Ka波段平面宽带天线制造技术

本实用新型专利技术提供了一种Ka波段平面宽带天线，用于解决现有技术中Ka波段平面宽带加工制造难度大且难以小型化的问题，该Ka波段平面宽带天线包括介质基片，其包括彼此相对的第一表面和第二表面，介质基片的第一表面接地；贴合于介质基片第二表面的辐射贴片和微带馈线；开设于辐射贴片上的第一狭缝，第一狭缝包括第一延伸部以及自第一延伸部两端同向弯折的第一弯折部；开设于辐射贴片上的第二狭缝，第二狭缝包括第二延伸部以及自第二延伸部两端同向弯折的第二弯折部；第一狭缝和第二狭缝彼此分离，第一狭缝的第一弯折部和第二狭缝的第二弯折部的弯折方向相同，第一狭缝的第一延伸部和第一弯折部共同形成一收容区，第二狭缝至少部分地位于收容区内。

Ka band planar broadband antenna

The utility model provides a Ka band plane broadband antenna, which is used to solve the problem of difficult manufacture and miniaturization of Ka band plane broadband antenna in the prior art. The Ka band plane broadband antenna includes a dielectric substrate, which includes a first surface and a second surface opposite to each other, the first surface of the dielectric substrate is grounded; a radiation patch and a Microstrip feeder; the first slit on the radiation patch, the first slit including the first extension part and the first bending part which are bent in the same direction from both ends of the first extension part; the second slit on the radiation patch, the second slit including the second extension part and the second bending part which are bent in the same direction from both ends of the second extension part; the first slit and the second slit are separated from each other, and the first slit is The first bending part and the second bending part of the second slit have the same bending direction, the first extension part and the first bending part of the first slit form a receiving area together, and the second slit is at least partially located in the receiving area.

【技术实现步骤摘要】
Ka波段平面宽带天线
本技术属于平面印制天线
，具体涉及一种Ka波段平面宽带天线。
技术介绍
随着卫星通信技术的发展，L、C、X、Ku等波段已不能满足高速、宽带、小口径终端等应用的需求，而Ka波段的优点是可用带宽宽，干扰少，设备体积小。目前，Ka波段卫星通信系统已进入实用化阶段，Ka波段的频率范围为26.5-40GHz，Ka代表着K的正上方(K-above)，换句话说，该波段直接高于K波段，Ka波段也被称作30/20GHz波段。多年以来，人们对于平面天线技术的研究越来越广泛和深入，主要是因为平面天线成本低廉，加工一致性高，易于集成。现有技术中，已经设计出许多适用于Ka波段的天线，但是大多数是立体结构的天线，设计成本较高且加工制造难度大，同时会占据很大的空间，难以实现与小型系统的一体化设计。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种Ka波段平面宽带天线。为了实现上述目的，本技术一实施例提供的技术方案如下：一种Ka波段平面宽带天线，所述Ka波段平面宽带天线包括：介质基片，其包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述介质基片的第一表面接地；贴合于所述介质基片第二表面的辐射贴片和微带馈线；开设于所述辐射贴片上的第一狭缝，所述第一狭缝包括第一延伸部以及自所述第一延伸部两端同向弯折的第一弯折部；开设于所述辐射贴片上的第二狭缝，所述第二狭缝包括第二延伸部以及自所述第二延伸部两端同向弯折的第二弯折部；其中，所述第一狭缝和第二狭缝彼此分离，所述第一狭缝的第一弯折部和所述第二狭缝的第二弯折部的弯折方向相同，所述第一狭缝的第一延伸部和第一弯折部共同形成一收容区，所述第二狭缝至少部分地位于所述收容区内。一实施例中，还包括贴合于所述第二表面的微带匹配网络，所述微带匹配网络连接于所述辐射贴片临近所述第一延伸部的侧边处，所述微带馈线通过所述微带匹配网络与所述辐射贴片连接。一实施例中，所述辐射贴片、微带匹配网络以及微带馈线由贴合于所述介质基片上的同一金属层形成，和/或所述微带匹配网络的尺寸为1.52mm*0.89mm。一实施例中，所述第一狭缝的第一延伸部和所述第二狭缝的第二延伸部彼此平行设置。一实施例中，所述第一狭缝的第一弯折部自所述第一延伸部的两端直角弯折，和/或所述第二狭缝的第二弯折部自所述第二延伸部的两端直角弯折。一实施例中，所述第一狭缝的第一延伸部的宽度大于第一弯折部的宽度，和/或所述第二狭缝的第二延伸部的宽度大于第二弯折部的宽度。一实施例中，所述第一狭缝和第二狭缝大致呈U形，所述第一狭缝的U形开口方向和所述第二狭缝的U形开口方向相同。一实施例中，所述介质基片的厚度为20mil，和/或所述介质基片的介电常数为3.48。一实施例中，所述第一狭缝的第一延伸部的尺寸为5.01mm*0.3mm，第一弯折部的尺寸为0.25mm*1.85mm；和/或所述第二狭缝的第二延伸部的尺寸为4.1mm*0.31mm，第二弯折部的尺寸为0.25mm*1.27mm。一实施例中，所述辐射贴片为矩形，所述辐射贴片的尺寸为5.92mm*3.95mm。一实施例中，所述微带馈线的输入阻抗为50欧姆。本技术具有以下有益效果：本技术通过在Ka波段平面宽带天线的辐射贴片上开设彼此分离的第一狭缝和第二狭缝，第一狭缝的第一弯折部和第二狭缝的第二弯折部同向弯折，且第二狭缝至少部分地位于第一狭缝的第一延伸部和第一弯折部共同形成的收容区内，采用平面天线的形式实现了在Ka波段的高带宽，其加工制作流程简单，成本低廉，且拥有较好的辐射效率，同时较为容易实现小型化设计，易于集成在小型系统中。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术Ka波段平面宽带天线一实施方式的结构示意图；图2为本技术Ka波段平面宽带天线一实施方式中局部的放大示意图；图3为本技术Ka波段平面宽带天线一实施方式的侧视图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。配合参照图1至图3，介绍本技术Ka波段平面宽带天线100的一具体实施方式。在本实施方式中，该Ka波段平面宽带天线100包括介质基片10、辐射贴片20以及微带馈线40。介质基片10包括彼此相对的第一表面101和第二表面102，且该第一表面101接地。本实施方式中，介质基片10的第一表面101通过覆设的金属层11接地。一实施例中，介质基片10的厚度为20mil，介电常数为3.48。具体地，该介质基片10可以例如采用20mil厚度，介电常数为3.48的Rogers4350B介质基片。辐射贴片20和微带馈线40贴合于介质基片10的第二表面102，辐射贴片20和微带馈线40可以是由贴合于第二表面102上的同一金属层所形成。辐射贴片20的形状可以根据实际应用的需要采取不同的设计，例如圆形、矩形、正方形、多边形等。示范性地，一实施例中，辐射贴片20的形状为矩形，尺寸为5.92mm*3.95mm。微带馈线40从介质基片10的一侧边缘引向辐射贴片20，并通过调节该微带馈线40的宽度使其输入阻抗为50欧姆。辐射贴片20上分别开设有第一狭缝51和第二狭缝52，该第一狭缝51和第二狭缝52彼此分离。第一狭缝51包括第一延伸部511以及自第一延伸部511两端同向弯折延伸的第一弯折部512，第二狭缝52包括第二延伸部521以及自第二延伸部521两端同向弯折延伸的第二弯折部522，并且，第一狭缝51的第一弯折部512和第二狭缝52的第二弯折部522的弯折方向相同。第一狭缝51的第一延伸部511和第一弯折部512共同形成一收容区60，第二狭缝52至少部分地位于该收容区60内。通过在辐射贴片20上开设的第一狭缝51和第二狭缝52，可以实现在Ka波段内的平面宽带天线的设计，其结构及制造工艺简单，便于生产加工制作，成本较低。一实施例中，第一狭缝51的第一延伸部511和第二狭缝52的第二延伸部521彼此平行设置，且第一延伸部511和第二延伸部521呈直线延伸。第一狭缝51的第一弯折部512自第一延伸部511的两端直角弯折，第二狭缝52的第二弯折部522自第二延伸部521的两端直角弯折。需要说明的是，第一狭缝51的第一延伸部511和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ka波段平面宽带天线，其特征在于，所述Ka波段平面宽带天线包括：/n介质基片，其包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述介质基片的第一表面接地；/n贴合于所述介质基片第二表面的辐射贴片和微带馈线；/n开设于所述辐射贴片上的第一狭缝，所述第一狭缝包括第一延伸部以及自所述第一延伸部两端同向弯折的第一弯折部；/n开设于所述辐射贴片上的第二狭缝，所述第二狭缝包括第二延伸部以及自所述第二延伸部两端同向弯折的第二弯折部；/n其中，所述第一狭缝和第二狭缝彼此分离，所述第一狭缝的第一弯折部和所述第二狭缝的第二弯折部的弯折方向相同，所述第一狭缝的第一延伸部和第一弯折部共同形成一收容区，所述第二狭缝至少部分地位于所述收容区内。/n

【技术特征摘要】
1.一种Ka波段平面宽带天线，其特征在于，所述Ka波段平面宽带天线包括：
介质基片，其包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述介质基片的第一表面接地；
贴合于所述介质基片第二表面的辐射贴片和微带馈线；
开设于所述辐射贴片上的第一狭缝，所述第一狭缝包括第一延伸部以及自所述第一延伸部两端同向弯折的第一弯折部；
开设于所述辐射贴片上的第二狭缝，所述第二狭缝包括第二延伸部以及自所述第二延伸部两端同向弯折的第二弯折部；
其中，所述第一狭缝和第二狭缝彼此分离，所述第一狭缝的第一弯折部和所述第二狭缝的第二弯折部的弯折方向相同，所述第一狭缝的第一延伸部和第一弯折部共同形成一收容区，所述第二狭缝至少部分地位于所述收容区内。


2.根据权利要求1所述的Ka波段平面宽带天线，其特征在于，还包括贴合于所述第二表面的微带匹配网络，所述微带匹配网络连接于所述辐射贴片临近所述第一延伸部的侧边处，所述微带馈线通过所述微带匹配网络与所述辐射贴片连接。


3.根据权利要求2所述的Ka波段平面宽带天线，其特征在于，所述辐射贴片、微带匹配网络以及微带馈线由贴合于所述介质基片上的同一金属层形成，和/或所述微带匹配网络的尺寸为1.52mm*0.89mm。


4.根据权利要求1所述的Ka波段平面宽带天线，其特征在于，所述第一狭缝的第一延伸部和所述第二狭缝的第二延伸部彼此平行设置。...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亚军，石雯，陈勇，
申请(专利权)人：苏州矽典微智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32