一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储单元的编程方法、装置及电子设备，该方法包括：对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作；对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元进行编程校验；若编程校验均通过，则对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤。通过采用上述技术方案实现了快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间。

A programming method, device, electronic equipment and storage medium of storage unit

The invention discloses a programming method, a device and an electronic device of a storage unit, the method includes: a programming operation for the storage unit in the programming area except for the storage unit passing the programming verification; a programming verification for the storage unit in the setting storage unit except for the storage unit passing the programming verification; if the programming verification is passed, the storage unit other than the setting storage unit The storage unit continues the programming operation, otherwise, it returns to the step of programming the storage unit in the programming area except for the storage unit passing the programming verification. By adopting the above technical scheme, the threshold voltage of the storage unit can be raised to a higher area quickly, and the programming time can be saved.

【技术实现步骤摘要】
一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质
本专利技术实施例涉及存储
，具体涉及一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
非易失闪存介质(Nandflash)是一种很常见的存储芯片，兼有随机存储器(RandomAccessMemory，RAM)和只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器，同时具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛应用到电子产品中。按照每个存储单元存储数据的位数划分，Nandflash可被分成三类，分别是SLC(Single-LevelCell，单层单元)、MLC(Multi-LevelCell，多层单元)和TLC(Triple-LevelCell，三层单元)，其中，SLC的每个存储单元存储一位(1bit)数据，MLC的每个存储单元存储2bit数据，TLC的每个存储单元存储3bit数据。数据的存储是通过控制存储单元阈值电压的分布来实现的，具体参见图1所示的一种TLC的存储单元阈值电压分布示意图，当存储单元的阈值电压落在A区域时，表示存储单元当前存储的数据为001，当存储单元的阈值电压落在B区域时，表示存储单元当前存储的数据为010，……当存储单元的阈值电压落在G区域时，表示存储单元当前存储的数据为111。因此，要实现TLC存储单元正确存储数据，需要通过复杂的算法控制存储单元的阈值分布。如何快速地使TLC存储单元的阈值电压被编程到预期状态，成为了本领域专业人员共同努力的事情。r>
技术实现思路
本专利技术提供一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质，实现了可以快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间。为实现上述目的，本专利技术实施例采用如下技术方案：第一方面，本专利技术实施例提供了一种存储单元的编程方法，所述方法包括：对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作；对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行编程校验；若编程校验均通过，则对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤。进一步的，所述设定存储单元为编程区域中目标阈值电压分布在较低范围的存储单元。进一步的，所述对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行编程校验包括：对所述设定存储单元中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元逐个进行编程校验，并屏蔽编程校验通过的存储单元。进一步的，所述对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元进行编程校验包括：对所述设定存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验；若编程校验不通过，则返回执行对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤；若编程校验通过，则屏蔽该存储单元，并继续对所述设定存储单元剩余的存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验；重复上述校验结果的判断操作，直到所述设定存储单元的编程校验均通过；其中，存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。进一步的，所述对设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，包括：对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行一次编程操作；屏蔽所述设定存储单元之外的存储单元中等级最低的存储单元；继续对所述设定存储单元之外的存储单元中剩余的存储单元进行一次编程操作；屏蔽所述设定存储单元之外的存储单元中剩余的存储单元中等级最低的存储单元；重复上述继续编程-屏蔽操作，直到所述设定存储单元之外的存储单元中剩余的存储单元为零，结束流程；其中，所述存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。进一步的，对存储单元进行一次编程操作，包括：分别向存储单元的栅极以及漏极施加对应的编程电压。进一步的，对存储单元进行编程校验，包括：向存储单元的栅极施加对应的读电压；依据与所述存储单元匹配的灵敏放大器设定节点处的电压值确定编程校验的结果是否为通过。第二方面，本专利技术实施例提供了一种存储单元的编程装置，所述装置包括：第一编程模块，用于对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作；校验模块，用于对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行编程校验；第二编程模块，用于若编程校验均通过，则对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作；返回模块，用于若编程校验的结果不是均为通过，返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤。第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括第一存储器、第一处理器及存储在存储器上并可在第一处理器上运行的计算机程序，所述第一处理器执行所述计算机程序时实现如上述第一方面所述的存储单元的编程方法。第四方面，本专利技术实施例提供了一种包含计算机可执行指令的存储介质，所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时实现如上述第一方面所述的存储单元的编程方法。本专利技术实施例提供的一种存储单元的编程方法，当对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作之后，通过只对设定存储单元进行编程校验，且当编程校验的结果均为通过时，对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，而不再进行编程校验，实现了可以快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间。附图说明图1是一种TLC的存储单元阈值电压分布示意图；图2是本专利技术实施例一中的一种存储单元的编程方法流程示意图；图3是本专利技术实施例一中的一种存储单元块的结构示意图；图4为本专利技术实施例一中的一种编程过程示意图；图5为本专利技术实施例二中的一种存储单元的编程方法流程示意图；图6为本专利技术实施例三中的一种存储单元的编程装置结构示意图；图7为本专利技术实施例四提供的一种电子设备的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图2为本专利技术实施例一提供的一种存储单元的编程方法流程图，本实施例提供的编程方法可适用于对TLC类的Nandflash进行编程操作。可由存储单元的编程装置执行，该装置可通过软件和/或硬件的方式实现，一般集成在应用TLC类Nandflash的电子产品中。具体参见图2所示，本实施例提供的存储单元的编程方法具体包括如下步骤：210、对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作。其中，所述编程区域具体可以指一个编程页。flash芯片是由内部成千上万个存储单元组成的，多个存储单元组成页，多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储单元的编程方法，其特征在于，包括：/n对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作；/n对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元进行编程校验；/n若编程校验均通过，则对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储单元的编程方法，其特征在于，包括：
对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作；
对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元进行编程校验；
若编程校验均通过，则对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定存储单元为编程区域中目标阈值电压分布在较低范围的存储单元。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元进行编程校验包括：
对所述设定存储单元中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元逐个进行编程校验，并屏蔽编程校验通过的存储单元。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元进行编程校验，包括：
对所述设定存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验；
若编程校验不通过，则返回执行对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤；
若编程校验通过，则屏蔽该存储单元，并继续对所述设定存储单元剩余的存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验；
重复上述编程校验的判断操作，直到所述设定存储单元的编程校验均通过；
其中，存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。


5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述对设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，包括：
对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行一次编程操作；
屏蔽所述设定存储单元之外的存储单元中等级最低的存储单元；
继续对所述设定存储单元之外的...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺元魁，潘荣华，马思博，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，西安格易安创集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11