The invention discloses a device for removing contaminated particles in a vacuum cavity, which comprises: a vacuum cavity, which is connected with a vacuum pump through a vacuum pipeline; an isolation valve is arranged on the vacuum pipeline; the first end of the hand valve is connected with the vacuum cavity and is connected with the interior of the real cavity; the second end of the hand valve is connected with a vacuum cleaner; when the vacuum cavity is working, the isolation valve is opened and the hand valve is closed; when the real cavity is working, the hand valve is closed When cleaning up the contaminated particles, the isolation valve is closed, the hand valve is opened, the second end of the hand valve is connected with the first end, and the vacuum cleaner is connected with the second end of the hand valve to clean up the contaminated particles in the vacuum chamber. The invention also discloses a method for removing pollution particles in a vacuum chamber. The invention can remove the contaminated particles from the vacuum cavity without opening a cavity, eliminate the influence of particles on the product, improve the operation time of the production equipment, improve the production efficiency and reduce the human consumption.
【技术实现步骤摘要】
真空腔污染颗粒的清除装置和方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种真空腔污染颗粒的清除装置。本专利技术还涉及一种真空腔污染颗粒的清除方法。
技术介绍
离子注入机在半导体制造领域应用广泛,能实现对半导体衬底如硅衬底的掺杂。离子注入机包括离子源、离子束(beamline)路径和终端台。离子源是通过热电子对掺杂气体进行撞击产生正离子,正离子加速后进入到离子束路径中,在离子束路径中进行杂质选择、离子加减速、聚焦和偏束等过程之后进入到终端台中将离子注入到半导体衬底中。离子注入机都需要采用真空环境,如离子源需要设置在离子源腔体中,离子束路径设置在离子束腔体中,终端台上设置有工艺注入腔。通常,离子源腔体、离子束腔体和工艺注入腔的真空环境单独设置。通常,离子束腔体的各组成部分的管壁都是由石墨组成,由于离子束中的正离子都是经过加速后的高能量离子,故会离子束腔体上的管壁上的石墨产生损耗的作用,被损耗的石墨最终会形成污染颗粒(particle)堆积在离子束腔体中。现有方法中,需要定期将离子注入机停机,之后打开离子束腔体,之后再对离子束腔体进行清洗以去除污染颗粒,从而能保证生产的产品不被颗粒污染。但是,在半导体制造领域中,减少生产设备的停机时间(downtime),提高生产设备的运行时间(uptime)对降低生产成本,提高产量非常重要。显然,开腔对离子束腔体进行清洗会大大增加清洗时间,增加离子注入机的停机时间,并最后会影响生产;同时,还会增加人力消耗。所以,如何实现对类似于离子束腔体的污染颗粒的清洗效率的提 ...
【技术保护点】
1.一种真空腔污染颗粒的清除装置,其特征在于,包括:/n真空腔,通过真空管路和真空泵相连;/n在所述真空管路上设置有隔离阀;/n手阀的第一端连接在所述真空腔上且和所述真空腔的内部连通;/n所述手阀的第二端供吸尘器连接;/n在所述真空腔进行工作时,所述隔离阀打开,所述手阀关闭;/n当所述真空腔进行污染颗粒清除时,所述隔离阀关闭,所述手阀打开,所述手阀的第二端和第一端连通,所述吸尘器连接到所述手阀的第二端上并实现对所述真空腔内的污染颗粒进行清除。/n
【技术特征摘要】
1.一种真空腔污染颗粒的清除装置,其特征在于,包括:
真空腔,通过真空管路和真空泵相连;
在所述真空管路上设置有隔离阀;
手阀的第一端连接在所述真空腔上且和所述真空腔的内部连通;
所述手阀的第二端供吸尘器连接;
在所述真空腔进行工作时,所述隔离阀打开,所述手阀关闭;
当所述真空腔进行污染颗粒清除时,所述隔离阀关闭,所述手阀打开,所述手阀的第二端和第一端连通,所述吸尘器连接到所述手阀的第二端上并实现对所述真空腔内的污染颗粒进行清除。
2.如权利要求1所述的真空腔污染颗粒的清除装置,其特征在于:所述真空腔为离子注入机的离子束腔体。
3.如权利要求2所述的真空腔污染颗粒的清除装置,其特征在于:所述离子束腔体的各组成部分的管壁由石墨组成。
4.如权利要求3所述的真空腔污染颗粒的清除装置,其特征在于:所述离子束腔体的组成部分包括:质量分析器、加速器、聚焦装置、偏束器或扫描器。
5.如权利要求3所述的真空腔污染颗粒的清除装置,其特征在于:所述真空泵为涡轮分子泵。
6.如权利要求3所述的真空腔污染颗粒的清除装置,其特征在于:所述污染颗粒的来源为离子束对所述离子束腔体的石墨材料的损耗。
7.如权利要求3所述的真空腔污染颗粒的清除装置,其特征在于:所述离子注入机还包括离子源腔体和工艺注入腔体;所述离子束腔体的第一侧连接所述离子源腔体,所述离子束腔体的第二侧连接所述工艺注入腔体。
8.如权利要求7所述的真空腔污染颗粒的清除装置,其特征在于:所述离子源腔体、所述离子束腔体和所述工艺注入腔体的真空分别独立控制。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱佳源,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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