基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制在基片处理中发生不均的技术。实施方式的基片处理装置包括腔室、多个供气部和控制部。腔室用于收纳基片，能够在减压气氛在内部保持基片。供气部用于对腔室内供给气体。控制部分别控制多个供气部进行的气体的供给。控制部在使腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的供气部供给气体后，增加供给气体的供气部的数量。

Substrate processing device and substrate processing method

The invention provides a technology capable of inhibiting unevenness in substrate processing. The substrate processing device of the embodiment includes a chamber, a plurality of gas supply parts and a control part. The chamber is used for storing the substrate, and can keep the substrate inside in the decompression atmosphere. The air supply unit is used to supply air to the chamber. The control part controls the gas supply by multiple gas supply parts. When returning the chamber to normal pressure, the control unit starts to supply gas from more than one of the plurality of gas supply units, and then increases the number of gas supply units.

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
专利文献1公开了一种技术，其中在使减压气氛的腔室内回到常压时，通过调节流量调节阀的开度，来切换使腔室内缓慢地恢复压力的慢吹扫和急速地恢复压力的主吹扫的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-126263号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种抑制在基片处理中发生不均的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一实施方式的基片处理装置包括腔室、多个供气部和控制部。腔室用于收纳基片，能够在减压气氛下在内部保持基片。供气部用于对腔室内供给气体。控制部分别控制多个供气部进行的气体的供给。控制部在使腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的供气部供给气体后，增加供给气体的供气部的数量。专利技术效果依照本专利技术，能够抑制在基片处理中发生不均。附图说明图1是表示实施方式的基片处理装置的概略结构的示意图。图2是表示实施方式的由辊输送装置进行的基片输送的示意图。图3是表示实施方式的减压处理部的概略结构的示意图(其1)。图4是表示实施方式的减压处理部的概略结构的示意图(其2)。图5是表示实施方式的控制部的构成的一部分的框图。图6A是表示由实施方式的减压干燥单元进行第一慢吹扫时的气体供给的图。图6B是表示由实施方式的减压干燥单元进行第二慢吹扫时的气体供给的图。图7是说明实施方式的减压干燥处理步骤的流程图。图8A是说明实施方式的减压干燥单元中的基片输送的图。图8B是说明实施方式的减压干燥单元中的基片的交接的图。图8C是表示由实施方式的减压干燥单元进行减压干燥处理时的第一支承部和第二支承部的状态的图(其1)。图8D是表示由实施方式的减压干燥单元进行减压干燥处理时的第一支承部和第二支承部的状态的图(其2)。图9是表示实施方式的变形例的减压干燥单元的概略结构的示意图。图10A是表示由实施方式的变形例的减压干燥单元进行第一慢吹扫时的气体供给的图(其1)。图10B是表示由实施方式的变形例的减压干燥单元进行第一慢吹扫时的气体供给的图(其2)。附图标记说明1基片处理装置3第一处理站5第二处理站6控制装置6A控制部6B存储部26减压干燥单元50腔室51第一支承部52第二支承部56气体供给机构73第一供气部(供气部)74第二供气部(供气部)75第三供气部(供气部)76第四供气部(供气部)73a供气口74a供气口75a供气口76a供气口。具体实施方式以下，参照附图，对本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，不限于由以下所示的实施方式公开的基片处理装置和基片处理方法。<整体结构>参照图1，说明实施方式的基片处理装置1。图1是表示实施方式的基片处理装置1的概略结构的示意图。基片处理装置1包括盒站2、第一处理站3、接口站4、第二处理站5和控制装置6。在盒站2载置用于收纳多个玻璃基片S(以下称为“基片S”。)的盒C。盒站2包括：能够载置多个盒C的载置台10；在盒C与第一处理站3之间、第二处理站5与盒C之间输送基片S的输送装置11。输送装置11包括输送臂11a。输送臂11a能够在水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心旋转。第一处理站3对基片S进行包括涂敷光致抗蚀剂的处理。第一处理站3包括准分子UV照射单元(e-EV)20、擦洗单元(SCR)21、预热单元(PH)22、粘接单元(AD)23和第一冷却单元(COL)24。上述单元20～24配置在从盒站2向接口站4去的方向上。具体而言，按准分子UV照射单元20、擦洗单元21、预热单元22、粘接单元23和第一冷却单元24的顺序配置。另外，第一处理站3包括光致抗蚀剂涂敷单元(CT)25、减压干燥单元(DP)26、第一加热单元(HT)27和第二冷却单元(COL)28。上述的单元25～28在从第一冷却单元24向接口站4去的方向按照光致抗蚀剂涂敷单元25、减压干燥单元26、第一加热单元27、第二冷却单元28的顺序配置。此外，第一处理站3包括辊输送装置(参照图2)29和输送装置30。准分子UV照射单元20从发出紫外线的紫外线灯对基片S照射紫外线，除去附着于基片S上的有机物。擦洗单元21对除去了有机物的基片S供给清洗液(例如去离子水(DIW))，并利用刷子等清洗部件对基片S的表面进行清洗。另外，擦洗单元21利用鼓风机等使清洗过的基片S干燥。预热单元22进一步加热经擦洗单元21干燥后的基片S，进一步使基片S干燥。粘接单元23对干燥后的基片S吹出六甲基二硅氮烷(HMDS)，对基片S进行疏水化处理。第一冷却单元24对进行了疏水化处理的基片S吹出冷风以冷却基片S。光致抗蚀剂涂敷单元25对冷却后的基片S上供给光致抗蚀剂液，在基片S上形成光致抗蚀剂膜。减压干燥单元26使形成于基片S上的光致抗蚀剂膜在减压气氛下干燥。减压干燥单元26的详细说明在后文述说。第一加热单元27加热对光致抗蚀剂膜进行了干燥的基片S，除去光致抗蚀剂膜中所含的溶剂等。第二冷却单元28对除去了溶剂等的基片S吹出冷风以冷却基片S。在此，参照图2，说明辊输送装置29。图2是表示实施方式的由辊输送装置29进行的基片输送的示意图。辊输送装置29包括多个辊29a和多个驱动装置29b。辊输送装置29利用驱动装置29b使辊29a旋转，随着辊29a的旋转而输送基片S。即，辊输送装置29平流式输送基片S。驱动装置29b例如是电动马达。辊输送装置29如图1中的箭头L所示，将基片S从准分子UV照射单元20输送到第一冷却单元24。另外，辊输送装置29如图1中的箭头M所示，将基片S从第一加热单元27输送到第二冷却单元28。返回图1，输送装置30包括输送臂30a。输送臂30a能够在水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心旋转。输送装置30将基片S从第一冷却单元24输送到光致抗蚀剂涂敷单元25。输送装置30将基片S从光致抗蚀剂涂敷单元25输送到减压干燥单元26。此外，输送装置30将基片S从减压干燥单元26输送到第一加热单元27。输送装置30可以具有多个输送臂，也可以具有在各单元间输送基片S的不同的输送臂。在接口站4，由第一处理站3将形成有光致抗蚀剂膜的基片S输送到外部曝光装置8和第二处理站5。接口站4包括输送装置31和旋转台32。外部曝光装置8包括外部装置区块8A和曝光装置8B。外部装置区块8A利用周边曝光装置(EE)除去基片S的外周部的光致抗蚀剂膜。此外，外部装置区块8A利用打标器(TITLER)在由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n腔室，其用于收纳基片，并能够在减压气氛下在内部保持基片；/n用于对所述腔室内供给气体的多个供气部；和/n控制部，其分别控制所述多个供气部进行的所述气体的供给，/n所述控制部在使所述腔室内回到常压时，开始从所述多个供气部中的一个以上的供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。/n

【技术特征摘要】
20180516 JP 2018-0946801.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
腔室，其用于收纳基片，并能够在减压气氛下在内部保持基片；
用于对所述腔室内供给气体的多个供气部；和
控制部，其分别控制所述多个供气部进行的所述气体的供给，
所述控制部在使所述腔室内回到常压时，开始从所述多个供气部中的一个以上的供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个供气部沿矩形的各边配置，
所述控制部在使所述腔室内回到所述常压时，开始从位于所述矩形的2个边或者3个边的所述供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。


3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部在使所述腔室内回到所述常压时，开始从呈L字状配置的2个所述供气部...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保诚人，井本直树，八寻俊一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP