一种MOS管短路保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管短路保护电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、二极管D1,电容CE1，MOS管Q1、Q2、Q3。本实用新型专利技术的电路解决了电源工作时因短路而导致MOS管Q3雪崩击穿的缺陷，适用于PWM调光电源及匹配恒压电源使用的PWM调光控制器及其它利用MOS管做电源输出开关用途的应用场合。

A MOS short circuit protection circuit

The utility model discloses a MOS tube short-circuit protection circuit, which comprises resistance R1, R2, R3, R4, R5, diode D1, capacitor CE1, MOS tube Q1, Q2, Q3. The circuit of the utility model solves the defect of MOS tube Q3 avalanche breakdown caused by short circuit when the power supply works, and is suitable for PWM dimming power supply, PWM dimming controller used for matching constant voltage power supply and other application occasions using MOS tube as power output switch.

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管短路保护电路
本技术涉及MOS管电路，具体涉及一种电源输出端做开关用途的MOS管短路保护电路。
技术介绍
目前，LED电源PWM调光是通过小电流的PWM信号驱动MOS管的导通与截止，通过调节MOS管的导通时间占比来控制LED电源输出的峰值电流，从而改变LED灯的亮度；也有其它需要电源输出端进行开关切换的应用时会使用到MOS管。此项控制技术存在的一项缺陷是电源在工作时，电源输出端短路会导致MOS管因雪崩能量过大而击穿，使得MOS管失去应有的功能。
技术实现思路
本技术针对上述问题，提供一种MOS管短路保护电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、二极管D1,电容CE1，MOS管Q1、Q2、Q3；所述MOS管Q1的栅极分别连接电阻R1、电阻R2，MOS管Q1的漏极分别连接电阻R4、MOS管Q2的栅极，二极管D1正极连接电阻R3，二极管D1负极分别连接电阻R4、电容CE1，MOS管Q2的栅极分别连接电阻R5、MOS管Q2的漏极，电源VCC连接电阻R5，电阻R2、MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极、电容CE1、MOS管Q3的源极分别连接地，电源输入端正极DC+分别连接电阻R1、电阻R3，电源输入端负极DC-连接MOS管Q1的漏极。进一步地，所述电阻R1阻值为68K，电阻R2阻值为10K,电阻R3阻值为68K,电阻R4阻值为10K,电阻R5阻值为2K。更进一步地，所述电容CE1为50V、22uF的电容。更进一步地，所述MOS管Q1、Q2、Q3均为N型MOS管。更进一步地，所述MOS管Q1规格为2A、60V，所述MOS管Q2规格为2A、60V，所述MOS管Q3规格为18A、200V。本技术的优点：本技术的电路解决了电源工作时因短路而导致MOS管Q3雪崩击穿的缺陷，适用于PWM调光电源及匹配恒压电源使用的PWM调光控制器及其它利用MOS管做电源输出开关用途的应用场合。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本技术作进一步详细的说明。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。图1是本技术实施例的MOS管短路保护电路原理图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。参考图1，如图1所示，一种MOS管短路保护电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、二极管D1,电容CE1，MOS管Q1、Q2、Q3；所述MOS管Q1的栅极分别连接电阻R1、电阻R2，MOS管Q1的漏极分别连接电阻R4、MOS管Q2的栅极，二极管D1正极连接电阻R3，二极管D1负极分别连接电阻R4、电容CE1，MOS管Q2的栅极分别连接电阻R5、MOS管Q2的漏极，电源VCC连接电阻R5，电阻R2、MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极、电容CE1、MOS管Q3的源极分别连接地，电源输入端正极DC+分别连接电阻R1、电阻R3，电源输入端负极DC-连接MOS管Q1的漏极。所述电阻R1阻值为68K，电阻R2阻值为10K,电阻R3阻值为68K,电阻R4阻值为10K,电阻R5阻值为2K。所述电容CE1为50V、22uF的电容。所述MOS管Q1、Q2、Q3均为N型MOS管。所述MOS管Q1规格为2A、60V，所述MOS管Q2规格为2A、60V，所述MOS管Q3规格为18A、200V。二极管D1为1N4148二极管。本技术电路的工作原理：在电源正常工作时利用分压原理通过电阻R1、R2给MOS管Q1提供驱动电压，使得MOS管Q1工作在导通状态，拉低通过电阻R3、R4向MOS管Q2提供的驱动电压，使得MOS管Q2工作在截止状态，当电源在正常工作状态下短路输出端时，电源输出正极与电源输出负极电压为零，电阻R2泄放MOS管Q1源极与栅极之间的电压，使得MOS管Q1工作在截止状态，同时CE1储存的电量向MOS管Q2提供驱动电压，使得MOS管Q2导通，拉低通过电阻R5向MOS管Q3提供的驱动电压，导致MOS管Q3工作在截止状态，MOS管Q3截止后，避免了持续的雪崩能量对MOS管Q3所造成的损害，从而起到保护MOS管Q3的作用。由于MOS管Q3截止后导致MOS管Q1又可以通过电阻R1、R2给MOS管Q1提供驱动电压，使得MOS管Q1工作在导通状态，相对应的MOS管Q3也会导通，MOS管Q3导通后又由于电源输出端的短路而向截止状态转换，所以当电源在正常工作状态下短路输出端时，MOS管Q3是工作在间歇式的开关状态。本技术的电路解决了电源工作时因短路而导致MOS管Q3雪崩击穿的缺陷，适用于PWM调光电源及匹配恒压电源使用的PWM调光控制器及其它利用MOS管做电源输出开关用途的应用场合。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS管短路保护电路，其特征在于，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、二极管D1,电容CE1，MOS管Q1、Q2、Q3；所述MOS管Q1的栅极分别连接电阻R1、电阻R2，MOS管Q1的漏极分别连接电阻R4、MOS管Q2的栅极，二极管D1正极连接电阻R3，二极管D1负极分别连接电阻R4、电容CE1，MOS管Q2的栅极分别连接电阻R5、MOS管Q2的漏极，电源VCC连接电阻R5，电阻R2、MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极、电容CE1、MOS管Q3的源极分别连接地，电源输入端正极DC+分别连接电阻R1、电阻R3，电源输入端负极DC-连接MOS管Q1的漏极。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOS管短路保护电路，其特征在于，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、二极管D1,电容CE1，MOS管Q1、Q2、Q3；所述MOS管Q1的栅极分别连接电阻R1、电阻R2，MOS管Q1的漏极分别连接电阻R4、MOS管Q2的栅极，二极管D1正极连接电阻R3，二极管D1负极分别连接电阻R4、电容CE1，MOS管Q2的栅极分别连接电阻R5、MOS管Q2的漏极，电源VCC连接电阻R5，电阻R2、MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极、电容CE1、MOS管Q3的源极分别连接地，电源输入端正极DC+分别连接电阻R1、电阻R3，电源输入端负极DC-连接MOS管Q1的漏极。


2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：施培源，赵志华，
申请(专利权)人：深圳市中孚光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44