【技术实现步骤摘要】
一种新型的去除Poly绕镀清洗方法
本专利技术属于太阳能光伏行业领域,尤其涉及P型晶体硅TOPCon工艺中的一种新型的去除Poly绕镀清洗方法。
技术介绍
技术介绍
描述段落清洁能源成为了当前时代发展的必然趋势。对于太阳能电池行业,目前已大批量量产的技术是高效晶硅钝化发射极和背面电池,即PERC(PassivatedEmitterandRearCell)电池。可量产达到的效率也仅22%,遇到了效率的瓶颈阶段。随着各家公司追求高效电池,在现有的PERC技术上将前表面场进行钝化处理,也即进行多晶硅掺杂的选择性发射极工艺(简称P-TOPCon)。P-TOPCon工艺中涉及到背面钝化,可大幅度提高电池效率,这也是今后电池发展必然的趋势。进而引入了新型的名词,遂穿氧化钝化也即poly钝化。然而此技术存在一定的缺陷——绕镀,如无法去除绕镀,不仅影响了外观而且直接影响了电池片的电性能。目前常规的绕镀清洗工艺流程为Poly生长→背面氮化硅→去除正面氮化硅→TMAH抛光→HF清洗。额外增加了镀膜设备对背面制作氮化硅作为掩膜层,进入链式BSG/PSG机台使用10%-15%浓度的HF单面去出正面氮化硅膜,再进入槽式机台利用TMAH与抛光添加剂在80℃温度进行正面抛光,通过5%-8%的HF浓度进行BSG、PSG的去除。其不仅产能较低,成本较高,且不适用于大批量量产。该常用的清洗工艺主要是在生长poly之前先进行生长正面掩膜层,然后通过四甲基氢氧化铵(TMAH)抛光液将绕镀清洗掉。此工艺方式仅适合研发小批量进行,对于大规模量产而言其能耗 ...
【技术保护点】
1.一种新型去除poly绕镀的清洗方法,其特征在于具体清洗工艺流程步骤为Poly生长→上料→正面刻蚀→碱洗→酸洗1→酸洗2→下料。/n
【技术特征摘要】
20190320 CN 20191021521241.一种新型去除poly绕镀的清洗方法,其特征在于具体清洗工艺流程步骤为Poly生长→上料→正面刻蚀→碱洗→酸洗1→酸洗2→下料。
2.依据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于清洗方法中从上料到下料工艺步骤都在链式机台上进行操作,且尤其涉及清洗工艺步骤如下:
1)正面刻蚀——采用HF/HNO3药液低温刻蚀,温度控制在10-20℃,HF/HNO3/H2O体积比控制在1:10:13—1:12:15,时间为1-2min...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴王平,张屹,张伟,丁建宁,袁宁一,
申请(专利权)人:常州大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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