一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储单元的编程方法，该方法包括：采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作；当设定等级的存储单元编程校验通过时，记录当前次编程循环采用的编程电压值；或者，当所述第一次编程操作中编程循环的次数达到设定阈值时，记录最后一次编程循环采用的编程电压值；采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作；其中，存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。通过采用上述技术方案实现了快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间，提高了编程性能。

A programming method, device, electronic equipment and storage medium of storage unit

The invention discloses a programming method of a storage unit, which includes: using the first type of programming voltage to perform the first round of programming operation on the storage unit in the programming area except for the storage unit passing the programming verification; recording the programming voltage value adopted in the current programming cycle when the storage unit of the set level passes the programming verification; or, when the first programming operation When the number of in-process programming cycles reaches the set threshold value, record the programming voltage value used in the last programming cycle; use the second type of programming voltage with the programming voltage value as the initial value to perform the second round of programming operation on the storage unit in the programming area except for the storage unit passing the programming verification; wherein, the level of the storage unit is based on the target threshold voltage of the storage unit Division of distribution range. By adopting the above technical scheme, the threshold voltage of the storage unit is raised to a higher area quickly, which saves the programming time and improves the programming performance.

【技术实现步骤摘要】
一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质
本专利技术实施例涉及存储
，具体涉及一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
非易失闪存介质(Nandflash)是一种很常见的存储芯片，兼有随机存储器(RandomAccessMemory，RAM)和只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器，同时具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛应用到电子产品中。按照每个存储单元存储数据的位数划分，Nandflash可被分成三类，分别是SLC(Single-LevelCell，单层单元)、MLC(Multi-LevelCell，多层单元)和TLC(Triple-LevelCell，三层单元)，其中，SLC的每个存储单元存储一位(1bit)数据，MLC的每个存储单元存储2bit数据，TLC的每个存储单元存储3bit数据。数据的存储是通过控制存储单元阈值电压的分布来实现的，具体参见图1所示的一种TLC的存储单元阈值电压分布示意图，当存储单元的阈值电压落在A区域时，表示存储单元当前存储的数据为001，当存储单元的阈值电压落在B区域时，表示存储单元当前存储的数据为010，……当存储单元的阈值电压落在G区域时，表示存储单元当前存储的数据为111。因此，要实现TLC存储单元正确存储数据，需要通过复杂的算法控制存储单元的阈值分布。参见图1所示，编程区域的所有存储单元的等级包括A-G七个等级，存储单元的等级A-G依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分，目标阈值电压的分布范围越高，则对应存储单元的等级越高。现有方案中，在对TLC的存储单元执行编程操作时，通常会分为2-3轮编程，第1轮编程是一次粗糙的编程，目的是将存储单元的阈值电压抬到一个相对较高的范围，第2-3轮编程是较为精细的编程，最终实现将存储单元的阈值电压区分出A-G7个状态。通常在第2-3轮编程时对存储单元的字线所加的初始电压固定不变，且该初始电压通常较低，因此编程时间较长。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质，实现了可以快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，缩短了编程时间，提高了编程性能。为实现上述目的，本专利技术实施例采用如下技术方案：第一方面，本专利技术实施例提供了一种存储单元的编程方法，所述方法包括：采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作；当设定等级的存储单元编程校验通过时，记录当前次编程循环采用的编程电压值；或者，当所述第一轮编程操作中编程循环的次数达到设定阈值时，记录最后一次编程循环采用的编程电压值；采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作；其中，存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。进一步的，所述采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作，包括：采用特定编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行一次编程操作；对设定等级的存储单元进行编程校验；若所述设定等级的存储单元编程校验不通过，则将当前次编程循环采用的编程电压增加设定值得到下次编程循环时需要的新编程电压，以更新所述特定编程电压；采用所述新编程电压重复上述编程循环操作，直到所述设定等级的存储单元编程校验通过或者编程循环的次数达到设定阈值；其中，一次编程循环包括执行一次编程操作和一次编程校验。进一步的，所述对设定等级的存储单元进行编程校验，包括：对所述设定等级的存储单元逐个进行编程校验，并屏蔽编程校验通过的存储单元；若所述设定等级的存储单元中存在编程校验不通过的存储单元，则确定所述设定等级的存储单元编程校验不通过。进一步的，所述对设定等级的存储单元进行编程校验，包括：对所述设定等级的存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验，若编程校验不通过，则确定所述设定等级的存储单元编程校验不通过；若编程校验通过，则屏蔽该存储单元并对所述设定等级的存储单元中除校验已通过的存储单元之外的其他存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验，并重复上述编程校验的判断操作；当所述设定等级的所有存储单元的编程校验均通过时，则确定所述设定等级的存储单元编程校验通过。进一步的，所述采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作，包括：采用所述编程电压值对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行一次编程操作；对所述编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行编程校验；若编程校验不通过，则将当前次编程循环采用的编程电压增加设定值得到下次编程循环时需要的新编程电压，以更新所述编程电压值；采用所述新编程电压重复上述编程循环操作，直到编程校验通过。进一步的，对所述编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行编程校验，包括：对所述编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元逐个进行编程校验，并屏蔽编程校验通过的存储单元；若存在编程校验不通过的存储单元，则确定编程校验不通过。进一步的，所述设定等级的存储单元为编程区域中目标阈值电压分布在较低范围的存储单元。第二方面，本专利技术实施例提供了一种存储单元的编程装置，所述装置包括：第一编程模块，用于采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作；记录模块，用于当设定等级的存储单元编程校验通过时，记录当前次编程循环采用的编程电压值；或者，当所述第一轮编程操作中编程循环的次数达到设定阈值时，记录最后一次编程循环采用的编程电压值；第二编程模块，用于采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作；其中，存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括第一存储器、第一处理器及存储在存储器上并可在第一处理器上运行的计算机程序，所述第一处理器执行所述计算机程序时实现如上述第一方面所述的存储单元的编程方法。第四方面，本专利技术实施例提供了一种包含计算机可执行指令的存储介质，所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时实现如上述第一方面所述的存储单元的编程方法。本专利技术实施例提供的一种存储单元的编程方法，通过当设定等级的存储单元编程校验通过时，记录当前次编程循环采用的编程电压值；或者，当所述第一轮编程操作中编程循环的次数达到设定阈值时，记录最后一次编程循环采用的编程电压值；并采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作的技术手段，实现了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储单元的编程方法，其特征在于，包括：/n采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作；/n当设定等级的存储单元编程校验通过时，记录当前次编程循环采用的编程电压值；或者，当所述第一轮编程操作中编程循环的次数达到设定阈值时，记录最后一次编程循环采用的编程电压值；/n采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作；/n其中，存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储单元的编程方法，其特征在于，包括：
采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作；
当设定等级的存储单元编程校验通过时，记录当前次编程循环采用的编程电压值；或者，当所述第一轮编程操作中编程循环的次数达到设定阈值时，记录最后一次编程循环采用的编程电压值；
采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作；
其中，存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作，包括：
采用特定编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行一次编程操作；
对设定等级的存储单元进行编程校验；
若所述设定等级的存储单元编程校验不通过，则将当前次编程循环采用的编程电压增加设定值得到下次编程循环时需要的新编程电压，以更新所述特定编程电压；
采用所述新编程电压重复上述编程循环操作，直到所述设定等级的存储单元编程校验通过或者编程循环的次数达到设定阈值；
其中，一次编程循环包括执行一次编程操作和一次编程校验。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对设定等级的存储单元进行编程校验，包括：
对所述设定等级的存储单元逐个进行编程校验，并屏蔽编程校验通过的存储单元；
若所述设定等级的存储单元中存在编程校验不通过的存储单元，则确定所述设定等级的存储单元编程校验不通过。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对设定等级的存储单元进行编程校验，包括：
对所述设定等级的存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验，若编程校验不通过，则确定所述设定等级的存储单元编程校验不通过；
若编程校验通过，则屏蔽该存储单元并对所述设定等级的存储单元中除校验已通过的存储单元之外的其他存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验，并重复上述编程校验的判断操作；
当所述设定等级的所有存储单元的编程校验均通过时，则确定所述设定等级的存储单元编程校验通过。

【专利技术属性】
技术研发人员：贺元魁，潘荣华，史兵，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11