具纳米环的微发光二极管量子点基板结构以及制作方法技术

本发明专利技术公开了具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构，其是包括了一基板、形成在该基板一侧表面上形成有一层的蓝光发光二极管层、在所述的蓝光发光二极管层的表面上形成有复数个具几何形状的中空装置、于一部份的中空装置中设有绿色的量子点，剩余的部份则设有红色的量子点，以及一层覆盖在所有复数个中空装置以及蓝光发光二极管上方的分布式布拉格反射层。

Structure and fabrication method of quantum dot substrate with nano ring

【技术实现步骤摘要】
具纳米环的微发光二极管量子点基板结构以及制作方法
本专利技术主要是在于提供一种基板，尤其是一种微发光二极管量子点基板的结构以及制作方法，尤其地是一种具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构以及制作方法；主要是在微发光二极管的基础上再加上纳米环的结构；不但可有效解决巨量转移时在定位上所产生问题，且可避免当此基板上承载各种颜色的像素时，各像素发光时的交互干扰。
技术介绍
蓝宝石的组成为氧化铝(A12O3)是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合，晶体结构为六方晶格结构，蓝宝石的光学穿透带很宽，从近紫外光(190纳米；nm)到中红外线都有很好的透光性，并且具备高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、熔点高(20452℃)等特点，因此常作为光电组件的基板材料。就超高亮度白/蓝光LED品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料质量，因此与所采用的蓝宝石基板表面加工质量有关，蓝宝石(单晶A12O3)C面与III-V和II-VI族沈积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合GaN磊晶制程耐高温的要求，因此蓝宝石基板成为制作QLED显示屏的关键材料。QLED是「QuantumDotLightEmittingDiode」的简写，即量子点发光二极管，亦可称量子显示技术。这是一项介于液晶和OLED之间的新型技术，其核心技术为QuantumDots(量子点)。量子点是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米晶体，是一种粒径不足10纳米的颗粒。量子点QLED显示技术便是通过蓝色LED光源照射量子点来激发红光及绿光，从而呈现精湛的画面。量子点QLED显示技术主要包括量子点发光二极管显示技术(QLED)和量子点背光源技术(QD-BLU)，量子点具有发光特性，量子点薄膜(QDEF)中的量子点在蓝色LED背光照射下生成红光和绿光，并同其余透过薄膜的蓝光一起混合得到白光，从而提升整个背光系统的发光效果。量子点QLED显示技术有其与众不同的特性，每当受到光或电的刺激，量子点便会发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定，这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。因此，量子点QLED显示技术在色彩显示上准确性高，成像画面也更加稳定。量子点QLED显示技术得天独厚的优势令电视亮度有效提升30～40％，背光源系统颜色转换效率大幅提升的情况下，画面的色彩更亮丽，兼顾节能环保等特点，画面亮度、色彩纯度均为WLED背光系统的2倍左右，性能提升十分明显。考虑到液晶技术的物理特性先天不足，量子点QLED显示技术能够带来如此多的革命，是液晶技术的一次重大的突破。画质的稳定性直接影响了观看时的效果，所以画质的稳定性对于屏幕显示来说极其重要。我们知道，一些面板的制造时需要「阴罩」，而「阴罩」易发生热胀冷缩，从而影响显示精准度。而QLED整个制造过程无需「阴罩」，规避了这一问题，长时间保持画质稳定。除却显示优势，采用量子点QLED显示技术也将使得制造成本更低。该技术是将量子点的光学材料放入背照灯与液晶面板之间，可以使色域达到或超过OLED的水平，甚至可以省去光源侧的偏光片，有效降低液晶显示产品(用于液晶电视和液晶显示器)的制造成本。对于目前中高端显示屏居高不下的价格来说，成本低性能强的量子点QLED显示技术更符合消费市场的需求。此外，量子点QLED显示技术能够将LED光源发出的蓝光完全转化为白光(传统YAG荧光体只能吸收一部分)，这意味着在同样的亮度下，量子点QLED所需的蓝光更少，在电光转化中需要的电力亦更少，有效降低背光系统的功耗总成。由上可知，量子点显示技术成为市场上大众喜好的产品已是指日可待了。在介绍了量子点显示技术后，本申请案所使用的另一技术称之为量子限制斯塔克效应，亦即，电子只能在原子周围特定的轨道上运行，每个轨道都与一定的能量等级相联系。当带有适当能量(或适量波长)的光线射入时。电子吸收了光线，使用其能量来跃迁到临近的轨道上。对原子使用强大的电场可以改变电子所能吸收的光线波长。这一现象已经被人类所知超过一个世纪，被称为斯塔克效应。斯塔克效应使得材料在工程师开启或关闭一个电场时，像百叶窗那样可以屏蔽特定波长的光线，并可吸收各种光线。要在原子中产生斯塔克效应，所需的电压非常之高以致无法在芯片中采用。但在一些细薄的材料中，可以产生一种强烈而敏感的斯塔克效应，被称为量子限制斯塔克效应，这发生于可以接受的电压下。很多今日的高端电讯设备使用能产生这种效应的薄型材料来在光纤中传输数据。当外电场垂直作用于量子井材料时，产生量子限制斯塔克效应(QCSE)，随外场的增加，吸收边向低能方向移动(红移)越大。藉由前述的量子限制斯塔克效应(QCSE)，本专利技术则可任意的调整波长，并发出所需要的光。
技术实现思路
本专利技术主要的目的是在于提供一种具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构，其是包括了一基板、形成在该基板一侧表面上形成有一层的蓝光发光二极管层、在所述的蓝光发光二极管层的表面上形成有复数个具几何形状的中空装置、于一部份的中空装置中设有绿色的量子点，剩余的部份则设有红色的量子点，以及一层覆盖在所有复数个中空装置以及蓝光发光二极管上方的分布式布拉格反射层(DBR；DistributedBraggreflector)。本专利技术的另一目的是该每一个中空装置是具有一定的壁厚以及一定范围的深宽比。本专利技术的再一目的是该每一个装置呈现了环状。本专利技术的再一目的是该每一个装置呈现了矩形。本专利技术的再一目的是该每一个装置呈现了三角形。本专利技术的再一目的是所述的充满红色量子点的装置以及充满缘色量子点的装置是选择性地相邻。本专利技术主要的目的是在于提供一种具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构，其是包括了一基板、形成在该基板一侧表面上形成有一层的绿光发光二极管层、在所述的绿光发光二极管层的表面上形成有复数个具几何形状的中空装置、一部份的中空装置，另一部份则设有红色的量子点，以及一层覆盖在所有复数个中空装置以及蓝光发光二极管上方的分布式布拉格反射层(DBR；DistributedBraggreflector)。本专利技术的另一目的是该每一个装置是具有一定的壁厚以及一定范围的深宽比。本专利技术的再一目的是该每一个装置呈现了环状。本专利技术的再一目的是该每一个装置呈现了矩形。本专利技术的再一目的是该每一个装置呈现了三角形。本专利技术的再一目的是所述的充满红色量子点的装置以及中空的装置是选择性地相邻。本专利技术的再一目的即是提供了一种量子点基板结构的制作方法，其是包括了下列的步骤：准备一基板；于所述基板的一侧形成一蓝光发光二极管层；于所述的蓝光发光二极管层上形成复数个中空的装置；将一部份的中空装置内喷涂绿色的量子点；再将剩余的中空装置内喷涂红色的量子点；以及以一分布式布拉格反射层将蓝光发光二极管层、绿色量子点以及红色量子点包覆。本专利技术的再一目的即是提供了一种量子点基板结构的制作方法，其是包括了下列的步骤：准备一基板；于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构，其特征在于，包括了：/n一基板；/n一蓝光发光二极管层，形成在所述基板一侧表面上；/n复数个中空装置，形成在所述的蓝光发光二极管层的表面上；/n绿色的量子点，是设于一部份所述的中空装置内；/n红色的量子点，是设置在剩余所述的中空装置内；以及/n一层覆盖在所有复数个中空装置以及蓝光发光二极管上方的分布式布拉格反射层。/n

【技术特征摘要】
1.一种具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构，其特征在于，包括了：
一基板；
一蓝光发光二极管层，形成在所述基板一侧表面上；
复数个中空装置，形成在所述的蓝光发光二极管层的表面上；
绿色的量子点，是设于一部份所述的中空装置内；
红色的量子点，是设置在剩余所述的中空装置内；以及
一层覆盖在所有复数个中空装置以及蓝光发光二极管上方的分布式布拉格反射层。


2.根据权利要求1所述的具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构，其特征在于，所述的每一个中空装置呈现了环状。


3.根据权利要求1所述的具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构，其特征在于，所述的每一个中空装置呈现了矩形。


4.根据权利要求1所述的具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构，其特征在于，所述的每一个中空装置呈现了三角形。


5.根据权利要求1所述的具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构，其特征在于，所述的红色量子点以及绿色量子点是选择性地相邻。

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【专利技术属性】
技术研发人员：郭浩中，佘庆威，朱国雄，宋琦丽，刘召军，张祐维，周嘉柔，张秋莹，
申请(专利权)人：佛山市柔浩电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44