双向导通的大电流负载开关电路、开关电源以及电子设备制造技术

本实用新型专利技术涉及双向导通的大电流负载开关电路、开关电源以及电子设备。该开关电路中，开关驱动器MK1的引脚1连接第一MOS管Q1的栅极，开关驱动器MK1的引脚2连接第二MOS管Q2的栅极；第一MOS管Q1的源极连接第二MOS管Q2的源极；第一MOS管Q1的漏极用于连接电源B1，第二MOS管Q2的漏极用于通过负载R1连接电源B1；第一二极管D1为第一MOS管Q1的旁路；第二二极管D2为第二MOS管Q2的旁路。本实用新型专利技术采用两只大电流的MOS管源极对接，驱动MOS管的门极达到对负载开关的控制，同时通过配合旁路的二极管实现回路的双向导通；没有放电和拉弧现象，产品的故障率目前几乎为零，延长产品质保周期。

High current load switch circuit, switching power supply and electronic equipment with bidirectional conduction

The utility model relates to a high current load switch circuit with bidirectional conduction, a switch power supply and an electronic device. In the switch circuit, pin 1 of the switch driver MK1 is connected with the gate of the first MOS tube Q1, pin 2 of the switch driver MK1 is connected with the gate of the second MOS tube Q2, the source of the first MOS tube Q1 is connected with the source of the second MOS tube Q2, the drain of the first MOS tube Q1 is used for connecting the power supply B1, the drain of the second MOS tube Q2 is used for connecting the power supply B1 through the load R1, and the first diode D1 is the bypass of the first MOS tube Q1; The second diode D2 is the bypass of the second MOS tube Q2. The utility model adopts two high current MOS transistor source pole butt joint, drives the gate pole of the MOS transistor to achieve the control of the load switch, at the same time realizes the bidirectional conduction of the circuit by cooperating with the bypass diode; there is no discharge and arcing phenomenon, the failure rate of the product is almost zero at present, and the product warranty period is extended.

【技术实现步骤摘要】
双向导通的大电流负载开关电路、开关电源以及电子设备
本技术涉及负载开关电路领域，更具体地说，特别是大电流或者开关瞬间峰值电流较大的负载开关电路，涉及一种双向导通的大电流负载开关电路、开关电源以及电子设备，可有效防止负载开关在动作瞬间因为浪涌电流较大而受到损坏。
技术介绍
在大电流开关电路启动时，动作瞬间可产生较大的浪涌电流导致设备开关器件受损。现在市场大电流开关多采用继电器或者接触器等机械开关器件的应用，其原理是利用线圈流过电流产生磁场，磁场吸附触头弹片，使触头闭合，以达到控制负载开关的目的。此应用触点在闭合或打开的瞬间会产生火花和拉弧的现象，影响开关性能和寿命。也有一部分选用功率半导体器件实现大电流开关，但都是单向导通，对电源供电的方向性有要求，影响终端使用的体验。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种双向导通的大电流负载开关电路、开关电源以及电子设备。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种双向导通的大电流负载开关电路，包括开关驱动器MK1、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一二极管D1、第二二极管D2；所述开关驱动器MK1的引脚1连接所述第一MOS管Q1的栅极，所述开关驱动器MK1的引脚2连接所述第二MOS管Q2的栅极；所述第一MOS管Q1的源极连接所述第二MOS管Q2的源极；所述第一MOS管Q1的漏极用于连接电源B1的一端，所述第二MOS管Q2的漏极用于通过负载R1连接所述电源B1的另一端；所述第一二极管D1的正极连接所述第一MOS管Q1的源极，所述第一二极管D1的负极连接所述第一MOS管Q1的漏极；所述第二二极管D2的正极连接所述第二MOS管Q2的源极，所述第二二极管D2的负极连接所述第二MOS管Q2的漏极。进一步，本技术所述的双向导通的大电流负载开关电路，其特征在于，所述开关驱动器MK1包括：第一光电耦合器U1A、第二光电耦合器U2B、开关S1、第三二极管D3、第四二极管D4、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2；所述第一光电耦合器U1A的引脚1连接所述开关S1的引脚2，所述开关S1的引脚1通过所述电阻R7连接所述第四二极管D4的负极，所述第四二极管D4的正极用于连接所述电源B1的一端；所述第一光电耦合器U1A的引脚2连接所述第二光电耦合器U2B的引脚4，所述第一光电耦合器U1A的引脚2接地；所述第一光电耦合器U1A的引脚8连接工作电源；所述第一光电耦合器U1A的引脚7通过所述电阻R2连接所述第一MOS管Q1的栅极，所述第一MOS管Q1的栅极通过所述电阻R3接地，所述第一MOS管Q1的栅极通过所述电容C1接地；所述第二光电耦合器U2B的引脚3连接所述开关S1的引脚4，所述开关S1的引脚3通过所述电阻R6连接所述第三二极管D3的负极，所述第三二极管D3的正极用于连接所述电源B1的另一端；所述第二光电耦合器U2B的引脚6连接工作电源；所述第二光电耦合器U2B的引脚5通过所述电阻R4连接所述第二MOS管Q2的栅极，所述第二MOS管Q2的栅极通过所述电阻R5接地，所述第二MOS管Q2的栅极通过所述电容C2接地。进一步，本技术所述的双向导通的大电流负载开关电路，所述第一MOS管Q1为N沟道MOS管，所述第二MOS管Q2为N沟道MOS管。进一步，本技术所述的双向导通的大电流负载开关电路，所述第一MOS管Q1的漏极用于连接电源B1的正极，所述第二MOS管Q2的漏极用于通过负载R1连接所述电源B1的负极。进一步，本技术所述的双向导通的大电流负载开关电路，所述第一MOS管Q1的漏极用于连接电源B1的负极，所述第二MOS管Q2的漏极用于通过负载R1连接所述电源B1的正极。另，本技术还提供一种双向导通的大电流负载开关电源，包括电源B1、开关驱动器MK1、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一二极管D1、第二二极管D2；所述开关驱动器MK1的引脚1连接所述第一MOS管Q1的栅极，所述开关驱动器MK1的引脚2连接所述第二MOS管Q2的栅极；所述第一MOS管Q1的源极连接所述第二MOS管Q2的源极；所述第一MOS管Q1的漏极连接电源B1的一端，所述第二MOS管Q2的漏极通过负载R1连接所述电源B1的另一端；所述第一二极管D1的正极连接所述第一MOS管Q1的源极，所述第一二极管D1的负极连接所述第一MOS管Q1的漏极；所述第二二极管D2的正极连接所述第二MOS管Q2的源极，所述第二二极管D2的负极连接所述第二MOS管Q2的漏极。进一步，本技术所述的双向导通的大电流负载开关电源，其特征在于，所述开关驱动器MK1包括：第一光电耦合器U1A、第二光电耦合器U2B、开关S1、第三二极管D3、第四二极管D4、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2；所述第一光电耦合器U1A的引脚1连接所述开关S1的引脚2，所述开关S1的引脚1通过所述电阻R7连接所述第四二极管D4的负极，所述第四二极管D4的正极用于连接所述电源B1的一端；所述第一光电耦合器U1A的引脚2连接所述第二光电耦合器U2B的引脚4，所述第一光电耦合器U1A的引脚2接地；所述第一光电耦合器U1A的引脚8连接工作电源；所述第一光电耦合器U1A的引脚7通过所述电阻R2连接所述第一MOS管Q1的栅极，所述第一MOS管Q1的栅极通过所述电阻R3接地，所述第一MOS管Q1的栅极通过所述电容C1接地；所述第二光电耦合器U2B的引脚3连接所述开关S1的引脚4，所述开关S1的引脚3通过所述电阻R6连接所述第三二极管D3的负极，所述第三二极管D3的正极用于连接所述电源B1的另一端；所述第二光电耦合器U2B的引脚6连接工作电源；所述第二光电耦合器U2B的引脚5通过所述电阻R4连接所述第二MOS管Q2的栅极，所述第二MOS管Q2的栅极通过所述电阻R5接地，所述第二MOS管Q2的栅极通过所述电容C2接地。进一步，本技术所述的双向导通的大电流负载开关电源，所述第一MOS管Q1为N沟道MOS管，所述第二MOS管Q2为N沟道MOS管。进一步，本技术所述的双向导通的大电流负载开关电源，所述第一MOS管Q1的漏极连接电源B1的正极，所述第二MOS管Q2的漏极通过负载R1连接所述电源B1的负极。进一步，本技术所述的双向导通的大电流负载开关电源，所述第一MOS管Q1的漏极连接电源B1的负极，所述第二MOS管Q2的漏极通过负载R1连接所述电源B1的正极。另，本技术还提供一种电子设备，所述电子设备包括如上述的双向导通的大电流负载开关电路；或者所述电子设备包括如上述的双向导通的大电流负载开关电源。实施本技术的一种双向导通的大电流负载开关电路、开关电源以及电子设备，具有以下有益效果：该开关电路中，开关驱动器MK1的引脚1连接第一MOS管Q1的栅极，开关驱动器MK1的引脚2连接第二MOS管Q2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双向导通的大电流负载开关电路，其特征在于，包括开关驱动器MK1、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一二极管D1、第二二极管D2；/n所述开关驱动器MK1的引脚1连接所述第一MOS管Q1的栅极，所述开关驱动器MK1的引脚2连接所述第二MOS管Q2的栅极；所述第一MOS管Q1的源极连接所述第二MOS管Q2的源极；所述第一MOS管Q1的漏极用于连接电源B1的一端，所述第二MOS管Q2的漏极用于通过负载R1连接所述电源B1的另一端；/n所述第一二极管D1的正极连接所述第一MOS管Q1的源极，所述第一二极管D1的负极连接所述第一MOS管Q1的漏极；所述第二二极管D2的正极连接所述第二MOS管Q2的源极，所述第二二极管D2的负极连接所述第二MOS管Q2的漏极。/n

【技术特征摘要】
1.一种双向导通的大电流负载开关电路，其特征在于，包括开关驱动器MK1、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一二极管D1、第二二极管D2；
所述开关驱动器MK1的引脚1连接所述第一MOS管Q1的栅极，所述开关驱动器MK1的引脚2连接所述第二MOS管Q2的栅极；所述第一MOS管Q1的源极连接所述第二MOS管Q2的源极；所述第一MOS管Q1的漏极用于连接电源B1的一端，所述第二MOS管Q2的漏极用于通过负载R1连接所述电源B1的另一端；
所述第一二极管D1的正极连接所述第一MOS管Q1的源极，所述第一二极管D1的负极连接所述第一MOS管Q1的漏极；所述第二二极管D2的正极连接所述第二MOS管Q2的源极，所述第二二极管D2的负极连接所述第二MOS管Q2的漏极。


2.根据权利要求1所述的双向导通的大电流负载开关电路，其特征在于，所述开关驱动器MK1包括：第一光电耦合器U1A、第二光电耦合器U2B、开关S1、第三二极管D3、第四二极管D4、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2；
所述第一光电耦合器U1A的引脚1连接所述开关S1的引脚2，所述开关S1的引脚1通过所述电阻R7连接所述第四二极管D4的负极，所述第四二极管D4的正极用于连接所述电源B1的一端；所述第一光电耦合器U1A的引脚2连接所述第二光电耦合器U2B的引脚4，所述第一光电耦合器U1A的引脚2接地；所述第一光电耦合器U1A的引脚8连接工作电源；所述第一光电耦合器U1A的引脚7通过所述电阻R2连接所述第一MOS管Q1的栅极，所述第一MOS管Q1的栅极通过所述电阻R3接地，所述第一MOS管Q1的栅极通过所述电容C1接地；
所述第二光电耦合器U2B的引脚3连接所述开关S1的引脚4，所述开关S1的引脚3通过所述电阻R6连接所述第三二极管D3的负极，所述第三二极管D3的正极用于连接所述电源B1的另一端；所述第二光电耦合器U2B的引脚6连接工作电源；所述第二光电耦合器U2B的引脚5通过所述电阻R4连接所述第二MOS管Q2的栅极，所述第二MOS管Q2的栅极通过所述电阻R5接地，所述第二MOS管Q2的栅极通过所述电容C2接地。


3.根据权利要求1所述的双向导通的大电流负载开关电路，其特征在于，所述第一MOS管Q1为N沟道MOS管，所述第二MOS管Q2为N沟道MOS管。


4.根据权利要求1所述的双向导通的大电流负载开关电路，其特征在于，所述第一MOS管Q1的漏极用于连接电源B1的正极，所述第二MOS管Q2的漏极用于通过负载R1连接所述电源B1的负极；或
所述第一MOS管Q1的漏极用于连接电源B1的负极，所述第二MOS管Q2的漏极用于通过负载R1连接所述电源B1的正极。


5.一种双向导通的大电流负载开关电源，其特征在于，包括电源B1、开关驱动器MK1、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍时友，
申请(专利权)人：世强先进深圳科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44