电源装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可把握迄今为止的运转时间与实际设想的剩余寿命时间的差异的电源装置。本发明专利技术的电源装置(100)具备电源部(10)、温度传感器(28)、运算电路(22)及显示电路(23)。而且，温度传感器(28)测定电源部(10)的内部温度。运算电路(22)根据由温度传感器(28)所测定的内部温度及电源部(10)的负载状况而推测周边温度。显示电路(23)显示由运算电路(22)所推测的周边温度。

Power supply device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电源装置
本专利技术涉及一种可推测装置的周边温度的电源装置。
技术介绍
对于电源装置而言，通过监视实际运转时间的累积、内部温度等运转环境而将零件的更换时期告知使用者。具体而言，日本专利特开2003-22127号公报(专利文献1)所记载的电源管理单元中，具有测定电源管理单元的内部温度的温度测定部，将由所述温度测定部所测定的温度及运转时间存储于存储部中，使用这些数据以一定周期再次计算所述电源部的运转时间。而且，电源管理单元根据其结果而制作与电源部的运转时间有关的显示数据。另外，日本专利特开2009-281985号公报(专利文献2)所记载的电源的监视装置中，具备检测平滑电容器的表面温度及装置周围温度(盘内温度)的传感器，将来自传感器的温度模拟量经由模拟/数字变换部而取入至微计算机(microcomputer)那样的运算部中。进而，监视装置利用运算部对异常及寿命进行自我诊断，在其结果成为规定以上的情形时，显示错误(error)或输出警报。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2003-22127号公报专利文献2：日本专利特开2009-281985号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在将电源装置安装于德国工业标准(DeutscheIndustrieNormen，DIN)轨道上而使用的情形等时，根据电源装置的周边温度而进行降额(derating)。电源装置的周边温度必须由用户自身使用温度传感器测定，若安装于DIN轨道上的电源装置的个数增加，则有测定点也与所述个数对应地增加，作业变得烦杂的问题。另外，在如专利文献1及专利文献2所记载的装置那样内置温度传感器的情形时，可想到利用由所述温度传感器所测定的温度。然而，专利文献1及专利文献2所记载的装置中，仅为了测定电源装置的内部(例如平滑电容器)的温度而设有温度传感器，无法利用所述温度传感器来测定电源装置的周边温度。进而，在将电源装置的内部温度简单地视为电源装置的周边温度的情况下，有无法进行适当的降额等问题。本专利技术的目的在于提供一种可利用设于电源装置内部的温度传感器来推测装置的周边温度的电源装置。解决问题的技术手段根据本专利技术的某个方面，具备电源部、测定电源部的内部温度的测定部、根据由测定部所测定的内部温度及电源部的负载状况而推测周边温度的运算部、以及输出由运算部所推测的周边温度的输出部。优选为还具备存储部，所述存储部存储基于内部温度及负载状况的周边温度的对应表，运算部根据存储部中存储的对应表，推测与所测定的内部温度及负载状况相对应的周边温度。优选为负载状况为与电源部的输出电流及输出电压的至少一者相关联的值。优选为运算部根据负载状况而算出电源部的内部的温度上升，根据温度上升与内部温度的差值而推测周边温度。优选为测定部测定温度传感器的值作为内部温度，所述温度传感器对构成电源部的零件的温度进行检测。优选为运算部根据内部温度而算出电源部的剩余寿命时间。优选为测定部测定温度传感器的值作为内部温度，所述温度传感器对电源部的过热进行检测。专利技术的效果根据本技术的电源装置，根据由测定部所测定的内部温度及电源部的负载状况而推测周边温度，故可取得电源装置的周边温度，从而可进行适当的降额等。附图说明图1为用以对本专利技术的实施方式的电源装置的构成进行说明的区块图。图2为示意性地表示本专利技术的实施方式的电源装置的外观的一例的图。图3为示意性地表示本专利技术的实施方式的电源装置的内部的一例的图。图4为表示本专利技术的实施方式的电源装置中所用的周边温度的对应表的一例的图。图5为用以对利用本专利技术的实施方式的电源装置来推测周边温度的处理进行说明的流程图。图6为用以对利用本专利技术的实施方式的变形例的电源装置来推测周边温度的处理进行说明的流程图。具体实施方式以下，参照附图对本实施方式加以详细说明。再者，图中相同符号表示相同或相应部分。(A.电源装置的构成)使用附图对本专利技术的实施方式的电源装置的构成进行说明。图1为用以对本专利技术的实施方式的电源装置的构成进行说明的区块图。图1所示的电源装置100为切换电源装置具备电源部10、控制部20及温度传感器28。电源部10具备噪声滤波器(noisefilter)11、整流电路12、功率因数改善电路13、冲击电流限制电路14、平滑电路15、变压器16、驱动器控制电路17、金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)18、过电流检测电路19、整流/平滑电路31、电压检测电路32及过电压检测电路33。于在输入端(INPUT)连接有交流电源(例如50Hz/60Hz、100V/200V的商用电源)的情形时，噪声滤波器11对重叠于所述交流电源上的高频的噪声成分实施滤波，将噪声成分经去除的交流电源供给于整流电路12。整流电路12是由二极管电桥(diodebridge)的全波整流电路所构成，将自噪声滤波器11供给的交流电源调整成经全波整流的脉动电流，生成一次侧直流电源。功率因数改善电路13为用以抑制输入电流中产生的高频谐波电流的电路，也被称为功率因数校正(PowerFactorCorrection，PFC)电路。冲击电流限制电路14例如是由电阻、及相对于所述电阻而并列插入的继电器所构成，可自启动时起在几十毫秒的期间中打开继电器而防止冲击电流，然后关闭继电器而启动电源。平滑电路15是由平滑电容器所构成，将经全波整流的交流电源平滑化。驱动器控制电路17是由具备脉宽调制(PulseWidthModulation，PWM)信号产生器、反馈控制电路、过电流保护(OverCurrentProtect，OCP)端子、切换驱动端子、驱动电源端子等的控制集成电路(IntegratedCircuit，IC)所构成，将高频的PWM信号供给于MOSFET18的栅极，驱动MOSFET18。另外，驱动器控制电路17经由未图示的光耦合器而回馈由电压检测电路32所检测出的二次侧(输出侧)的电压。而且，驱动器控制电路17根据所述电压而变更PWM信号的占空比，以使直流电源的输出电压成为规定值的方式驱动MOSFET18。进而，在驱动器控制电路17与MOSFET18之间设有过电流检测电路19。MOSFET18与变压器16的一次卷线串联连接，与自驱动器控制电路17供给的PWM信号相对应地使一次侧直流电源断续，使一次卷线中产生高频的脉冲电源(交流电源)。变压器16是由将一次侧与二次侧电性绝缘的绝缘变压器所构成，具备一次卷线、二次卷线及辅助卷线，在二次卷线及辅助卷线中感应一次卷线中产生的高频的脉冲电源(交流电源)。再者，二次卷线中感应出的高频的脉冲电源(交流电源)被用于直流输出电源，辅助卷线中感应出的高频的脉冲电源(交流电源)被用于驱动器控制电路17的启动。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源装置，包括：/n电源部；/n测定部，测定所述电源部的内部温度；/n运算部，根据由所述测定部所测定的所述内部温度及所述电源部的负载状况而推测周边温度；以及/n输出部，输出由所述运算部所推测的所述周边温度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170626 JP 2017-1241851.一种电源装置，包括：
电源部；
测定部，测定所述电源部的内部温度；
运算部，根据由所述测定部所测定的所述内部温度及所述电源部的负载状况而推测周边温度；以及
输出部，输出由所述运算部所推测的所述周边温度。


2.根据权利要求1所述的电源装置，还包括存储部，所述存储部存储基于所述内部温度及所述负载状况的所述周边温度的对应表，
所述运算部根据所述存储部中存储的所述对应表，推测与所测定的所述内部温度及所述负载状况相对应的所述周边温度。


3.根据权利要求1或2所述的电源装置，其中所述负载状况为与所述电源部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：长野昌明，谷野光平，小川浩范，南出健八郎，草间帝杉，尾崎将宏，
申请(专利权)人：欧姆龙株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP