本发明专利技术公开了一种单晶硅腐蚀清洗装置及腐蚀清洗方法，其结构包括清洗箱，所述清洗箱的外部设置有驱动电机、固定箱、密封门体、液体放置箱和排液阀，驱动电机通过铆钉与清洗箱的右端，固定箱通过铆钉与清洗箱的左端相连接，密封门体活动连接在清洗箱的正前方，液体放置箱通过铆钉与清洗箱的上端相连接，排液阀通过铆钉与清洗箱底部的中间处相连接，清洗箱的内部设置有联轴器、固定架和坡板，联轴器对称设置在清洗箱内部的左右两侧，固定架通过铆钉与清洗箱内部的上方相连接。本发明专利技术加快了单晶硅体固定时的便捷性，增强了单晶硅体在清洗时的稳定性，避免了使用拆装工具对单晶硅体进行固定，降低了单晶硅体在固定时操作人员的劳动强度。
A corrosion cleaning device and method for monocrystalline silicon
【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅腐蚀清洗装置及腐蚀清洗方法
本专利技术涉及腐蚀清洗装置
，具体为一种单晶硅腐蚀清洗装置及腐蚀清洗方法。
技术介绍
目前，现有的单晶硅腐蚀清洗装置还存在着一些不足的地方，例如；现有的单晶硅腐蚀清洗装置对单晶硅体固定时比较麻烦，减弱了单晶硅体在清洗时的稳定性，需要使用拆装工具对单晶硅体进行固定，提高了单晶硅体在固定时操作人员的劳动强度，而且现有的单晶硅腐蚀清洗装置对单晶硅体在腐蚀清洗时的喷洗面积比较局限，单晶硅体在腐蚀清洗时容易出现清洗不彻底的现象，降低了单晶硅体腐蚀清洗时的效率，增加了单晶硅体在腐蚀和干燥的时间，降低了腐蚀清洗装置对单晶硅体腐蚀清洗的效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单晶硅腐蚀清洗装置及腐蚀清洗方法，解决了
技术介绍
中所提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种单晶硅腐蚀清洗装置及腐蚀清洗方法，包括清洗箱，所述清洗箱的外部设置有驱动电机、固定箱、密封门体、液体放置箱和排液阀，驱动电机通过铆钉与清洗箱的右端，固定箱通过铆钉与清洗箱的左端相连接，密封门体活动连接在清洗箱的正前方，液体放置箱通过铆钉与清洗箱的上端相连接，排液阀通过铆钉与清洗箱底部的中间处相连接，清洗箱的内部设置有联轴器、固定架和坡板，联轴器对称设置在清洗箱内部的左右两侧，固定架通过铆钉与清洗箱内部的上方相连接，坡板通过焊接于清洗箱内部的底部相连接；所述固定箱上设置有控制器、抽气机和热风机，控制器通过铆钉与固定箱外表面的正前方相连接，抽气机通过铆钉与固定箱内部的上方相连接，热风机通过铆钉与固定箱内部的下方相连接，抽气机上设置有出气管和吸气管，出气管的左端位于固定箱的外部，出气管的另一端通过铆钉与抽气机相连接，吸气管的一端通过铆钉与抽气机相连接，吸气管的另一端通过铆钉与清洗箱的右上方相连接，并且与清洗箱的内部相通，热风机上设置有输风管；所述液体放置箱上设置有清洗液添加斗、腐蚀液添加斗、清洗液放置槽、腐蚀液放置槽和增压泵，清洗液添加斗的下端通过焊接于液体放置箱上表面的左侧相连接，并且与清洗液放置槽的内部相通，腐蚀液添加斗的下端通过焊接于液体放置箱上表面的右侧相连接，并且与腐蚀液放置槽的内部相通，增压泵通过铆钉与液体放置箱内部的下方相连接，增压泵上设置有吸液管和输液管，吸液管的一端通过铆钉分别与清洗液放置槽和腐蚀液放置槽的底部相连接，吸液管的另一端通过铆钉与增压泵相连接，输液管的下端设置有喷头，吸液管上分别设置有电磁阀I和电磁阀II；所述联轴器的内部设置有连接轴，连接轴上设置有单晶硅固定架，单晶硅固定架上设置有滑槽和内置槽，滑槽位于单晶硅固定架内部的左右两侧，内置槽位于单晶硅固定架的上下两侧，滑槽的内部设置有挡板，内置槽的内部设置有复位弹簧、放置板和单晶硅体，复位弹簧的一端通过铆钉与内置槽的内部相连接，复位弹簧的另一端通过铆钉放置板相连接，单晶硅体放置在放置板的上表面；所述控制器上设置有显示屏和控制按钮，显示屏通过铆钉与控制器内部的上方相连接，控制按钮通过铆钉与控制器的下方相连接，控制器通过导线分别与热风机、抽气机、控制按钮、驱动电机、增压泵、电磁阀I和电磁阀II相连接。作为本专利技术的一种优选实施方式，所述坡板采用合金钢的材质制作，并且与清洗箱内部的底部呈30度角。作为本专利技术的一种优选实施方式，所述出气管和吸气管均采用铝合金的材质制作。作为本专利技术的一种优选实施方式，所述输风管采用PVC的材质制作，输风管的一端通过铆钉与热风机相连接，输风管的另一端通过铆钉与清洗箱相连接，并且与清洗箱的内部相通。作为本专利技术的一种优选实施方式，所述吸液管和输液管均采用钛合金的材质制作，输液管呈倒T字型。作为本专利技术的一种优选实施方式，所述驱动电机通过联轴器与连接轴相连接，连接轴的一端嵌合在联轴器的内部，连接轴的另一端通过铆钉与单晶硅固定架相连接。作为本专利技术的一种优选实施方式，所述滑槽呈凸字型，挡板嵌合在滑槽的内部，并且与滑槽的内部相吻合。作为本专利技术的一种优选实施方式，所述放置板采用钛合金的材质制作，并且呈网状。作为本专利技术的一种优选实施方式，所述显示屏的正前方与控制器的正前方在同一水平面上.作为本专利技术的一种优选实施方式，所述的单晶硅腐蚀清洗装置的腐蚀清洗方法，腐蚀清洗步骤如下：a.首先将单晶硅体放置在放置板上，接着再对放置板进行挤压，这时复位弹簧会进行压缩，再将挡板的一半部位从滑槽的内部抽出，然后再将压制放置板的手松开，复位弹簧会放置板产生反弹力，至于让单晶硅体的上表面抵制在挡板上进行固定；b.待步骤a完成后，再将密封门体闭合，再由控制器上的控制按钮控制驱动电机进行运作，这时驱动电机通过联轴器带动连接轴进行转动，同时单晶硅固定架会跟随连接轴进行一起转动；c.待步骤b完成后，再由控制按钮控制电磁阀I处理打开状态，电磁阀II处理闭合状态，同时控制增压泵进行运作，增压泵通过吸液管将腐蚀液放置槽内部的腐蚀液吸出，然后再通过输液管将腐蚀液输送到喷头对单晶硅体进行喷射，以至于达到对单晶硅体进行腐蚀，在单晶硅体腐蚀的过程中控制按钮会控制热风机进行运作，以至于让热风机产生的热量通过输风管输送到清洗箱的内部对单晶硅体腐蚀时进行加热；d.待步骤c完成后，待单晶硅体腐蚀结束后由控制按钮控制热风机停止运作，并且控制抽气机进行运作，抽气机会通过吸气管将清洗箱内部的热空气抽出，然后再由出气管排出，同时再由控制按钮控制电磁阀I闭合，电磁阀II打开，增压泵通过吸液管将清洗液放置槽内部的清洗液吸出，然后再通过输液管将清洗液输送到喷头对单晶硅体进行喷射，以至于达到对单晶硅体进行清洗；e.待步骤d完成后，再由控制按钮会控制热风机进行运作，以至于让热风机产生的热量通过输风管输送到清洗箱的内部对单晶硅体腐蚀时进行加热烘干，同时控制抽气机进行运作，抽气机会通过吸气管将清洗箱内部的热空气抽出，然后再由出气管排出。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：1、本专利技术通过滑槽、内置槽、挡板、复位弹簧和放置板的结合，先将单晶硅体放置在放置板上，接着再对放置板进行挤压，这时复位弹簧会进行压缩，再将挡板的一半部位从滑槽的内部抽出，然后再将压制放置板的手松开，复位弹簧会放置板产生反弹力，至于让单晶硅体的上表面抵制在挡板上进行固定，有效的加快了单晶硅体固定时的便捷性，增强了单晶硅体在清洗时的稳定性，避免了使用拆装工具对单晶硅体进行固定，降低了单晶硅体在固定时操作人员的劳动强度。2、本专利技术通过驱动电机、联轴器和连接轴的结合，在单晶硅体腐蚀清洗时驱动电机通过联轴器带动连接轴进行转动，同时单晶硅固定架会跟随连接轴进行一起转动，有效的增加了单晶硅体在腐蚀清洗时的喷洗面积，避免了单晶硅体在腐蚀清洗时出现清洗不彻底的现象，提高了单晶硅体腐蚀清洗时的效率。3、本专利技术通过抽气机和热风机的增加，在单晶硅体腐蚀的过程中控制按钮会控制热风机进行运作，以至于让热风机产生的热量通过输风管输送到清洗箱的内部对单晶硅体腐蚀时进行加热，待单晶硅体腐蚀结束后由控制按钮控本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种单晶硅腐蚀清洗装置，包括清洗箱(1)，其特征在于：所述清洗箱(1)的外部设置有驱动电机(2)、固定箱(3)、密封门体(4)、液体放置箱(5)和排液阀(6)，驱动电机(2)通过铆钉与清洗箱(1)的右端，固定箱(3)通过铆钉与清洗箱(1)的左端相连接，密封门体(4)活动连接在清洗箱(1)的正前方，液体放置箱(5)通过铆钉与清洗箱(1)的上端相连接，排液阀(6)通过铆钉与清洗箱(1)底部的中间处相连接，清洗箱(1)的内部设置有联轴器(7)、固定架(8)和坡板(9)，联轴器(7)对称设置在清洗箱(1)内部的左右两侧，固定架(8)通过铆钉与清洗箱(1)内部的上方相连接，坡板(9)通过焊接于清洗箱(1)内部的底部相连接；/n所述固定箱(3)上设置有控制器(10)、抽气机(11)和热风机(12)，控制器(10)通过铆钉与固定箱(3)外表面的正前方相连接，抽气机(11)通过铆钉与固定箱(3)内部的上方相连接，热风机(12)通过铆钉与固定箱(3)内部的下方相连接，抽气机(11)上设置有出气管(13)和吸气管(14)，出气管(13)的左端位于固定箱(3)的外部，出气管(13)的另一端通过铆钉与抽气机(11)相连接，吸气管(14)的一端通过铆钉与抽气机(11)相连接，吸气管(14)的另一端通过铆钉与清洗箱(1)的右上方相连接，并且与清洗箱(1)的内部相通，热风机(12)上设置有输风管(15)；/n所述液体放置箱(5)上设置有清洗液添加斗(16)、腐蚀液添加斗(17)、清洗液放置槽(19)、腐蚀液放置槽(20)和增压泵(21)，清洗液添加斗(16)的下端通过焊接于液体放置箱(5)上表面的左侧相连接，并且与清洗液放置槽(19)的内部相通，腐蚀液添加斗(17)的下端通过焊接于液体放置箱(5)上表面的右侧相连接，并且与腐蚀液放置槽(20)的内部相通，增压泵(21)通过铆钉与液体放置箱(5)内部的下方相连接，增压泵(21)上设置有吸液管(22)和输液管(23)，吸液管(22)的一端通过铆钉分别与清洗液放置槽(19)和腐蚀液放置槽(20)的底部相连接，吸液管(22)的另一端通过铆钉与增压泵(21)相连接，输液管(23)的下端设置有喷头(24)，吸液管(22)上分别设置有电磁阀I(30)和电磁阀II(31)；/n所述联轴器(7)的内部设置有连接轴(32)，连接轴(32)上设置有单晶硅固定架(25)，单晶硅固定架(25)上设置有滑槽(33)和内置槽(34)，滑槽(33)位于单晶硅固定架(25)内部的左右两侧，内置槽(34)位于单晶硅固定架(25)的上下两侧，滑槽(33)的内部设置有挡板(35)，内置槽(34)的内部设置有复位弹簧(36)、放置板(37)和单晶硅体(38)，复位弹簧(36)的一端通过铆钉与内置槽(34)的内部相连接，复位弹簧(36)的另一端通过铆钉放置板(37)相连接，单晶硅体(38)放置在放置板(37)的上表面；/n所述控制器(10)上设置有显示屏(39)和控制按钮(40)，显示屏(39)通过铆钉与控制器(10)内部的上方相连接，控制按钮(40)通过铆钉与控制器(10)的下方相连接，控制器(10)通过导线(41)分别与热风机(12)、抽气机(11)、控制按钮(40)、驱动电机(2)、增压泵(21)、电磁阀I(30)和电磁阀II(31)相连接。/n...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅腐蚀清洗装置，包括清洗箱(1)，其特征在于：所述清洗箱(1)的外部设置有驱动电机(2)、固定箱(3)、密封门体(4)、液体放置箱(5)和排液阀(6)，驱动电机(2)通过铆钉与清洗箱(1)的右端，固定箱(3)通过铆钉与清洗箱(1)的左端相连接，密封门体(4)活动连接在清洗箱(1)的正前方，液体放置箱(5)通过铆钉与清洗箱(1)的上端相连接，排液阀(6)通过铆钉与清洗箱(1)底部的中间处相连接，清洗箱(1)的内部设置有联轴器(7)、固定架(8)和坡板(9)，联轴器(7)对称设置在清洗箱(1)内部的左右两侧，固定架(8)通过铆钉与清洗箱(1)内部的上方相连接，坡板(9)通过焊接于清洗箱(1)内部的底部相连接；
所述固定箱(3)上设置有控制器(10)、抽气机(11)和热风机(12)，控制器(10)通过铆钉与固定箱(3)外表面的正前方相连接，抽气机(11)通过铆钉与固定箱(3)内部的上方相连接，热风机(12)通过铆钉与固定箱(3)内部的下方相连接，抽气机(11)上设置有出气管(13)和吸气管(14)，出气管(13)的左端位于固定箱(3)的外部，出气管(13)的另一端通过铆钉与抽气机(11)相连接，吸气管(14)的一端通过铆钉与抽气机(11)相连接，吸气管(14)的另一端通过铆钉与清洗箱(1)的右上方相连接，并且与清洗箱(1)的内部相通，热风机(12)上设置有输风管(15)；
所述液体放置箱(5)上设置有清洗液添加斗(16)、腐蚀液添加斗(17)、清洗液放置槽(19)、腐蚀液放置槽(20)和增压泵(21)，清洗液添加斗(16)的下端通过焊接于液体放置箱(5)上表面的左侧相连接，并且与清洗液放置槽(19)的内部相通，腐蚀液添加斗(17)的下端通过焊接于液体放置箱(5)上表面的右侧相连接，并且与腐蚀液放置槽(20)的内部相通，增压泵(21)通过铆钉与液体放置箱(5)内部的下方相连接，增压泵(21)上设置有吸液管(22)和输液管(23)，吸液管(22)的一端通过铆钉分别与清洗液放置槽(19)和腐蚀液放置槽(20)的底部相连接，吸液管(22)的另一端通过铆钉与增压泵(21)相连接，输液管(23)的下端设置有喷头(24)，吸液管(22)上分别设置有电磁阀I(30)和电磁阀II(31)；
所述联轴器(7)的内部设置有连接轴(32)，连接轴(32)上设置有单晶硅固定架(25)，单晶硅固定架(25)上设置有滑槽(33)和内置槽(34)，滑槽(33)位于单晶硅固定架(25)内部的左右两侧，内置槽(34)位于单晶硅固定架(25)的上下两侧，滑槽(33)的内部设置有挡板(35)，内置槽(34)的内部设置有复位弹簧(36)、放置板(37)和单晶硅体(38)，复位弹簧(36)的一端通过铆钉与内置槽(34)的内部相连接，复位弹簧(36)的另一端通过铆钉放置板(37)相连接，单晶硅体(38)放置在放置板(37)的上表面；
所述控制器(10)上设置有显示屏(39)和控制按钮(40)，显示屏(39)通过铆钉与控制器(10)内部的上方相连接，控制按钮(40)通过铆钉与控制器(10)的下方相连接，控制器(10)通过导线(41)分别与热风机(12)、抽气机(11)、控制按钮(40)、驱动电机(2)、增压泵(21)、电磁阀I(30)和电磁阀II(31)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅腐蚀清洗装置，其特征在于：所述坡板(9)采用合金钢的材质制作，并且与清洗箱(1)内部的底部呈30度角。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅腐蚀清洗装置，其特征在于：所述出气管(13)和吸气管(14)均采用铝合金的材质制作。
【专利技术属性】
技术研发人员：王全文，衡志勇，李鹭，杨蛟，
申请(专利权)人：成都青洋电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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