The invention relates to a method for regenerating defects on the back of a sapphire substrate and a sandblasting device. The regeneration treatment method includes: setting a protective layer on the front of the sapphire substrate to be treated; sandblasting the back of the sapphire substrate after protection; cleaning the sapphire substrate after sandblasting; annealing the sapphire substrate after cleaning; removing The protective layer is used for chemical mechanical polishing of the front side of sapphire substrate to complete regeneration; the sandblasting device includes a regeneration treatment working box, a substrate placing platform, a high-pressure sandblasting gun, a grinding sand storage box and a grinding sand recovery box, the substrate placing platform is located in the regeneration treatment working box, and the gun head of the high-pressure sandblasting gun extends into the regeneration treatment working box. The invention can meet the uniformity requirement of the back surface roughness of the sapphire substrate sheet regeneration treatment, and can provide the yield of the wafer regeneration.
【技术实现步骤摘要】
一种蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法和喷砂装置
本专利技术涉及半导体器件的制造加工
,特别涉及一种蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法和喷砂装置。
技术介绍
随着第三代半导体材料氮化镓物的突破,LED照明产业凭借其在节能降耗领域的性能优势,迎来黄金发展期,市场规模正在急剧扩大。随着技术的进步,从2015年开始,国内外市场主流制作高亮蓝光LED的衬底均选用4英寸蓝宝石平片或图形化蓝宝石衬底(PSS)。为了提高图形化产品一致性和整体合格率,目前正向较大尺寸的4英寸蓝宝石衬底片方向发展。衬底片加工是LED全产业链中一个非常重要的环节,也是外延客户的重要原材料,占外延成本达30%以上,因此,蓝宝石衬底的成本至关重要,而目前各厂家的衬底良率已经来到>90%的关头,如何救回已经产生的不良片,是各厂家节省成本的重要研究项目。传统的背面缺陷再生方法通常以手工单片砂纸研磨作业方式,或者以研磨砂浆整批作业方式,难以确保背面粗糙度的均匀性以及抛光面的保护要求,良率难以提高。
技术实现思路
本专利技术的目的是为解决以上问题,本专利技术提供一种蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法和喷砂装置。一种蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法,包括步骤:在待处理蓝宝石衬底片的正面设置防护层;对防护后的蓝宝石衬底片的背面按程序化路径进行喷砂;对喷砂处理后的蓝宝石衬底片进行清洗;对清洗后的蓝宝石衬底片进行高温退火;摘掉防护层,对蓝宝石衬底片的正面进行化学机械抛光,形成背面缺陷再生的蓝宝石衬底片。其中,喷砂处 ...
【技术保护点】
1.一种蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法,其特征在于,包括步骤:/n在待处理蓝宝石衬底片的正面设置防护层;/n对防护后的蓝宝石衬底片的背面按程序化路径进行喷砂;/n对喷砂处理后的蓝宝石衬底片进行清洗;/n对清洗后的蓝宝石衬底片进行高温退火;/n对蓝宝石衬底片的正面进行化学机械抛光,形成背面缺陷再生的蓝宝石衬底片。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法,其特征在于,包括步骤:
在待处理蓝宝石衬底片的正面设置防护层;
对防护后的蓝宝石衬底片的背面按程序化路径进行喷砂;
对喷砂处理后的蓝宝石衬底片进行清洗;
对清洗后的蓝宝石衬底片进行高温退火;
对蓝宝石衬底片的正面进行化学机械抛光,形成背面缺陷再生的蓝宝石衬底片。
2.如权利要求1所述的蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法,其特征在于,喷砂处理步骤包括:使用高压喷砂枪进行喷砂;
喷砂时,高压喷砂枪距离蓝宝石衬底片的背面50-200mm,喷砂枪的枪头的喷射角度为30-70度,枪头的喷射压力为0.5-3Kg/cm2,喷射的砂粒粒度为180#-400#。
3.如权利要求1所述的蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法,其特征在于,喷砂处理步骤包括:
程序化路径为先进行x轴方向扫描喷射,再进行y轴方向扫描喷射,其中x轴方向的扫描速度为1-20mm/sec,y轴方向的移枪速度为10-30mm/step。
4.如权利要求1所述的蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法,其特征在于,高温退火步骤包括:
将喷砂后的蓝宝石衬底片在大气环境下高温退火,退火温度为1300℃-1600℃,退火时间为5-10h。
5.如权利要求1所述的蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法,其特征在于,
喷砂的砂粒材质为碳化硅、碳化硼或者氧化铝。
技术研发人员:徐良,阳明益,占俊杰,蓝文安,刘建哲,余雅俊,
申请(专利权)人:浙江博蓝特半导体科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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