用于制造有机发光二极管面板的精细金属掩模制造技术

本发明专利技术涉及用于制造有机发光二极管面板的精细金属掩模，提供如下的精细金属掩模，即，在掩模基材的表面赋予基于纳米屏蔽层的超疏液特性，以减少有机物的附着，并易于清洗蒸镀的有机物。本发明专利技术的精细金属掩模可包括：掩模基材；以及纳米屏蔽层，在上述掩模基材的表面，通过在包括蒸镀面的区域涂敷超疏液物质来形成。并且，本发明专利技术的精细金属掩模中，掩模基材在表面中的包括蒸镀面的区域中形成有凹凸图案。

Fine metal mask used to make OLED panel

The invention relates to a fine metal mask for manufacturing an organic light-emitting diode panel, which provides a fine metal mask, namely, the surface of the mask base material is endowed with the super drainage characteristics based on the nano shield layer, so as to reduce the adhesion of the organic matters, and easy to clean the evaporated organic matters. The fine metal mask of the invention can include: a mask substrate; and a nano shield layer, which is formed by coating an ultra hydrophobic substance on the surface of the mask substrate, including the area of the evaporation surface. Moreover, in the fine metal mask of the invention, the mask substrate forms a concave convex pattern in the area including the evaporation surface in the surface.

【技术实现步骤摘要】
用于制造有机发光二极管面板的精细金属掩模
本专利技术涉及用于制造有机发光二极管面板的精细金属掩模。
技术介绍
精细金属掩模(FineMetalMask)为以规定间距形成微米水平的蒸镀孔的金属薄板。在有机发光二极管面板的制造工序中，上述精细金属掩模用于在基板中形成像素图案。上述精细金属掩模通过与在基板形成红色、绿色、蓝色发光像素的位置相对应的蒸镀孔蒸镀有机物。通过使用上述精细金属掩模来蒸镀发光像素的像素蒸镀工序与工序收率密切相关。上述精细金属掩模在重复进行的像素蒸镀工序中气化的有机物残留在表面。由于上述精细金属掩模的蒸镀孔为微米水平的微孔，因此，基于所残留的有机物使形状变形，从而可通过变形像素图案来降低像素蒸镀工序的效率。上述精细金属掩模在使用于规定次数的像素蒸镀工序中后，进行清洗，以去除残留的有机物。通常，上述精细金属掩模的清洗采用通过使用有机溶剂来清洗精细金属掩模的方法。使用上述有机溶剂的方法存在如下问题，即，清洗时所使用的有机溶剂的安全性争议、因昂贵的清洁设备等而使产品的生产成本增加或者根据因精密清洗的需要导致的清洗时间增加所带来的总工序时间增加。并且，使用上述有机溶剂的方法存在清洗后表面残留有机溶剂的问题。可通过降低残留在上述精细金属掩模的表面的有机溶剂的蒸镀率来降低发光像素的特性和有机发光二极管面板的品质。另一方面，作为上述精细金属掩模的清洗方法提出多种方法，如利用激光或等离子的干式清洗方法。但是，所提出的方法都集中于改善精细金属掩模的清洗方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供如下的精细金属掩模，即，在掩模基材的表面赋予基于纳米屏蔽层的超疏液(omniphobic)特性，以减少有机物的附着，并易于清洗蒸镀的有机物。本专利技术的精细金属掩模的特征在于，包括：掩模基材；以及纳米屏蔽层，在上述掩模基材的表面，通过在包括蒸镀面的区域涂敷超疏液物质来形成。并且，上述掩模基材可在表面中的包括上述蒸镀面的区域中形成有凹凸图案。上述凹凸图案形成为从上述掩模基材的表面朝向下部形成的槽结构或沟槽结构，上述凹凸图案可呈具有槽结构的点状图案或者具有沟槽结构的格子状图案、蜂窝状图案或条纹状图案。并且，上述沟槽结构的相对于延伸方向垂直的方向的宽度为10nm～100μm，上述凹凸图案以上述沟槽结构的相互隔开的分隔距离可以为10nm～1000μm的方式形成。上述凹凸图案形成为从上述掩模基材的表面朝向上部突出的突起结构形成，上述突起结构可呈圆柱、四棱柱、六棱柱、圆锥、四棱锥或六棱锥形状。上述凹凸图案通过蚀刻工序可呈不规则形状。上述纳米屏蔽层与凹凸图案还可形成于上述掩模基材的表面的作为与上述蒸镀面相反的面的相向面。并且，还可包括界面层，上述界面层形成于上述掩模基材与上述纳米屏蔽层之间，使得上述掩模基材与纳米屏蔽层的结合力增加。并且，上述界面层可包含选自由TixOy、FexOy、AlxOy、SixOy、SnxOy、ZnxOy、InxOy、CexOy及ZrxOy组成的组中的一种金属氧化物、石墨烯或石墨烯氧化物。并且，上述纳米屏蔽层的厚度可以为0.1nm～30μm。并且，上述超疏液物质可包含含有碳氟(CF)基或烃(CH)基的由下述结构式(1)表示的硅烷类化合物。结构式(1)：在上述结构式(1)中，n为4～25。并且，上述超疏液物质可以为(十七氟-1，1，2，2-四氢癸基)三氯硅烷((heptadecafluoro-1，1，2，2-tetrahydrodecyl)trichlorosilane，HDF-S)。并且，在上述纳米屏蔽层可通过涂敷超疏液粒子来形成，上述超疏液粒子通过在基本粒子的表面涂敷上述硅烷类化合物来形成，上述基本粒子包含选自由TixOy、FexOy、AlxOy、SixOy、SnxOy、ZnxOy、InxOy、CexOy、ZrxOy、石墨烯及石墨烯氧化物组成的组中的物质。并且，上述掩模基材是在表面形成有氧化膜的金属材质，上述硅烷类化合物的硅烷基可与存在于上述掩模基材的表面的金属基(-M)或氧基(-O)磁性结合。并且，上述超疏液物质可包含含有碳氟基或烃基的由下述结构式(2)表示的磷酸类化合物。结构式(2)：在上述结构式(2)中，n为4～25。并且，上述超疏液物质可以为十八烷基膦酸(Octadecylphosphonicacid，OD-PA)或(1H，1H，2H，2H-十七氟癸-1-基)膦酸((1H，1H，2H，2H-heptadecafluorodec-1-yl)phosphonicacid，HDF-PA)。并且，上述纳米屏蔽层可通过涂敷超疏液粒子来形成，上述超疏液粒子通过在基本粒子的表面涂敷上述磷酸类化合物来形成，上述基本粒子包含选自由TixOy、FexOy、AlxOy、SixOy、SnxOy、ZnxOy、InxOy、CexOy、ZrxOy、石墨烯及石墨烯氧化物组成的组中的物质。并且，上述掩模基材是在表面形成有氧化膜的金属材质，上述磷酸类化合物的磷酸基可与存在于上述掩模基材的表面的金属基(-M)或氧基(-O)磁性结合。并且，上述掩模基材可以由因瓦(INVAR)合金或铁(Fe)合金形成。上述掩模基材可包括选自由不锈钢(SUS)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铂(Pt)、银(Ag)、钛(Ti)、镍钴合金、蒙乃尔合金、铬镍铁合金及双相组成的组中的至少一种物质。由于本专利技术的精细金属掩模在表面被赋予基于纳米屏蔽层的超疏液特性，因此具有减少附着于表面的有机物，使用于像素蒸镀工序的次数增加且增加清洗周期的效果。由于本专利技术的精细金属掩模附着于表面的有机物的附着力减少，因此具有在清洗工序中易于去除有机物，减少清洗后残留的有机物的量且通过缩短清洗时间来提高清洗效率的效果。由于本专利技术的精细金属掩模可用水清洗附着于表面的有机物，因此具有减少清洗费用的效果，而无需使用昂贵的有机溶剂和清洗设备。由于本专利技术的精细金属掩模在掩模基材的表面通过激光加工来形成精细图案，因此具有增加掩模表面的超疏液特性的效果。附图说明图1为简要示出设有本专利技术一实施例的纳米屏蔽层的精细金属掩模的立体图。图2a为沿着图1的A-A截取的垂直剖视图。图2b为沿着图1的B-B截取的垂直剖视图。图3为本专利技术的再一实施例的精细金属掩模的部分垂直剖视图。图4为本专利技术的另一实施例的精细金属掩模的部分垂直剖视图。图5为形成于本专利技术一实施例的精细金属掩模的凹凸图案的放大照片。图6为在图5的凹凸图案的表面形成有纳米屏蔽层的状态的放大照片。图7为由本专利技术一实施例的蜂窝状图案形成的凹凸图案的放大照片。图8为具有本专利技术一实施例的突起结构的凹凸图案的放大照片。图9为现有的精细金属掩模的有机物蒸镀前后照片。图10为示出现有的精细金属掩模蒸镀有机物后用水清洗的根据时间的清洗程度的照片。图11为本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种精细金属掩模，设有蒸镀孔，其特征在于，包括：/n掩模基材；以及/n纳米屏蔽层，在上述掩模基材的表面，通过在包括蒸镀面的区域涂敷超疏液物质来形成。/n

【技术特征摘要】
1.一种精细金属掩模，设有蒸镀孔，其特征在于，包括：
掩模基材；以及
纳米屏蔽层，在上述掩模基材的表面，通过在包括蒸镀面的区域涂敷超疏液物质来形成。


2.根据权利要求1所述的精细金属掩模，其特征在于，上述蒸镀面包括上述掩模基材的表面中的上述蒸镀孔之间的区域。


3.根据权利要求1所述的精细金属掩模，其特征在于，上述掩模基材在表面中的包括上述蒸镀面的区域中形成有凹凸图案。


4.根据权利要求3所述的精细金属掩模，其特征在于，
上述凹凸图案形成为从上述掩模基材的表面朝向下部形成的槽结构或沟槽结构，
上述凹凸图案呈具有槽结构的点状图案或者具有沟槽结构的格子状图案、蜂窝状图案或条纹状图案。


5.根据权利要求4所述的精细金属掩模，其特征在于，
上述沟槽结构的相对于延伸方向垂直的方向的宽度为10nm～100μm，
上述凹凸图案以上述沟槽结构的相互隔开的相隔距离为10nm～1000μm的方式形成。


6.根据权利要求3所述的精细金属掩模，其特征在于，
上述凹凸图案形成为从上述掩模基材的表面朝向上部突出的突起结构，
上述突起结构呈圆柱、四棱柱、六棱柱、圆锥、四棱锥或六棱锥形状。


7.根据权利要求3所述的精细金属掩模，其特征在于，上述凹凸图案通过蚀刻工序呈不规则形状。


8.根据权利要求3所述的精细金属掩模，其特征在于，上述纳米屏蔽层与凹凸图案形成于上述掩模基材的表面的作为与上述蒸镀面相反的面的相向面。


9.根据权利要求1所述的精细金属掩模，其特征在于，还包括界面层，上述界面层形成于上述掩模基材与上述纳米屏蔽层之间，使得上述掩模基材与纳米屏蔽层的结合力增加。


10.根据权利要求9所述的精细金属掩模，其特征在于，上述界面层包含选自由TixOy、FexOy、AlxOy、SixOy、SnxOy、ZnxOy、InxOy、CexOy及ZrxOy组成的组中的一种金属氧化物、石墨烯或石墨烯氧化物。


...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱祥玄，柳明勋，李志原，李在训，
申请(专利权)人：京畿大学校产学协力团，丰元精密株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR