本发明专利技术是一种抗高脉冲过载的陶瓷PTC热敏电阻器及制造方法,原料组成及配比量:BaCO
A ceramic PTC thermistor resistant to high pulse overload and its manufacturing method
【技术实现步骤摘要】
一种抗高脉冲过载的陶瓷PTC热敏电阻器及制造方法
本专利技术专利涉及的是一种抗高脉冲过载的陶瓷PTC热敏电阻器及制造方法,特别是用于电动汽车上电预充、充电桩充电等大功率用电设备启动电路的负载保护PTC热敏电阻。技术背景目前电动汽车、充电桩等大功率用电设备启动控制电路的负载保护电阻,是采用水泥电阻、陶瓷电阻、铝壳电阻、厚膜电阻等。线绕电阻是缠绕电阻丝获得的电阻,其体积大,而且无法承受长时间的高电压通电,抗耐电压能力差,容易烧坏。厚膜电阻体积较大,而且厚膜电阻由于工艺的限制,也无法在有限空间体积的情况下获得更大的功率。目前现有的陶瓷PTC电阻一般是圆片状PTC电阻,体积小热容量小,PTC动作快,不能满足高脉冲过载,特别是电动汽车上电预充、充电桩充电等大功率用电设备启动电路的负载保护使用。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种抗高脉冲过载的陶瓷PTC热敏电阻器及制造方法,特别是用于电动汽车上电预充、充电桩充电等大功率用电设备启动电路的负载保护PTC热敏电阻;其电阻值1300Ω-3000Ω,耐高电压能力DC750V,耐上电脉冲次数每次上电不小于5次,电压通电1000小时正常可重复使用万次。本专利技术抗高脉冲过载的陶瓷PTC热敏电阻器及制造方法:1.原料组成及配比量:BaCO3:0.811~0.825molCaCO3:0.175~0.189molTiO2:1.018~1.022molY2O3:0.0026~0.0035molMn(NO3)2:0.00078~0.00096molSiO2:0.010~0.018molAl2O3:0.005~0.01molSi3N4:0.003~0.006mol2.球磨:将称量好的原料用球磨机进行湿法球磨,使物料混合均匀,粒度不大于3um;球磨用去离子水的绝缘电阻大于10MΩ;3.预烧合成:将球磨好的物料烘干,压成块状,以每小时150℃-180℃的升温速率升温,升温至1170℃±10℃,保温2-3小时预烧合成;4.二次球磨混料:将预烧合成的物料,用球磨机进行湿法球磨,使物料混合均匀,粒度为2-3um;球磨用去离子水的绝缘电阻大于10MΩ;5.加粘合剂和脱模剂搅拌:将步骤4得到的物料放入搅拌桶中,进行静置沉淀,抽出沉静水,然后按物料:粘合剂:脱模剂=1:0.12-0.14:0.004-0.005加入粘合剂和脱模剂,搅拌使粘合剂和脱模剂与物料充分结合,得浆料;所述的粘合剂制备:绝缘电阻大于10MΩ的去离子水:聚乙烯醇23-99:无水乙醇=100:7-9:18—22,搅拌加热,煮沸45-60分钟,冷却后过筛使用;6.喷雾造粒:将步骤5得到的浆料进行喷雾造粒,粒料冷却、粒料脱铁、筛分,取得粒度为124um-250um的粒料;7.压制成型:用冷等静压成型机将步骤6得到的粒料压制成Φ16-18mm×18-35mm的圆柱坯;8.烧结:对步骤7得到的圆柱坯用高温窑炉烧结,采用如下烧结曲线烧结:室温-800℃升温速率250℃-300℃∕小时,800℃保温30分钟;800℃-1150℃升温速率300℃-350℃∕小时,1150℃保温10-30分钟;1150℃-1320℃升温速率420℃-480℃∕小时,1320℃高温保温1-2个小时;1320℃-1200℃降温速率350℃-380℃∕小时,1200℃保温30-50分钟;1200℃-850℃降温速率150℃-300℃∕小时,850℃以下随炉降温,出炉,得PTC圆柱体瓷体;9.上镍电极:将步骤8得到的PTC瓷体表面进行化学镀镍;然后对PTC瓷体进行外圆磨,将柱面上的镀镍层磨除,保留柱体上下端面的镀镍层;10.上银电极;在圆柱形PTC瓷体上下端面的镀镍层表面上用丝网印刷可焊银浆,然后烧银,形成银电极;11.焊接导线、包封、固化:在步骤10得到的圆柱PTC瓷体的上下端面焊接导线,用硅树脂材料包封圆柱PTC瓷体,对硅树脂材料固化处理,得产品。本专利技术制得的抗高脉冲过载的圆柱状陶瓷PTC热敏电阻器的技术性能:电阻值1300Ω-3000Ω,耐高电压能力DC750V,耐上电脉冲次数每次上电不小于5次,电压通电1000小时正常可重复使用万次。本专利技术在A位采用高钙掺杂,以求得到低电阻率、细晶粒、高耐电压的PTC热敏电阻陶瓷材料;本专利技术玻璃相采用AST玻璃相,除了常规的氧化铝、二氧化硅、二氧化钛,α相氮化硅的加入改变了PTC晶界的状态,延迟并改良了PTC在高阻时出现的NTC效应,提高了PTC热敏电阻陶瓷材料的耐电压特性;本专利技术在施主用量、受主用量及施受主用量的比例上的探索和确定,保证了PTC热敏电阻高α系数、高升阻比、高耐电压。本专利技术在烧结曲线的探索设计上,采用在1150℃之后快升至最高烧结温度,保温结束后快降至1200℃后保温的烧结制度,既避免了异常晶粒的长大,也有利于钡缺位扩散层的加厚,在选择原料配方的基础上,通过该烧成工艺,从微观结构上保证了均匀细晶陶瓷的获得。本专利技术采用冷等静压机压制成型,保证了PTC毛坯材料不同部位的化学组成成分均匀,为烧结得到化学组成均匀、微观结构均匀的细晶粒陶瓷提供了保障。化学组成的均匀性、微观陶瓷结构的均匀性保证了本PTC热敏电阻良好的耐电压性能和超长的使用寿命。本专利技术确定PTC陶瓷圆柱体的直径和高度尺寸,得到的抗高脉冲过载的圆柱状陶瓷PTC热敏电阻器,用于负载限流保护使用,可充分满足瞬时大电流的使用要求,特别适用于电动汽车和充电桩启动时的高脉冲负载保护电阻器使用。抗高脉冲过载的圆柱状陶瓷PTC热敏电阻器具有很好的耐受高电压上电冲击能力,并可以承受连续高脉冲过流,使用寿命长,使用寿命达10万次以上,充分满足电动汽车和充电桩启动时的高脉冲负载保护应用。附图说明图1是本专利技术实施例1陶瓷PTC热敏电阻器的性能图。图2本专利技术实施例2陶瓷PTC热敏电阻器的性能图。图3本专利技术实施例3陶瓷PTC热敏电阻器的性能图。图4本专利技术实施例4陶瓷PTC热敏电阻器的性能图。图5本专利技术实施例5陶瓷PTC热敏电阻器的性能图。图6是本专利技术陶瓷PTC热敏电阻器结构示意图;1-PTC瓷体,2-铜线3-硅树脂封装层。具体实施方式实施例1原料摩尔配比:BaCO3:0.811mol、CaCO3:0.189mol、TiO2:1.018mol、Y2O3:0.0029mol、Mn(NO3)2:0.00082mol、SiO2:0.010mol、Al2O3:0.005mol、Si3N4:0.004mol;将称量好的材料放入球磨罐,按原料:玛瑙球:绝缘电阻大于10MΩ的去离子水=1:1.5:1.5,进行球磨,球磨罐转速为50转/分钟,时间24小时;将一次球磨好的物料烘干压成圆柱状,在高温炉中以每小时150℃的升温速率升温,升温至1170℃,保温3小时预烧合成,预烧合成的物料在本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种抗高脉冲过载的陶瓷PTC热敏电阻器制造方法,其特征是:/n(1)原料组成及配比量:/nBaCO
【技术特征摘要】
1.一种抗高脉冲过载的陶瓷PTC热敏电阻器制造方法,其特征是:
(1)原料组成及配比量:
BaCO3:0.811~0.825mol
CaCO3:0.175~0.189mol
TiO2:1.018~1.022mol
Y2O3:0.0026~0.0035mol
Mn(NO3)2:0.00078~0.00096mol
SiO2:0.010~0.018mol
Al2O3:0.005~0.01mol
Si3N4:0.003~0.006mol
(2)球磨:将称量好的原料用球磨机进行湿法球磨,使物料混合均匀,粒度不大于3um;球磨用去离子水的绝缘电阻大于10MΩ;
(3)预烧合成:将球磨好的物料烘干,压成块状,以每小时150℃-180℃的升温速率升温,升温至1170℃±10℃,保温2-3小时预烧合成;
(4)二次球磨混料:将预烧合成的物料,用球磨机进行湿法球磨,使物料混合均匀,粒度为2-3um;球磨用去离子水的绝缘电阻大于10MΩ;
(5)加粘合剂和脱模剂搅拌:将步骤(4)得到的物料放入搅拌桶中,进行静置沉淀,抽出沉静水,然后按物料:粘合剂:脱模剂=1:0.12-0.14:0.004-0.005加入粘合剂和脱模剂,搅拌使粘合剂和脱模剂与物料充分结合,得浆料;
所述的粘合剂制备:绝缘电阻大于10MΩ的去离子水:聚乙烯醇23-99:无水乙醇=100:7-9:18—22,搅拌加热,煮沸45-60分钟,冷却后过筛使用;
(6)喷雾造粒:将步骤(5)...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘文磊,孙立敏,吴波,刘永明,张成君,杨新宇,
申请(专利权)人:丹东国通电子元件有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁;21
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