稳压器、动态随机存取存储器、及位元线电压的稳定方法技术

本公开提供一种稳压电路、动态随机存取存储器、以及位元线电压的稳定方法。该稳压电路包括一分压模块、一第一稳压模块和一第二稳压模块。该分压模块经配置以产生复数个参考电压。该分压模块包括复数个电阻器和一晶体管单元。该晶体管单元耦合至复数个电阻器且经配置以互补式调整该复数个电阻器的电阻。该第一稳压模块耦合至该分压模块且经配置以产生一第一稳压。该第一稳压相同于该复数个参考电压的一中间参考电压。该第二稳压模块耦合至该分压模块且经配置以产生一第二稳压。该第二稳压相同于该复数个参考电压中的一参考电压，但不同于该中间参考电压。

Voltage stabilizer, dynamic random access memory, and method of stabilizing bit line voltage

The invention provides a voltage stabilizing circuit, a dynamic random access memory, and a stabilizing method of a bit line voltage. The voltage stabilizing circuit includes a voltage dividing module, a first voltage stabilizing module and a second voltage stabilizing module. The voltage dividing module is configured to generate a plurality of reference voltages. The voltage dividing module comprises a plurality of resistors and a transistor unit. The transistor unit is coupled to a plurality of resistors and configured to adjust the resistance of the plurality of resistors in a complementary manner. The first voltage stabilizing module is coupled to the voltage dividing module and configured to generate a first voltage stabilizing. The first voltage stabilization is the same as an intermediate reference voltage of the plurality of reference voltages. The second voltage stabilizing module is coupled to the voltage dividing module and configured to generate a second voltage stabilizing. The second voltage stabilization is the same as one of the plurality of reference voltages, but different from the intermediate reference voltage.

【技术实现步骤摘要】
稳压器、动态随机存取存储器、及位元线电压的稳定方法本公开主张2018/06/04申请的美国正式申请案第15/997,427号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开是关于一种电路、一种动态随机存取存储器(DRAM)、以及一种方法。特别是关于一种稳压电路、一种动态随机存取存储器、以及一种位元线电压的稳定方法。
技术介绍
动态随机存取存储器包括一存储器阵列，该存储器阵列包括复数条位元线。当该存储器阵列读取或写入数据时，该存储器阵列电流被消耗，因而降低该复数条位元线的电压。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例提供一种稳压电路。该稳压电路包括一分压模块、一第一稳压模块和一第二稳压模块。该分压模块经配置以产生复数个参考电压。该第一稳压模块耦合至该分压模块且经配置以产生一第一稳压，其中该第一稳压相同于该复数个参考电压的一中间参考电压。该第二稳压模块耦合至该分压模块且经配置以产生一第二稳压，其中该第二稳压相同于该复数个参考电压中的一参考电压，但不同于该中间参考电压。在本公开的一些实施例中，该稳压电路还包括一第一致能模块和一第二致能模块。该第一致能模块耦合至该第一稳压模块且经配置以产生一第一致能信号。该第二致能模块耦合至该第二稳压模块且经配置以产生一第二致能信号。在本公开的一些实施例中，该稳压电路还包括一控制模块，耦合至该第一致能模块和该第二致能模块，其中该控制模块经配置以发送一控制信号至该第一致能模块和该第二致能模块。在本公开的一些实施例中，该控制模块在不同条件下发送该控制信号至该第一致能模块和该第二致能模块。在本公开的一些实施例中，该分压模块还经配置以将一存储器阵列电压转换成该复数个参考电压。在本公开的一些实施例中，该分压模块包括复数个电阻器以及一晶体管单元。该晶体管单元耦合至该复数个电阻器且经配置以互补式调整复数个电阻器的电阻。在本公开的一些实施例中，该第一稳压模块包括一运算放大器，耦合至该分压模块，其中该运算放大器经配置以产生该第一稳压。在本公开的一些实施例中，该第二稳压模块包括两个运算放大器，耦合至该分压模块。在本公开的一些实施例中，该两个运算放大器中的一个是经配置以产生该第二稳压。本公开的另一实施例提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。该DRAM包括一存储器阵列、复数条位元线以及一稳压模块。该复数条位元线位于该存储器阵列中。该稳压模块耦合至该复数条位元线。在本公开的一些实施列中，该稳压模块包括一分压模块、一第一稳压模块和一第二稳压模块。该分压模块经配置以产生复数个参考电压。该第一稳压模块耦合至该分压模块且经配置以产生一第一稳压，其中该第一稳压相同于该复数个参考电压中的一中间参考电压。该第二稳压模块耦合至该分压模块且经配置以产生一第二稳压，其中该第二稳压相同于该复数个参考电压中的一参考电压，但不同于该中间参考电压。在本公开的一些实施例中，该DRAM还包括一第一致能模块和一第二致能模块。该第一致能模块耦合至该第一稳压模块且经配置以产生一第一致能信号。该第二致能模块耦合至该第二稳压模块且经配置以产生一第二致能信号。在本公开的一些实施例中，该DRAM还包括一控制模块，耦合至该第一致能模块和该第二致能模块，其中该控制模块是经配置以发送一控制信号至该第一致能模块和该第二致能模块。在本公开的一些实施例中，该控制模块在不同条件下发送该控制信号至该第一致能模块和该第二致能模块。在本公开的一些实施例中，该分压模块还经配置以将一存储器阵列电压转换成该复数个参考电压。在本公开的一些实施例中，该分压模块包括复数个电阻器和一晶体管单元。该晶体管单元耦合至该复数个电阻器且经配置以互补式调整复数个电阻器的电阻。在本公开的一些实施例中，该第一稳压模块包括一运算放大器，耦合至该分压模块，其中该运算放大器经配置以产生该第一稳压。在本公开的一些实施例中，该第二稳压模块包括两个运算放大器，耦合至该分压模块。在本公开的一些实施例中，该两个运算放大器中的一个是经配置以产生该第二稳压。本公开的另一实施例提供一种位元线电压的稳定方法。该方法包括以下步骤。产生复数个参考电压。产生一第一稳压，是相同于该复数个参考电压中的一中间参考电压。在一第一操作状态和一第二操作状态下，该第一稳压耦合一位元线电压。在本公开的一些实施例中，借着分配一存储器阵列电压，产生该复数个参考电压。在本公开的一些实施例中，该方法还包括一步骤：致能一第一稳压模块，经配置以产生该第一稳压。在本公开的一些实施例中，该方法还包括以下步骤。产生一第二稳压，是相同于该复数个参考电压中的一参考电压，但不同于该中间参考电压。在该第二操作状态下，该第二稳压耦合该位元线电压。在本公开的一些实施例中，该方法还包括一步骤：致能一第二稳压模块，经配置以产生该第二稳压。在本公开的一些实施例中，该方法还包括一步骤：在不同条件下产生一控制信号，经配置以控制一第一致能模块和一第二致能模块。利用上述所配置的稳压电路，降低了稳定位元线电压所需要的工作电流。此外还提高了稳压程序的效率和精度。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1为方框图，例示本公开实施例的DRAM。图2为方框图，例示本公开实施例的DRAM的稳压电路。图3为方框图，例示本公开实施例的稳压电路的分压模块。图4为方框图，例示本公开实施例的稳压电路的第一稳压模块。图5为方框图，例示本公开实施例的稳压电路的第二稳压模块。图6为方框图，例示本公开实施例的DRAM的另一稳压电路。图7为流程图，例示本公开实施例的一种位元线电压的稳定方法。图8为示意图，例示本公开实施例的第一稳压模块和第二稳压模块的致能状态。图9为示意图，例示本公开实施例的位元线的电压震荡。图10为比较稳压电路的方框图。图11为方框图，例示比较稳压电路的分压模块。图12为方框图，例示比较稳压电路的第一稳压模块。图13为方框图，例示比较稳压电路的第二稳压模块。图14为示意图，例示DRAM在包括比较稳压电路时，位元线的电压震荡。附图标记说明：1稳压电路1'稳压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稳压电路，包括：/n一分压模块，经配置以产生复数个参考电压；/n一第一稳压模块，耦合至该分压模块，且经配置以产生一第一稳压，其中该第一稳压相同于该复数个参考电压的一中间参考电压；以及/n一第二稳压模块，耦合至该分压模块，且经配置以产生一第二稳压，其中该第二稳压相同于该复数个参考电压中的一参考电压，但不同于该中间参考电压。/n

【技术特征摘要】
20180604 US 15/997,4271.一种稳压电路，包括：
一分压模块，经配置以产生复数个参考电压；
一第一稳压模块，耦合至该分压模块，且经配置以产生一第一稳压，其中该第一稳压相同于该复数个参考电压的一中间参考电压；以及
一第二稳压模块，耦合至该分压模块，且经配置以产生一第二稳压，其中该第二稳压相同于该复数个参考电压中的一参考电压，但不同于该中间参考电压。


2.如权利要求1所述的稳压电路，还包括：
一第一致能模块，耦合至该第一稳压模块且经配置以产生一第一致能信号；以及
一第二致能模块，耦合至该第二稳压模块且经配置以产生一第二致能信号。


3.如权利要求2所述的稳压电路，还包括一控制模块，耦合至该第一致能模块和该第二致能模块，其中该控制模块经配置以发送一控制信号至该第一致能模块和该第二致能模块。


4.如权利要求3所述的稳压电路，其中该控制模块在不同条件下发送该控制信号至该第一致能模块和该第二致能模块。


5.如权利要求1所述的稳压电路，其中：
该分压模块还经配置以将一存储器阵列电压转换成该复数个参考电压；以及
该分压模块包括复数个电阻器以及一晶体管单元，该晶体管单元耦合至该复数个电阻器且经配置以互补式调整复数个电阻器的电阻。


6.如权利要求1所述的稳压电路，其中：
该第一稳压模块包括一运算放大器，耦合至该分压模块；以及
该运算放大器经配置以产生该第一稳压。


7.如权利要求1所述的稳压电路，其中：
该第二稳压模块包括两个运算放大器，耦合至该分压模块；以及
该两个运算放大器中的一个经配置以产生该第二稳压。


8.一动态随机存取存储器，包括：
一存储器阵列；
复数条位元线位于该存储器阵列中；以及
一稳压模块，耦合至该复数条位元线；
其中该稳压模块包括：
一分压模块，是经配置以产生复数个参考电压；
一第一稳压模块，耦合至该分压模块且经配置以产生一第一稳压，其中该第一稳压相同于该复数个参考电压的一中间参考电压；以及
一第二稳压模块，耦合至该分压模块且经配置以产生一第二稳压，其中该第二稳压模块相同于该复数个参考电压中的一参考电压，但不同于该中间参考电压。


9.如权利要求8所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈至仁，许庭硕，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW