多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法，多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；继续生长多晶硅层，并调整多晶硅层生长时间，以达到预设厚度。通过氯化氢气体，在一预设温度范围内消耗掉所述氧化硅层，然后二次生长(补偿)得到预设生长厚度(最终的)的多晶硅层，使多晶硅层中没有引入氧化硅层和较高热量，二次生长得到预设生长厚度的多晶硅层与未中断(一次性制作)的多晶硅层质量相同，解决了多晶硅层生长过程一旦发生异常被中断，多晶硅层的厚度达不到预设厚度，产品只能报废的问题，提高闪存的性能和良率。

Fabrication method, flash memory and fabrication method of polysilicon layer

【技术实现步骤摘要】
多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例，存储器中的闪存的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。对于闪存产品，制作字线多晶硅层是整个工艺流程中至关重要的制程，字线多晶硅层的厚度是闪存的关键指标，它决定着闪存器件性能的好坏，实际生产中，字线多晶硅层生长过程一旦发生异常被中断，字线多晶硅层的厚度达不到预设厚度，产品只能报废，影响闪存产品的性能和良率。
技术实现思路
本专利技术的一个目的为：在多晶硅层生长过程发生异常时，提供合适的制作(补偿)方法，进行多晶硅层再生长，直到多晶硅层生长达到预设厚度，提供质量合格的多晶硅层。本专利技术的另一个目为：在闪存中多晶硅层生长过程发生异常时，提供合适的制作(补偿)方法，进行闪存中多晶硅层再生长，直到闪存中多晶硅层生长达到预设厚度，提高闪存的性能和良率。为实现上述目的，本专利技术提供一种多晶硅层的制作方法，多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，包括：通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；继续生长多晶硅层，调整多晶硅层生长时间，以达到预设厚度。进一步的，所述预设温度范围为：680℃～720℃。进一步的，所述氯化氢气体的流量为：300ml/s～500ml/s。本专利技术还提供一种闪存的制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁上形成侧墙结构；形成一隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述第一沟槽的底部、所述侧墙结构及所述结构层；形成多晶硅层，所述多晶硅层填充所述第一沟槽，所述多晶硅层用作共享字线；所述多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层；通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；继续生长所述多晶硅层，调整所述多晶硅层生长时间，以达到预设生长厚度。进一步的，所述预设温度范围为：680℃～720℃。进一步的，所述氯化氢气体的流量为：300ml/s～500ml/s。进一步的，所述结构层包括：依次形成于所述衬底上的衬底氧化层、浮栅、ONO膜层、控制栅及第一氮化硅层。进一步的，所述结构层还包括：形成于所述第一氮化硅层中且位于所述控制栅上的第一氧化硅层。进一步的，形成所述侧墙结构的步骤包括：在所述第一沟槽的侧壁上沉积第二氧化硅层；在所述第二氧化硅层上覆盖第二氮化硅层。本专利技术还提供一种闪存，包括：衬底、侧墙结构、隧穿氧化层及多晶硅层。其中，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有第一沟槽；所述侧墙结构覆盖所述第一沟槽的侧壁；所述隧穿氧化层覆盖所述第一沟槽的底部及所述侧墙结构；所述多晶硅层填充所述第一沟槽，所述多晶硅层用作共享字线。与现有技术相比存在以下有益效果：本专利技术提供的多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法，通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；继续生长所述多晶硅层，并调整所述多晶硅层生长时间，以达到预设生长厚度。通过氯化氢气体，在一预设温度范围内消耗掉所述氧化硅层，然后二次生长(补偿)得到预设生长厚度(最终的)的多晶硅层，使多晶硅层中没有引入中间介质层(氧化硅层)和较高热量，二次生长(补偿)得到预设生长厚度的多晶硅层与未中断(一次性制作)的多晶硅层质量相同，解决了多晶硅层生长过程一旦发生异常被中断，多晶硅层的厚度达不到预设厚度，产品只能报废的问题，提高闪存的性能和良率。附图说明图1为本专利技术实施例的多晶硅层的制作方法流程示意图；图2为本专利技术实施例的闪存的制作方法流程示意图；图3至图11为本专利技术的闪存的制作方法各步骤示意图。附图标记说明：100-衬底，110-结构层，111-衬底氧化层，112-浮栅，113-ONO膜层，114-控制栅，115-第一氮化硅层，116-第一氧化硅层，120-侧墙，121-第二氧化硅层，122-第二氮化硅层，140-隧穿氧化层，200-多晶硅层，210-第一沟槽，220-第二沟槽，300-氧化硅层。具体实施方式如
技术介绍
介绍字线多晶硅层的厚度是闪存的关键指标，它决定着闪存器件性能的好坏，也影响着闪存产品的良率。专利技术人研究发现，多晶硅层(或外延多晶硅层)的生长与温度、压力和气体流量等有关，具体的，多晶硅层是在高温低压环境下，硅烷分解成多晶硅层，生长在载体表面。在多晶硅层生长过程中，控制温度，压力和气体流量的元件一旦失效，就会造成多晶硅层生长中断，第一次已生长的多晶硅层的厚度还未达到预设厚度，导致已生长的多晶硅层的厚度偏薄，达不到产品需求。而且第一次已生长的多晶硅层与与空气中的O2接触生成介质层(例如氧化硅)。如果控制温度，压力和气体流量的元件恢复正常，继续第二次生长多晶硅层以达到预设厚度，发现两次生长多晶硅层中间的介质层(例如氧化硅)和热量会影响最终制作的多晶硅层的质量。基于上述研究，本专利技术提供一种多晶硅层的制作方法及闪存的制作方法。为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图对本专利技术作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。图1为本实施例的多晶硅层的制作方法流程示意图。如图1所示，本实施例提供了一种多晶硅层的制作方法，多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，包括：通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层，具体的，所述氯化氢气体的流量为：300ml/s～500ml/s；所述预设温度范围为：680℃～720℃。所述预设温度范围(680℃～720℃)较常规工艺温度较低。常规工艺在高温下(850℃～1300℃),通入H2，消耗掉所述氧化硅层，高温下引入了较高热量，影响最终多晶硅层的质量。继续生长多晶硅层，并调整多晶硅层生长时间，以达到预设厚度。图2为本实施例的闪存的制作方法流程示意图。如图2所示，本实施例提供了一种闪存的制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁上形成侧墙结构；形成一隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述第一沟槽的底部、所述侧墙结构及所述结构层；形成多晶硅层，所述多晶硅层填充所述第一沟槽，所述多晶硅层用作共享字线；所述多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅层的制作方法，多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，其特征在于，包括：/n通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；/n继续生长多晶硅层，调整多晶硅层生长时间，以达到预设厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅层的制作方法，多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，其特征在于，包括：
通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；
继续生长多晶硅层，调整多晶硅层生长时间，以达到预设厚度。


2.如权利要求1所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于，所述预设温度范围为：680℃～720℃。


3.如权利要求1所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于，所述氯化氢气体的流量为：300ml/s～500ml/s。


4.一种闪存的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有第一沟槽；
在所述第一沟槽的侧壁上形成侧墙结构；
形成一隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述第一沟槽的底部、所述侧墙结构及所述结构层；
形成多晶硅层，所述多晶硅层填充所述第一沟槽，所述多晶硅层用作共享字线；所述多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层；
通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；
继续生长所述多晶硅层，并调整所述多晶硅层生长时间，以达...

【专利技术属性】
技术研发人员：马鸣明，张伟光，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42