断电/掉电存储器控制器制造技术

本公开的实施例可以涉及一种存储器控制器，其可以包括主控制器，用于当在第一电压范围中操作时，在第一时间段期间开始非易失性存储器存储装置的掉电，其中主控制器用于响应于电压电平低于预定阈值的指示，开始非易失性存储器的断电；以及序列发生器，用于当在低于第一电压范围的第二电压范围内操作时，在第二时间段期间继续存储器存储装置的断电。在一些实施例中，定序器可以包括状态机，用于执行放电序列，其中状态机包括微动作输出，以至少部分地基于状态机的当前状态将微动作命令输出到存储器存储。可以描述和/或要求保护其他实施例。

Power off / power off memory controller

Embodiments of the present disclosure may relate to a memory controller, which may include a main controller for starting a power failure of a nonvolatile memory storage device during a first period of time when operating in a first voltage range, wherein the main controller is used to start a power failure of the nonvolatile memory in response to an indication that the voltage level is below a predetermined threshold; and a sequence generator, For continuing the power failure of the memory storage device during the second period of time when operating in a second voltage range lower than the first voltage range. In some embodiments, the sequencer may include a state machine for executing a discharge sequence, wherein the state machine includes a micro action output to output the micro action command to a memory store based at least in part on the current state of the state machine. Other embodiments may be described and / or required to be protected.

【技术实现步骤摘要】
断电/掉电存储器控制器
本公开的实施例一般涉及计算机数据存储设备的领域，并且更具体地，涉及用于在断电或掉电事件之后的电压放电的设备和技术。
技术介绍
诸如NAND闪存之类的某些类型的非易失性存储器设备的电路周围的电压在断电或掉电之后以特定顺序放电，以增加电路可靠性并避免数据损坏。通常，NAND设备控制器在具有下限的电压范围内工作，这导致对在断电或掉电事件期间管理放电操作可用的时间段的相对应的限制。附图说明通过以下结合附图的详细描述将容易理解实施例。为了便于描述，相同的附图标记表示相同的结构元件。通过示例而非限制的方式在附图中示出了实施例。图1描绘了根据各种实施例的包括掉电或断电电压放电能力的非易失性存储器(NVM)设备的框图。图2是根据各种实施例的NVM设备的框图，该NVM设备可以是图1的NVM设备的实现。图3描绘了根据各种实施例的存储器控制器的一部分的框图，其示出了针对定序器的附加细节。图4描绘了根据各种实施例的定序器的框图。图5是示出了根据各种实施例的在掉电或断电事件期间的电压斜率和相关联的操作的图。图6是根据各种实施例的用于响应于掉电或断电事件从NVM存储装置释放电压的技术的流程图。图7示意性地示出了根据各种实施例的包括如本文所述的NVM设备的示例计算设备。具体实施方式本公开的实施例可以涉及用于非易失性存储器的存储器控制器，该非易失性存储器可以包括主控制器，用于当在第一电压范围中操作时，在第一时间段期间开始存储器设备的掉电。在一些实施例中，主控制器可以响应于来自电压电平检测器的指示符开始存储器设备的掉电，该指示符指示存储器设备的电压电平低于预定阈值。在各种实施例中，定序器可以当在低于第一电压范围的第二电压范围内操作时，在第二时间段期间继续存储器设备的掉电。在一些实施例中，存储器控制器可以包括模拟电路中的电压电平检测器。在一些实施例中，主控制器可以指示定序器继续存储器设备的掉电。在一些实施例中，定序器可以包括用于执行放电序列的状态机，其中状态机可以包括微动作输出，以至少部分地基于状态机的当前状态而向存储器设备输出微动作命令。在一些实施例中，存储器控制器可以包括多路复用器，其具有与主控制器耦合的第一输入，与定序器耦合的第二输入，以及与存储器设备的控制总线耦合的输出。在各种实施例中，多路复用器可以响应于选择信号选择性地将主控制器或定序器耦合到控制总线。在以下描述中，将使用本领域技术人员通常采用的术语来描述说明性实施方式的各个方面，以将他们工作的实质传达给本领域其他技术人员。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，可以仅利用所描述的方面中的一些来实践本公开的实施例。出于解释的目的，阐述了具体的数字、材料和配置，以便提供对说明性实现的透彻理解。对于本领域技术人员显而易见的是，可以在没有具体细节的情况下实践本公开的实施例。在其他实例中，省略或简化了众所周知的特征，以免模糊说明性实施方式。在以下详细描述中，参考形成其一部分的附图，其中相同的附图标记始终表示相同的部分，并且所述附图通过说明性的实施例示出，在说明性的实施例中可以实践本公开的主题。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以进行结构或逻辑上的改变。因此，以下详细描述不应被视为具有限制意义，并且实施例的范围由所附权利要求及其等同物限定。出于本公开的目的，短语“A和/或B”表示(A)、(B)或(A和B)。出于本公开的目的，短语“A、B和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。描述可以使用短语“在一实施例中”或“在实施例中”，其可以各自指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外，关于本公开的实施例使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。本文可使用术语“与......耦合”及其衍生物。“耦合”可以表示以下中的一个或多个。“耦合”可以表示两个或更多个元件直接物理或电接触。然而，“耦合”还可以意味着两个或更多个元件彼此间接接触，但仍然彼此协作或交互，并且可以意味着一个或多个其他元件耦合或连接在所述被彼此耦合的元件之间。术语“直接耦合”可以表示两个或更多个元件直接接触。如本文所使用的，术语“模块”可以指代、是其一部分或者包括专用集成电路(ASIC)、电子电路、处理器(共享、专用或组)和/或存储器(共享的、专用的或组)，其执行一个或多个软件或固件程序、组合逻辑电路和/或提供所描述的功能的其他合适的组件。图1描绘了根据各种实施例的非易失性存储器(NVM)设备100的框图，所述非易失性存储器(NVM)设备100可包括具有掉电/断电电压放电能力的存储器控制器102。在一些实施例中，NVM设备100可以包括与存储器控制器102耦合的NVM存储装置104。在各种实施例中，NVM存储装置可以是NAND存储器，或任何其他类型的合适的NVM存储装置。在一些实施例中，NVM设备100可以包括一个或多个电源端子，例如Vcc端子106，用于为包括NVM存储装置104的NVM设备100的一个或多个组件供电。在各种实施例中，Vcc端子106可以与包括NVM存储装置104的电源轨的NVM设备100的一个或多个内部电源轨(为清楚起见未示出)耦合。在各种实施例中，存储器控制器102可以包括电压电平检测器108，其可以与Vcc端子106耦合以检测提供给NVM设备100的电压电平。在一些实施例中，存储器控制器102可以包括主控制器110，其用于开始NVM存储装置104的电压放电的方向，定序器112，其用于继续NVM存储装置104的电压放电的方向，以及振荡器114，其可以针对主控制器110生成时钟信号、定序器112、和/或NVM设备100的其他组件。在各种实施例中，存储器控制器102可以包括通常在NVM设备的存储器控制器中找到的附加设备、电路和/或组件，例如NAND闪存封装。在一些实施例中，NVM设备100可以包括一个或多个输入/输出端子116和一个或多个命令端子118。在各种实施例中，NVM设备100可以与处理器120耦合。在一些实施例中，处理器120可以是存储设备(例如，固态驱动器)的组件，其包括NVM设备100、主机设备的组件(例如，诸如服务器、膝上型计算机或例如智能手机的移动计算设备的计算设备)、或任何其他合适的设备。在各种实施例中，处理器120可以经由一个或多个命令端子118发出一个或多个命令，并且可以经由一个或多个输入/输出端子116将数据作为输入/输出传送到NVM设备100和/或从NVM设备100传送数据。在各种实施例中，电压电平检测器108可以监视与Vcc端子106耦合的电源轨的电压电平，并且可以响应于确定电压电平低于预定阈值而生成指示符。在一些实施例中，主控制器110可以当在第一电压范围内操作时，在第一时间段期间响应于来自电压电平检测器108的指示而开始NVM存储装置104的断电。定序器112可以当在低于第一电压范围的第二电压范围内操作时，在第二时间段期间继续NVM存储装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器控制器，包括：/n主控制器，其与非易失性存储器存储装置耦合，用于当在第一电压范围内操作时，在第一时间段期间开始所述非易失性存储器存储装置的断电，其中，所述主控制器用于响应于电压电平低于预定阈值的指示而开始所述非易失性存储器存储装置的断电；以及/n定序器，其与所述非易失性存储器存储装置耦合，用于当在低于所述第一电压范围的第二电压范围内操作时，在第二时间段期间继续所述非易失性存储器存储装置的断电。/n

【技术特征摘要】
20180522 US 15/986,8041.一种存储器控制器，包括：
主控制器，其与非易失性存储器存储装置耦合，用于当在第一电压范围内操作时，在第一时间段期间开始所述非易失性存储器存储装置的断电，其中，所述主控制器用于响应于电压电平低于预定阈值的指示而开始所述非易失性存储器存储装置的断电；以及
定序器，其与所述非易失性存储器存储装置耦合，用于当在低于所述第一电压范围的第二电压范围内操作时，在第二时间段期间继续所述非易失性存储器存储装置的断电。


2.根据权利要求1所述的存储器控制器，进一步包括电压电平检测器，其与所述主控制器耦合，用于响应于所述非易失性存储器存储装置的电压电平低于所述预定阈值而生成指示符，其中，所述指示符是所述电压电平低于所述预定阈值的指示。


3.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中，所述电压电平检测器包括在模拟电路中。


4.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述主控制器用于引导所述定序器继续所述非易失性存储器存储装置的断电。


5.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述预定阈值是第一预定阈值，所述电压电平是第一电压电平，所述指示符是第一指示符，并且所述定序器用于至少部分地基于来自所述电压电平检测器的第二指示符来继续所述非易失性存储器存储装置的断电，所述第二指示符指示所述非易失性存储器存储装置的第二电压电平低于比所述第一预定阈值更低的第二预定阈值。


6.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述定序器包括状态机，所述状态机用于执行放电序列，其中，所述状态机包括微动作输出，所述微动作输出用于至少部分地基于所述状态机的当前状态而将微动作命令输出到所述非易失性存储器存储装置。


7.根据权利要求6所述的存储器定序器，其中，所述状态机还包括：
微码存储装置；以及
字线解码器，其中，所述字线解码器用于至少部分地基于所述状态机的当前状态从所述微码存储装置中选择微码，其中，所述微动作命令至少部分地基于选择的微码。


8.根据权利要求7所述的存储器定序器，其中，所述状态机还包括与所述字线解码器耦合的内容可寻址存储器(CAM)，其中，所述微动作命令响应于在所述CAM中找到匹配而基于存储在所述CAM中的命令，并且响应于在所述CAM中未找到匹配而基于来自所述微码存储装置的微码。


9.根据权利要求8所述的存储器定序器，其中，所述微码存储装置基于金属层存储装置、只读存储器(ROM)、静态随机存取存储器(SRAM)、多个锁存器或硬连线逻辑配置。


10.根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括多路复用器，其具有与所述主控制器耦合的第一输入、与所述定序器耦合的第二输入，以及与所述非易失性存储器存储装置的控制总线耦合的输出，其中，所述多路复用器用于响应于选择信号而选择性地将所述主控制器或所述定序器耦合到所述控制总线。


11.根据权利要求1至9中任一项所述的存储器控制器，其中，所述非易失性存储器存储装置包括半导体管芯上的NAND存储器，并且所述主控制器和所述定序器位于所述半导体管芯上。


12.一种非易失性存储器装置，包括：
非易失性存储器存储装置；
非易失性存储器控制接口，其与所述非易失性存储器存储装置耦合；
定序器，其与所述非易失性存储器控制接口耦合；以及
电压电平检测器，其中，所述定序器用于响应于所述电压电平检测器检测到所述非易失性存储器装...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·德桑蒂斯，T·瓦利，L·努比莱，R·卡尔迪纳利，M·L·加莱塞，C·拉塔罗，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US