发光二极管结构制造技术

本发明专利技术为一种发光二极管结构，其包含一可挠性基板及一或若干个晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片。该可挠性基板是由金属层为基底而外围包覆陶瓷绝缘层，该可挠性基板设置有若干个导电电极。该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片是设置于该可挠性基板之上；其中，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片的导电单元会电性连接该可挠性基板的该若干个导电电极。

LED structure

The invention relates to a light-emitting diode structure, which comprises a flexible substrate and one or several wafer package level (CSP) light-emitting diode chips. The flexible substrate is provided with a metal layer as the substrate and a ceramic insulating layer as the periphery. The flexible substrate is provided with a plurality of conductive electrodes. The CSP LED chip is arranged on the flexible substrate, wherein the conductive units of the CSP LED chip are electrically connected with the plurality of conductive electrodes of the flexible substrate.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构
本专利技术关于一种发光二极管结构，特别是一种可用于作为发光二极管(LED)灯泡及发光二极管(LED)灯丝的发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管(LED，LightEmittingDiode)具有功耗小、高亮度、电压低、与集成电路匹配容易、容易驱动及使用寿命长等优点，因此已被广泛应用于照明装置中及各种产业。近期，发光二极管中的芯片设置已由传统的正装芯片发展到倒装芯片及晶圆级封装级(chipscalepackage，CSP)芯片，以缩小发光二极管封装后的大小。传统正装芯片需要通过打线，将芯片的N极及P极与散热板上的导电电极连接后进行封装。而倒装芯片通过在散热板上设置焊接电极凸块，将芯片的N极及P极与电极凸块连接，即无须打线便可完成电极的电性导通，可改善正装芯片需打线接合等程序及垫片等其他组件的繁琐制造方式。近期，另发展出晶圆级封装(CSP)芯片，其是将倒装芯片的散热板结构移除，直接将P极及N极设置在基板上，因此具有薄型封装及电性优良(因导电线路途径短，电感及电容低)的特性。然而，晶圆级封装(CSP)芯片发光二极管虽然具有体积小及电性优良的特性，其在封装时移除与芯片P极及N极底部连接的散热板(例如陶瓷散热板)，但由于芯片是直接设置在金属电路板(MCPCB)后进行封装使用，即晶圆级封装(CSP)芯片发光二极管常用会有散热性不佳的问题，其热通量仅能由P极及N极的电极凸块与金属电路板的焊接面散热，无法同正装及倒装型发光二极管，可通过散热板均匀散热。因此，晶圆级封装(CSP)芯片发光二极管的热往往过于集中，不易散热，在长久使用下，造成发光二极管的使用寿命减短，并减低光亮。
技术实现思路
是以，本专利技术的目的是提供一种发光二极管结构，其包含一可挠性基板，该可挠性基板是由金属层为基底而外围包覆陶瓷绝缘层，该可挠性基板设置有若干个导电电极；及一或若干个晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片设置于该可挠性基板之上；其中，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片的导接单元会与该若干个导电电极形成电连接。进一步地，该发光二极管结构的该可挠性基板上具有若干个贯孔，该贯孔中分别具有导电单元。本专利技术的另一目的是提供一种发光二极管结构，其包含一可挠性基板，该可挠性基板是由金属层为基底而外围包覆陶瓷绝缘层，并具有若干个贯孔，该贯孔中分别具有导电单元；及一或若干个晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片设置于该可挠性基板之上；其中，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片的导接单元会与该若干个导电单元形成电连接。进一步地，该陶瓷绝缘层的厚度为10μm至400μm。进一步地，该可挠性基板更包含杯体结构，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片设置于该杯体结构之中。进一步地，该发光二极管结构包含一或若干个荧光层，覆设于该可挠性基板上，包覆该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片。比起现有的发光二极管结构，本专利技术的发光二极管结构具有以下优势：1.本专利技术的发光二极管结构，使用金属层为基底而外围包覆陶瓷绝缘层作为基板，由于金属层及陶瓷绝缘层具有良好的散热性，因此当晶圆级封装(CSP)芯片发光二极管设置于其上时，可改善现有晶圆级封装(CSP)芯片发光二极管有热通量过于集中，无法均匀散热的问题。2.本专利技术的发光二极管结构，使用金属层为基底而外围包覆陶瓷绝缘层作为基板，不同于现有的发光二极管结构仅使用陶瓷层作为基板，其材料成本高；此外，由于金属层具有可挠性，因此具有较佳的机械强度，能增加发光二极管结构的外观的变化性，进而增加产业上利用性，例如可将发光二极管结构弯折后作为发光二极管灯泡灯丝3.本专利技术的发光二极管结构，由于使用晶圆级封装(CSP)芯片作为发光芯片，因此能够直接使用表面贴附(SMT)设备将晶圆级封装(CSP)芯片设置在该可挠性基板上，无须如倒装芯片需在真空无尘室及固晶机等昂贵的操作设备中完成制作，即可减少制造成本。附图说明图1为本专利技术第一实施态样的发光二极管结构的剖面示意图(一)。图2为本专利技术的第一实施态样的发光二极管结构的剖面示意图(二)。图3为本专利技术的晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片的剖面示意图。图4为本专利技术第二实施态样的发光二极管结构的剖面示意图(一)。图5为本专利技术第二实施态样的发光二极管结构的剖面示意图(二)。图6A为本专利技术第二实施态样的发光二极管结构在杯体结构被分割前的剖面示意图。图6B为本专利技术第二实施态样的发光二极管结构在杯体结构被分割后的剖面示意图。图7为本专利技术第三实施态样的发光二极管结构的剖面示意图(一)。图8为本专利技术第三实施态样的发光二极管结构的剖面示意图(二)。图9A为本专利技术第三实施态样的发光二极管结构在杯体结构被分割前的剖面示意图。图9B为本专利技术第三实施态样的发光二极管结构在杯体结构被分割后的剖面示意图。附图标记说明：100-发光二极管结构1-可挠性基板11-金属层12-陶瓷绝缘层2-晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片21-导接单元22-保护层23-延伸接点24-钝化层25-半导体层及发光层组成的结构251-第一半导体252-发光层253-第二半导体层26-基板3-导电电极5-杯体结构6-荧光层7-贯孔8-导电单元200-发光二极管结构300-发光二极管结构400-发光二极管结构500-发光二极管结构600-发光二极管结构700-发光二极管结构800-发光二极管结构具体实施方式本专利技术以下叙述为此
中通常知识者可轻易明了此专利技术的必要技术，且只要不违反其中的精神及范围，就可以多样的改变及修饰这个专利技术来适应不同的用途及状况。如此，其他的实施例亦包含于申请专利范围中。请参阅图1及2，为本专利技术第一实施态样的发光二极管结构的剖面示意图(一)及(二)。于本实施态样中，如图1所示，本专利技术的发光二极管结构100包含一可挠性基板1，该可挠性基板1是由金属层11为基底而外围包覆陶瓷绝缘层12，该可挠性基板1可设置有若干个导电电极3；及一或若干个晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片2，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片2设置于该可挠性基板1之上；其中，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片2的导电单元21会电性连接该可挠性基板的该若干个导电电极3。进一步地，于本实施态样中，本专利技术的发光二极管结构的该可挠性基板更可视需要包含杯体结构及荧光层；如图2所示，本专利技术的发光二极管结构200中，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片2设置于该杯体结构5之中；又，该发光二极管结构100包含荧光层6，覆设于该可挠性基板1上，包覆该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片2。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包含：/n一可挠性基板，该可挠性基板是由金属层为基底而外围包覆陶瓷绝缘层，该可挠性基板设置有若干个导电电极；及/n一或若干个晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片设置于该可挠性基板之上；/n其中，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片的导接单元与该若干个导电电极形成电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包含：
一可挠性基板，该可挠性基板是由金属层为基底而外围包覆陶瓷绝缘层，该可挠性基板设置有若干个导电电极；及
一或若干个晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片设置于该可挠性基板之上；
其中，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片的导接单元与该若干个导电电极形成电连接。


2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该可挠性基板上具有若干个贯孔，该贯孔中分别具有导电单元。


3.如权利要求1或2所述的发光二极管结构，其特征在于，该陶瓷绝缘层的厚度为10μm至400μm。


4.如权利要求1或2所述的发光二极管结构，其特征在于，该可挠性基板更包含杯体结构，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片设置于该杯体结构之中。


5.如权利要求1或2所述的发光二极管结构，特征在于，进一步包含一或若干个荧光层，覆设于该可挠性基板上，包覆该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄禄珍，李坤锥，
申请(专利权)人：相丰科技股份有限公司，合信材料有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW