磁记录介质和磁存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L1

Magnetic recording medium and magnetic storage device

The invention relates to a magnetic recording medium and a magnetic storage device. A magnetic recording medium with high SNR is provided, which successively has a substrate, a bottom layer, and (001) oriented and L1

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质和磁存储装置
本专利技术涉及磁记录介质和磁存储装置。
技术介绍
近年来，对硬盘驱动器(HDD)的大容量化的要求日益提高。为此，提出了一种藉由通过使用安装有激光光源的磁头对磁记录介质进行加热以进行记录的热辅助磁记录方式。热辅助磁记录方式中，通过对磁记录介质进行加热可大幅降低顽磁力(coercivity)。为此，磁记录介质的磁性层可使用磁晶各向异性常数Ku较高的磁性材料。其结果为，不仅可在维持热稳定性的前提下对磁性材料进行微细化，而且还能实现1Tbit/inch2的记录密度。这里，作为Ku较高的磁性材料，提出了L10型FePt合金、L10型CoPt合金、L11型CoPt合金等的有序合金等。另外，为了对由上述有序合金构成的晶粒进行分离，作为形成晶界(grainboundary)相的材料，添加碳、碳化物、氧化物、氮化物等的非磁性材料，进而获得具有粒状(granular)结构的磁性层也是熟知的。据此，可降低磁性颗粒间的交换耦合，同时还可提高信号·噪音比(SNR)。例如，专利文献1中公开了一种数据存储介质，其具有包含FePt等的磁性材料和C、BN、B4C等的非磁性材料的磁记录层。[现有技术文献][专利文献][专利文献1](日本)特开2010－176829号公报
技术实现思路
[要解决的技术问题]热辅助磁记录方式中，通过使用激光等对磁性层进行局部加热，可使被加热了的位置处的顽磁力降低。此情况下，从原理上来说，只要仅对记录位(recordingbit)进行加热，即可实现热辅助磁记录方式的目的。然而，实际的磁记录介质中，热量会沿与记录位相邻的磁性层的横向方向进行扩散，导致与记录位相邻的记录位也被进行加热。另外，由于磁性层之下还存在底层、基板等，所以热量也会沿磁性层的向下的方向发生扩散。尤其是热量沿磁性层的横向方向进行扩散后，会引起平面方向上的磁化转移区域的扩大，其结果为，不仅容易发生书写模糊的现象，而且磁记录介质的SNR也会降低。本专利技术的一个方式的目的在于提供一种SNR较高的磁记录介质。[技术方案]为了实现上述目的，在本专利技术的一个方式中，提供一种磁记录介质，依次包含基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层，所述磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。[有益效果]根据本专利技术的一个方式，可提供一种SNR较高的磁记录介质。附图说明[图1]实施方式的磁记录介质的一个例子的剖面示意图。[图2]实施方式的磁存储装置的一个例子的示意图。[图3]图2中的磁头的一个例子的示意图。[符号说明]1基板2底层3磁性层4保护层100磁记录介质101磁记录介质驱动部102磁头103磁头驱动部104记录和再生信号处理系统201主磁极202辅助磁极203线圈204激光二极管(LD)205激光206近接光生成元件207波导路208记录磁头209护罩(shield)210再生元件211再生磁头具体实施方式下面对用于实施本专利技术的方式进行说明。需要说明的是，本专利技术并不限定于下述实施方式，只要不脱离本专利技术的技术范围，还可对下述实施方式进行各种各样的变形和置换。[磁记录介质]图1示出了本实施方式的磁记录介质的一个例子。磁记录介质100中依次形成了基板1、底层2、进行了(001)取向(orientation)并具有L10结构的磁性层3、及包含类金刚石碳(DLC)的保护层4。此时，磁性层3具有包含进行了(001)取向的柱状晶磁性颗粒的粒状结构。另外，磁性层3还包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。磁性层3由于具有如上所述的结构，所以可提高相邻的柱状晶磁性颗粒间的隔热性(thermalinsulation)。其结果为，当从磁头照射激光时，热量难以沿磁性层3的横向方向进行扩散，不易发生书写模糊的现象，并可提高磁记录介质100的SNR。另外，在磁性层3中包含的进行了(001)取向的柱状晶磁性颗粒的晶界部内，还包含有磁性层3中包含的碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物，为此可进一步提高构成磁性层3的磁性颗粒间的隔热性。作为碳的氢化物，可例示出构成的原子的一部分被氢原子进行了置换的石墨(graphite)或金刚石(diamond)、具有C－Hx键合(这里，x为1、2、或3)的硬质碳、含氢无定形碳(amorphouscarbon)(a－C：H)等。作为硼的氢化物，可例示出构成的原子的一部分被氢原子进行了置换的硼晶体(Boroncrystal)、含氢无定形硼(amorphousBoron)(a－B：H)等。作为氮化硼的氢化物，可例示出构成的原子的一部分被氢原子进行了置换的氮化硼、含氢无定形氮化硼(a－BN：H)等。藉由使磁性层3具有如上所述的结构可提高相邻的磁性颗粒间的隔热性的理由如下。具有现有的粒状结构的磁性层的磁性颗粒的晶界部处存在碳、碳化物、氧化物、氮化物等的非磁性材料。此情况下，如果为了提高相邻的磁性颗粒间的隔热性而使构成晶界部的非磁性材料的热传导率降低，则在其影响下，磁性颗粒的结晶性和/或取向性也会下降。另一方面，本实施方式中，具有粒状结构的磁性层中包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物，为此可降低磁性层的热传导率，并且也不会对磁性颗粒的结晶性和/或取向性产生影响。这里，碳是具有现有的粒状结构的磁性层的磁性颗粒的晶界部处所使用的非磁性材料。另外，硼和氮化硼的特性与具有现有的粒状结构的磁性层的磁性颗粒的晶界部处所使用的氮化物类似。为此，碳、硼、及氮化硼很难对磁性颗粒的结晶性和/或取向性产生影响。另一方面，就碳的氢化物、硼的氢化物、及氮化硼的氢化物而言，由于氢的原子半径较小，所以除了难以影响磁性颗粒的结晶性和/或取向性之外，还可降低磁性层的热传导率。尤其是如果碳的氢化物、硼的氢化物、及氮化硼的氢化物具有无定形结构，则可进一步降低磁性层的热传导率。另外，在磁性层3中包含的进行了(001)取向的柱状晶磁性颗粒的晶界部内，还包含有磁性层3中包含的碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物，由此可进一步提高构成磁性层3的磁性颗粒间的横向方向的隔热性。藉由上述，可提高磁记录介质100的磁性层3的横向方向即相邻的磁性颗粒间的隔热性。碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物的热传导率较佳为SiO2的热传导率的一半以下，即，0.7W/(m·k)以下。磁性层3可通过溅射法(sputtering)形成。当形成磁性层3时，为了防止溅射靶材的温度的上升，优选使用RF溅射法。据此，可对碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物的分解进行抑制。另外，也可使用导电性较低的溅射靶材。需要说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁记录介质，依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L1

【技术特征摘要】
20180521 JP 2018-0968051.一种磁记录介质，依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层，其中：
所述磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。


2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：
所述碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物具有无定形结构，构成的原子的一部分被氢原子进行了置换。


3.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中：
所述磁性层的所述碳的氢化物、硼的...

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛隆之，丹羽和也，张磊，柴田寿人，山口健洋，徐晨，神边哲也，茂智雄，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP