The invention relates to a low temperature drift low voltage detection circuit for MCU, belonging to the technical field of integrated circuit. The utility model is characterized in that: the utility model comprises a positive temperature coefficient resistance, a negative temperature coefficient resistance, an MOS tube, and a comparator; wherein, one end of the positive temperature coefficient resistance is connected with a power supply voltage, the other end is connected with one end of the negative temperature coefficient resistance and the positive input end of the comparator, outputs a partial voltage to the positive input end of the comparator, and the other end of the negative temperature coefficient resistance is grounded; the power supply voltage is connected with the The voltage with negative temperature coefficient is output from MOS tube to the negative input of comparator. By adjusting the negative temperature coefficient of reference voltage and the negative temperature coefficient of partial voltage to be equal, the low voltage detection voltage of zero temperature drift of comparator output is used to ensure the reliable reset of MCU voltage when it is lower than the low voltage detection voltage. The invention can generate a low voltage detection voltage of zero temperature drift, and can reduce the static power consumption of the whole MCU.
【技术实现步骤摘要】
一种用于MCU的低温漂低压检测电路
本专利技术涉及一种用于MCU的低温漂低压检测电路,属于集成电路
技术介绍
MCU是一个复杂的系统,包括ROM、SRAM、SFR、指令运算单元以及各种外设。为了系统稳定可靠地工作,其供电电压VDD必须控制在一定电压范围内。当电压太高时,会损坏电路,电压太低则会导致晶体管工作不正常,尤其是ROM,会发生读出错误的现象。如果是一些关键设备上的MCU,如爆破装置,在上电过程或掉电过程中出现系统执行错误,就会发生不可控制的爆炸,造成巨大的损失。低电压检测电路就是保证MCU在低电压下不工作的电路,当供电电压低于某个电压时,MCU停止工作,处于复位状态。供电电压只有高于这个电压MCU才开始工作,保证MCU稳定可靠的工作。这个电压一般被称为复位电压,复位电压的基本要求是无论在什么工作环境下都不能出现大小不一的现象。而在一般的工作环境中温度对复位电压影响较大,不同的温度低电压检测电路检测到的电压不同,这个变化通常叫温漂。在电路设计时,温漂是一个重点考虑的指标。目前采用的低电压检测电路大多是用电阻对VDD分压,然后和一个单独的电路产生的参考电压进行比较,这样就产生两个问题,一是参考电压的温漂直接决定了低电压检测电路的温漂;另一个问题是参考电压产生电路也会有功耗,使整个系统的功耗变大。而MCU的静态功耗是一个重要的指标,静态功耗包括各部分电路的工作电流,因此需要适用于MCU的一种工作电流小、温漂小的低压检测电路。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于 ...
【技术保护点】
1.一种用于MCU的低温漂低压检测电路,其特征在于:包括一个正温度系数电阻R0、一个负温度系数的电阻R1、一个MOS管M0、一个比较器COMP;其中正温度系数电阻R0的一端连接供电电压VDD,另一端连接负温度系数电阻的一端和比较器的正输入端,向比较器的正输入端输出分压V1,负温度系数电阻的另一端接地;供电电压经过MOS管偏置,由MOS管向比较器的负输入端输出一个带负温度系数的电压V
【技术特征摘要】
1.一种用于MCU的低温漂低压检测电路,其特征在于:包括一个正温度系数电阻R0、一个负温度系数的电阻R1、一个MOS管M0、一个比较器COMP;其中正温度系数电阻R0的一端连接供电电压VDD,另一端连接负温度系数电阻的一端和比较器的正输入端,向比较器的正输入端输出分压V1,负温度系数电阻的另一端接地;供电电压经过MOS管偏置,由MOS管向比较器的负输入端输出一个带负温度系数的电压VGS,作为参考电压VREF,通过调整参考电压的负温度系数和分压的负温度系数达到相等,使比较器输出零温漂的低电压检测电压,用于确保MCU的电压在低于低电压检测电压时可靠复位。
2.如权利要求1所述的用于MCU的低温漂低压检测电路,其特征在于:所述的MOS管使用N沟道MOS晶体管或P沟道MOS晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯旭,常成星,丁晓兵,胡锦通,黄鹏,
申请(专利权)人:上海芯旺微电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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