The invention discloses a method for improving the film stripping, which comprises the following steps: Step 1, depositing the required film on the wafer surface, having a stress between the required film layer and the lower layer film layer, and the stress will increase in the subsequent thermal process to make the required film layer on the wafer edge peel off; step 2, carrying out the edge etching process after the required film deposition and before the subsequent thermal process Remove the required film on the edge of the wafer to eliminate the film peeling; step 3, followed by the subsequent process steps. The invention can prevent the film from peeling off at the crystal edge and improve the product yield.
【技术实现步骤摘要】
改善薄膜剥离的方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法,特别涉及一种改善薄膜剥离的方法。
技术介绍
随着半导体技术不断发展,器件的关键尺寸即线宽不断缩小,线宽限缩的技术使工艺难度与日俱增,需要使用金属栅来代替多晶硅栅以达到先进工艺需求(advancedtechnology),先进工艺转对于晶圆(wafer)如硅晶圆片即硅片的晶边(waferedge)工艺要求越趋严格。由于金属栅的引用,金属与介质层即介电质材料层之间的接触密合度对电性影响也密不可分,如金属栅的金属薄膜和栅介质层之间的接触密合度对器件的电学性能影响很大。现有技术中,在介质层表面形成的金属具有如下主要问题:1.金属与介质层间由于应力如金属和氧化层之间的应力作用,在waferedge均匀度控制不易及表面不平整情况下,易形成剥离(peeling)现象。如图1A至图1C所示,是现有在介质层上形成金属薄膜时各步骤中的器件结构示意图,现有方法中包括:如图1A所示,首先在晶圆101表面沉积所需薄膜。通常,所述所需膜层和下层膜层102之间具有应力。图1A中,所述所需薄膜包括两层,分别为薄膜103和薄膜104。通常,所述晶圆101为硅晶圆。在所述晶圆101上所需形成的器件包括MOS晶体管;所述MOS晶体管包括PMOS管和NMOS管。所述所需膜层包括金属薄膜或介质膜层,也即薄膜103既能为金属薄膜也能为介质膜层,薄膜104既能为金属薄膜也能为介质膜层。所述下层膜层102包括金属薄膜或介质膜层,仅需满足组成所述下层膜层的薄膜不会产 ...
【技术保护点】
1.一种改善薄膜剥离的方法,其特征在于,包括如下步骤:/n步骤一、在晶圆表面沉积所需薄膜,所述所需膜层和下层膜层之间具有应力,且应力会在后续热过程中增加使所述晶圆边缘的所述所需膜层剥离;/n步骤二、在所述所需薄膜沉积之后以及对所述所需膜层进行后续热过程之前,进行晶边刻蚀工艺将位于所述晶圆边缘的所述所需薄膜去除,以消除薄膜剥离;/n步骤三、之后进行后续工艺步骤,后续工艺步骤中包括有热过程。/n
【技术特征摘要】
1.一种改善薄膜剥离的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、在晶圆表面沉积所需薄膜,所述所需膜层和下层膜层之间具有应力,且应力会在后续热过程中增加使所述晶圆边缘的所述所需膜层剥离;
步骤二、在所述所需薄膜沉积之后以及对所述所需膜层进行后续热过程之前,进行晶边刻蚀工艺将位于所述晶圆边缘的所述所需薄膜去除,以消除薄膜剥离;
步骤三、之后进行后续工艺步骤,后续工艺步骤中包括有热过程。
2.如权利要求1所述的改善薄膜剥离的方法,其特征在于:所述晶圆为半导体衬底形成的晶圆。
3.如权利要求2所述的改善薄膜剥离的方法,其特征在于:所述半导体衬底包括硅衬底。
4.权利要求2所述的改善薄膜剥离的方法,其特征在于:在所述晶圆上所需形成的器件包括MOS晶体管;所述MOS晶体管包括PMOS管和NMOS管。
5.权利要求4所述的改善薄膜剥离的方法,其特征在于:步骤一中所述所需膜层包括金属薄膜或介质膜层,所述下层膜层包括金属薄膜或介质膜层。
6.权利要求5所述的改善薄膜剥离的方法,其特征在于:所述MOS晶体管采用金属栅,所述金属栅形成在栅介质层上;所述所需膜层包括组成所述金属栅的金属薄膜;所述下层膜层的介质膜层包括氧化膜。
7.权利要求6所述的改善薄膜剥离的方法,其特征在于:所述栅介质层包括高介电常数层。
8.如权利要求7所述的具有HKMG的PMOS,其特征在于:所述栅介质层还包括界面层,所述界面层位于所述高介电常数层和半导体衬底之间。
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【专利技术属性】
技术研发人员:谢玟茜,刘玫诤,吕佳韦,刘立尧,胡展源,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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