忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM技术

本申请实施例提供了一种忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM，该忆阻器的制造方法包括：沉积所述忆阻器的下电极；在沿所述忆阻器的下电极的沉积方向的截面制备所述忆阻器的电阻层；在所述忆阻器的电阻层上制备所述忆阻器的上电极。

Manufacturing method of memristor, memristor and rheostat RAM

The embodiment of the application provides a manufacturing method of a memristor, a memristor and a resistive random access memory RRAM. The manufacturing method of the memristor includes: depositing the lower electrode of the memristor; preparing the resistance layer of the memristor on a section along the deposition direction of the lower electrode of the memristor; preparing the upper electrode of the memristor on the resistance layer of the memristor.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚国峰，沈健，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44