一种宽频带超噪比可调噪声源制造技术

本实用新型专利技术提供了一种宽频带超噪比可调噪声源装置，包括噪声源电路、与所述噪声源电路连接的低噪声放大电路以及与所述低噪声放大电路连接的数控衰减器。本实用新型专利技术通过噪声源电路产生稳定噪声信号，经过低声放大电路放大后达到约为50dB的超噪比，然后通过外部控制器控制数控衰减器增加衰减量，满足不同的超噪比输出需要，整个装置控制简单方便，成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
一种宽频带超噪比可调噪声源
本技术属于微波测量
，尤其涉及一种宽频带超噪比可调噪声源装置。
技术介绍
噪声问题在无线通信技术的发展过程中一直是不可忽视的存在，噪声的存在使微弱信号的接收与检测变得困难，噪声还会对微弱信号产生干扰。在无线通信技术的初期，通信频段大多在30～300kHz左右，干扰微弱信号的主要因素是外界噪声，设备内部噪声的干扰基本可以忽略。而无线通信技术发展到今天，短波、微波通信成为主流，外部自然噪声的影响变小，设备的内部噪声成为了影响通信设备检测微弱信号能力的主要原因，因此器件自身噪声系数的测量变得很重要，噪声测量对通信设备和各种微波器件的研制有着重要的意义，而噪声源又是噪声测量所必需的，因此有必要对噪声源进行深入的研究。噪声源产生的噪声信号频率范围广，用在测试系统中能够提高测试效率，在测量噪声系数时，需要噪声系数分析仪和标准噪声源进行测量，为了测量多种器件的噪声系数，标准噪声源的超噪比需要进行相应的改变。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足，本技术提供的一种宽频带超噪比可调噪声源装置可以输出宽频带高超噪比的噪声信号，为了适应不同被测器件的要求，噪声源的超噪比可以根据需求进行调节。为了达到以上目的，本技术采用的技术方案为：本方案提供一种宽频带超噪比可调噪声源装置，包括噪声源电路、与所述噪声源电路连接的低噪声放大电路以及与所述低噪声放大电路连接的数控衰减器。本技术的有益效果是：本技术通过噪声源电路产生稳定噪声信号，经过低噪声放大电路放大后达到约为50dB的超噪比，然后通过外部的控制器控制数控衰减器增加衰减量，满足不同的超噪比输出需要，整个模块控制简单方便，成本低廉。进一步地，所述噪声源电路包括第一稳压电路以及第一运算放大电路，其中：所述第一稳压电路包括低压差线性稳压芯片U1，所述芯片U1的输入端IN分别与所述芯片U1的电压输入端EN、接地电容C1以及电感L1的一端连接，电感L1的另一端与外部电源连接，所述芯片U1的降噪端NR与接地电容C2连接，所述芯片U1的接地端GND接地，所述芯片U1的FB脚分别与电容C4的一端、电阻R1的一端以及接地电阻R2连接，所述芯片U1的输出端OUT分别与电容C4的另一端、电阻R1的另一端、接地电容C5、接地电容C6以及所述第一运算放大电路连接。上述进一步方案的有益效果是：本技术中通过第一稳压电路为噪声源电路提供了稳定的电压，有效地避免了因电压不稳而导致超噪比的改变。再进一步地，所述第一运算放大电路包括运算放大芯片U3和二极管D1，其中：所述芯片U3的射频输入端与电容C24的一端连接，电容C24的另一端分别与所述二极管D1的负极以及电阻R3的一端连接，所述二极管D1的正极接地，电阻R3的另一端分别与接地电容C23以及电感L3的一端连接，电感L3的另一端与所述芯片U1的输出端OUT连接，所述芯片U3的电源控制端VPD分别与电感L4的一端、接地电容C13、接地电容C12以及接地电容C11连接，所述芯片U3的电源端VCC分别与电感L4的另一端、接地电容C14、接地电容C15、接地电容C16以及所述低噪声放大电路连接，所述芯片U3的射频输出端与电容C25的一端连接。上述进一步方案的有益效果是：噪声二极管提供的超噪比太小，只有20dB左右，经第一运算放大电路后可达到60dB左右，本技术中固态噪声二极管D1它具有体积小、重量轻、功耗低、适于脉冲工作等特点，它的应用范围很广，其中以噪声测量与噪声系数检测的应用居多，其原理是二极管处于反向击穿状态时会产生血崩散弹噪声，在一定条件近似为白噪声。本技术利用电路匹配技术设计了高超噪比输出，平坦度满足要求的噪声源。再进一步地，所述低噪声放大电路包括第二稳压电路以及第二运算放大电路，其中：所述第二稳压电路包括所述第二稳压电路包括低压差线性稳压芯片U2，所述芯片U2的第1输入端IN1分别与所述芯片U2的第2输入端IN2、电压输入端EN、接地电容C7、接地电容C8以及外部电源连接，所述芯片U2的降噪端NR与接地电容C3连接，所述芯片U2的接地端GND分别与所述芯片U2的电源端3P2V以及电源端OP4V连接，并接地，所述芯片U2的第1输出端OUT1分别与所述芯片U2的第2输出端OUT2、FB引脚、接地电容C9、接地电容C10、所述芯片U3的电源端VCC以及电感L2的一端连接，电感L2的另一端与所述第二运算放大电路连接。上述进一步方案的有益效果是：本技术通过设置第二稳压电路给放大器提供稳定的工作电压，本技术中低噪声放大电路和噪声二极管D1需要的电压不同，因此需要两个不同的稳压电路。再进一步地，所述第二运算放大电路包括运算放大芯片U4，所述芯片U4的射频输入端与电容C26的一端连接，电容C26的另一端分别与接地电阻R6以及电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端分别与接地电阻R4以及电容C25的另一端连接，所述芯片U4的电源控制端VPD分别与接地电容C19、接地电容C18、接地电容C17、电感L5的一端以及电感L2的另一端连接，所述芯片U4的电源端VCC分别与电感L5的另一端、接地电容C20、接地电容C21以及接地电容C22连接，所述芯片U4的射频输出端与电容C27的一端连接，电容C27的另一端与所述数控衰减器连接。上述进一步方案的有益效果是：本技术通过设计第二运算放大电路提高了放大器产生的增益。再进一步地，所述数控衰减器包括数控衰减芯片U5，所述芯片U5的电源端VDD分别与外部电源以及接地电容C30连接，所述芯片U5的降噪端RF1与电容C27的另一端连接，所述芯片U5的增益控制引脚ACG1分别与接地电容C28、所述芯片U5的增益控制引脚ACG2以及所述芯片U5的增益控制引脚ACG3连接，所述芯片U5的增益控制引脚ACG4与接地电容C29连接，所述芯片U5的降噪端RF2为所述宽频带超噪比可调噪声源装置的信号输出端，所述芯片U5的电源端V1、电源端V2、电源端V3以及电源端V4分别与外部的控制器连接。上述进一步方案的有益效果是：本技术通过设置数控衰减器来控制输出噪声信号的超噪比大小，满足不同的超噪比大小需求。附图说明图1为本技术的控制结构示意图。图2为本技术中第一运算放大器与第二运算放大器的电路连接图。图3为本技术中第一稳压电路图。图4为本技术中第二稳压电路图。图5为本技术中数控衰减器的电路图。其中，1-噪声源电路，2-低噪声放大电路，3-数控衰减器。具体实施方式下面对本技术的具体实施方式进行描述，以便于本
的技术人员理解本技术，但应该清楚，本技术不限于具体实施方式的范围，对本
的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本技术的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本技术构思的技术创造均在保护之列。实施例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽频带超噪比可调噪声源，其特征在于，包括噪声源电路(1)、与所述噪声源电路(1)连接的低噪声放大电路(2)以及与所述低噪声放大电路(2)连接的数控衰减器(3)。/n

【技术特征摘要】
1.一种宽频带超噪比可调噪声源，其特征在于，包括噪声源电路(1)、与所述噪声源电路(1)连接的低噪声放大电路(2)以及与所述低噪声放大电路(2)连接的数控衰减器(3)。


2.根据权利要求1所述的宽频带超噪比可调噪声源，其特征在于，所述噪声源电路(1)包括第一稳压电路以及第一运算放大电路，其中：
所述第一稳压电路包括低压差线性稳压芯片U1，所述芯片U1的输入端IN分别与所述芯片U1的电压输入端EN、接地电容C1以及电感L1的一端连接，电感L1的另一端与外部电源连接，所述芯片U1的降噪端NR与接地电容C2连接，所述芯片U1的接地端GND接地，所述芯片U1的FB脚分别与电容C4的一端、电阻R1的一端以及接地电阻R2连接，所述芯片U1的输出端OUT分别与电容C4的另一端、电阻R1的另一端、接地电容C5、接地电容C6以及所述第一运算放大电路连接。


3.根据权利要求2所述的宽频带超噪比可调噪声源，其特征在于，所述第一运算放大电路包括运算放大芯片U3和二极管D1，其中：
所述芯片U3的射频输入端与电容C24的一端连接，电容C24的另一端分别与所述二极管D1的负极以及电阻R3的一端连接，所述二极管D1的正极接地，电阻R3的另一端分别与接地电容C23以及电感L3的一端连接，电感L3的另一端与所述芯片U1的输出端OUT连接，所述芯片U3的电源控制端VPD分别与电感L4的一端、接地电容C13、接地电容C12以及接地电容C11连接，所述芯片U3的电源端VCC分别与电感L4的另一端、接地电容C14、接地电容C15、接地电容C16以及所述低噪声放大电路(2)连接，所述芯片U3的射频输出端与电容C25的一端连接。


4.根据权利要求3所述的宽频带超噪比可调噪声源，其特征在于，所述低噪声放大电路(2)包括第二稳压电路以及第二运算放大电路，其中：
所述第二稳压电路包括低压差线性稳压芯片U2，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王铮，
申请(专利权)人：成都安普利电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川;51