导电连接部和第二导电连接部，以及位于所述第一导电连接部和所述第二导电连接部之间，且分别与所述第一导电连接部和所述第二导电连接部耦接的第一氧化物半导体图形；所述第二有源层结构包括：相对设置的第三导电连接部和第四导电连接部，以及位于所述第三导电连接部和所述第四导电连接部之间，且分别与所述第三导电连接部和所述第四导电连接部耦接的第二氧化物半导体图形；所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影和所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影，均位于所述栅极在所述基底上的正投影的内部；所述第二导电连接部与所述第三导电连接部耦接。/n

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：
设置在基底上的栅极；
沿第一方向依次排布的至少两个有源层结构，所述至少两个有源层结构包括第一有源层结构和第二有源层结构，所述第一有源层结构包括：相对设置的第一导电连接部和第二导电连接部，以及位于所述第一导电连接部和所述第二导电连接部之间，且分别与所述第一导电连接部和所述第二导电连接部耦接的第一氧化物半导体图形；所述第二有源层结构包括：相对设置的第三导电连接部和第四导电连接部，以及位于所述第三导电连接部和所述第四导电连接部之间，且分别与所述第三导电连接部和所述第四导电连接部耦接的第二氧化物半导体图形；所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影和所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影，均位于所述栅极在所述基底上的正投影的内部；所述第二导电连接部与所述第三导电连接部耦接。


2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第一交叠区域；
所述第二导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第二交叠区域；
所述第三导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第三交叠区域；
所述第四导电连接部在所述基底上的正投影，与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成第四交叠区域；
所述第二交叠区域和所述第三交叠区域位于所述第一交叠区域和所述第四交叠区域之间。


3.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一搭接部，所述第二导电连接部和所述第三导电连接部通过所述第一搭接部耦接，所述第一搭接部在所述基底上的正投影与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠，且与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠。


4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物半导体图形和所述第二氧化物半导体图形沿第一方向依次排列，且沿与所述第一方向垂直的第二方向错开。


5.根据权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物半导体图形在所述第二方向上的正投影，与所述第二氧化物半导体图形在所述第二方向上的正投影形成第五交叠区域，所述第二导电连接部、所述第一搭接部和所述第三导电连接部形成为沿所述第二方向延伸的一体化一字型结构，所述第五交叠区域在所述第一方向的尺寸与所述一字型结构沿第一方向的宽度相同。


6.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物半导体图形和所述第二氧化物半导体图形形成为一体化结构，所述第二导电连接部复用为所述第三导电连接部。


7.根据权利要求3～6中任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电连接部包括沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的第一部分，和由所述第一部分沿所述第二方向延伸出的第二部分，所述第一部分在所述基底上的正投影与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影形成所述第一交叠区域，所述第二部分在所述基底上的正投影与所述第一氧化物半导体图形在所述基底上的正投影不交叠。


8.根据权利要求3～6中任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第四导电连接部包括第三部分和第四部分，所述第三部分沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，所述第三部分在所述基底上的正投影与所述第二氧化物半导体图形在所述基底上的正投影...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵喜斌，廖燕平，郭会斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，武汉京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11