一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法技术

本发明专利技术提供一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其步骤包括电解原箔工序、第一粗化工序、第二粗化工序、第三粗化工序、第一固化工序、第二固化工序、镀镍工序、防氧化工序、及偶联剂涂覆工序，所述电解原箔工序为：在温度35~55℃、电流密度为50~70A/dm

A manufacturing method of HVLP copper foil for high frequency and high speed copper clad plate

The invention provides a manufacturing method of HVLP copper foil for high-frequency and high-speed copper clad plate, the steps of which include electrolytic original foil process, first roughening process, second roughening process, third roughening process, first curing process, second curing process, nickel plating process, anti-oxidation process, and coupling agent coating process. The electrolytic original foil process is: at a temperature of 35-55 \u2103, current density of 50-70a / DM

【技术实现步骤摘要】
一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法
本专利技术属于铜箔制作领域，具体涉及一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法。
技术介绍
高频高速覆铜板是以传输信号高频、高速并且低损耗为主要特征的一种印制电路板材料，目前高频高速材料是当今世界业内最受重视的热门。随着5G时代的来临，自动远程驾驶、智能电网、智能工厂、高速大容量存贮器、定位系统、物联网等广泛应用，均要求所用电子材料和电子元器件等具有高频、高速和大容量存储及传输信号的功能。因此，开发更高性能的高频高速覆铜板及其铜箔材料成为全世界PCB厂家、覆铜板和铜箔厂家都非常重视的科研课题。常规电子铜箔由于其毛面粗糙度较大，受趋肤效应的影响，无法满足频高速信号的传输需求。当常规电解铜的传输信号灯频率是500兆的时候，那么该新信号在电路板导线表面信号传输的速度就在3μm左右，如果所使用的导线的表面的粗糙程度在3μm到5μm之间的时候，也就是说电解铜箔传输信号的速度数值在粗糙度的范围以内；当电解铜箔信号传输的频率达到10G的时候，那么该传输信号在线路导线表面的信号传输厚度只有0.7μm左右，比常规铜箔的粗糙厚度要小很多，当传输信号仅在″粗糙度″的尺寸层内进行传输时，那么必然产生严重的信号″驻波″和″反射″等，使信号严重损失，甚至完全失真。随着信号传输频率的不断持续升高，信号传输的厚度就会越来越薄，信号在传输的过程中产生″失真″现象的概率就会越大，为了使这种信号″失真″的概率减少，同时满足剥离强度性能要求，就必须将铜箔表面粗糙度做到均匀且尽量小。那么现有的VLP铜箔有以下缺点：一，部分处理面粗糙度只能达到小于等于3.5um，当电路板的设计传输频率达到10GHz以上时，信号损失较大，不能满足；二，另一部分其粗糙度能达到3.0um以下，但均匀性不够，而且其使用在高频高速电路板上时，其剥离强度和耐热性不能满足要求。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法。为了实现上述目的或者其他目的，本专利技术是通过以下技术方案实现：一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其步骤包括电解原箔工序、第一粗化工序、第二粗化工序、第三粗化工序、第一固化工序、第二固化工序、镀镍工序、防氧化工序、及偶联剂涂覆工序，所述电解原箔工序为：在温度35～55℃、电流密度为50～70A/dm2条件下，使用80～140g/L硫酸和70～95g/L二价铜离子的电解液在阴极辊表面电镀生成原箔，所述电解液包含原箔添加剂，所述原箔添加剂包括500～1500ppm水解胶原蛋白、100～300ppm聚二硫二丙烷磺酸钠、20～80ppm聚乙二醇、10～50ppm疏基化合物及10～20ppm氯根离子。进一步地，所述水解胶原蛋白的分子量中15％保持在1000～2500道尔顿、70％保持在3000道尔顿、15％保持在3500～6500道尔顿。进一步地，所述原箔添加剂包括1000～1500ppm水解胶原蛋白、95～255ppm聚二硫二丙烷磺酸钠、40～75ppm聚乙二醇、15～40疏基化合物及14～18ppm氯根离子。进一步地，第一粗化工序为：将经电解原箔工序生成的原箔在温度28-37℃、电流密度10-50A/dm2条件下，使用170-220g/L硫酸、5-15g/L二价铜离子、及15-30ppm盐酸的粗化液进行电镀；第二粗化工序为：将经第一粗化工序加工的原箔在温度28-37℃、电流密度10-45A/dm2条件下使用第一粗化工序中相同的粗化液进行电镀第三粗化工序为：将经第二粗化工序加工的原箔在温度28-37℃、电流密度10-40A/dm2，使用第一粗化工序中相同的粗化液进行电镀；其中，所述粗化液包含粗化添加剂，所述粗化添加剂包含5～200ppm钼酸钠、0.5～5ppm十二醇硫酸酯钠及5～10ppm聚二硫二丙烷磺酸钠中的两种或三种。进一步地，所述粗化添加剂包含50～190ppm钼酸钠、2～4.5ppm十二醇硫酸酯钠及3.5～5ppm聚二硫二丙烷磺酸钠。进一步地，第一固化工序：将经第三粗化工序加工的原箔在温度20-45℃，电流密度30-55A/dm2条件下，使用110-130g/L硫酸、35-45g/L二价铜离子、及25-35ppm盐酸的固化液进行电镀；第二固化工序：将经第一固化工序加工的原箔在温度20-45℃，电流密度30-55A/dm2条件下，使用第一固化工序中相同的固化液进行电镀；其中，所述固化液包含有固化添加剂，所述固化添加剂包含2～200ppm七水硫酸钴和0.5～5ppm烷基季铵盐。进一步地，所述固化添加剂包含90～200ppm七水硫酸钴和2.5～3.5ppm烷基季铵盐。进一步地，所述偶联剂涂覆工序为：对经防氧化工序后的原箔涂覆浓度为3.0g/L偶联剂，所述偶联剂为乙烯基、氨基和钛酸酯类偶联剂按照1∶1∶1进行复配而成。有益效果：本专利技术制作的铜箔不仅粗糙度的均匀性达到了要求，而且其抗拉强度、耐热性、及剥离强度均已达到合格要求。附图说明图1为本专利技术实施例1制作的铜箔的处理面1000倍SEM图片；图2为本专利技术实施例1制作的铜箔的外观面1000倍SEM图片。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变，文中所述HVLP为平滑铜箔、无轮廓铜箔，比常规铜箔和VLP铜箔拥有更低的表面粗糙度及轮廓度，其处理面Rz≤2.0μm，剥离强度≥1.0N/mm。本专利技术所述的一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其步骤包括电解原箔工序、第一粗化工序、第二粗化工序、第三粗化工序、第一固化工序、第二固化工序、镀镍工序、防氧化工序、及偶联剂涂覆工序，具体步骤如下：所述电解原箔工序为：在温度35～55℃、电流密度为50～70A/dm2条件下，使用80～140g/L硫酸和70～95g/L二价铜离子的电解液在阴极辊表面电镀生成原箔，所述电解液包含原箔添加剂，所述原箔添加剂包括500～1500ppm水解胶原蛋白、100～300ppm聚二硫二丙烷磺酸钠、20～80ppm聚乙二醇、10～50ppm疏基化合物及10～20ppm氯根离子，其中所述水解胶原蛋白的分子量中15％保持在1000～2500道尔顿、70％保持在3000道尔顿、15％保持在3500～6500道尔顿，其中分子量的分布控制主要是通过复合生物酶定向剪切技术实现的，酶具有对特定胶原蛋白中氨基酸链段结合点的定向剪切特点，通过对工艺温度、时间等因素的控制，实现酶对胶原蛋白大分子剪切度的控制，最终实现对分子量大小及其分布的控制。所述第一粗化工序为：将经电解原箔工序生成的原箔在温度28-37℃、电流密度10-50A/dm2条件下，使用170-220g/L硫酸、5-15g/L二价铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其步骤包括电解原箔工序、第一粗化工序、第二粗化工序、第三粗化工序、第一固化工序、第二固化工序、镀镍工序、防氧化工序、及偶联剂工序，其特征在于，所述电解原箔工序为：在温度35~55℃、电流密度为50~70A/dm

【技术特征摘要】
1.一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其步骤包括电解原箔工序、第一粗化工序、第二粗化工序、第三粗化工序、第一固化工序、第二固化工序、镀镍工序、防氧化工序、及偶联剂工序，其特征在于，所述电解原箔工序为：在温度35~55℃、电流密度为50~70A/dm2条件下，使用80~140g/L硫酸和70~95g/L二价铜离子的电解液在阴极辊表面电镀生成原箔，所述电解液包含原箔添加剂，所述原箔添加剂包括500~1500ppm水解胶原蛋白、100~300ppm聚二硫二丙烷磺酸钠、20~80ppm聚乙二醇、10~50ppm疏基化合物及10~20ppm氯根离子。


2.根据权利要求1所述的高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其特征在于，所述水解胶原蛋白的分子量中15%保持在1000~2500道尔顿、70%保持在3000道尔顿、15%保持在3500~6500道尔顿。


3.根据权利要求1所述的高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其特征在于，所述原箔添加剂包括1000~1500ppm水解胶原蛋白、95~255ppm聚二硫二丙烷磺酸钠、40~75ppm聚乙二醇、15~40疏基化合物及14~18ppm氯根离子。


4.根据权利要求1所述的高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其特征在于，
第一粗化工序为：将经电解原箔工序生成的原箔在温度28-37℃、电流密度10-50A/dm2条件下，使用170-220g/L硫酸、5-15g/L二价铜离子、及15-30ppm盐酸的粗化液进行电镀；
第二粗化工序为：将经第一粗化工序加工的原箔在温度28-37℃、电流密度10-45A/dm2条件下，使用第一粗化工序中相同的粗化液进行电镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆冰沪，郑小伟，甘国庆，李大双，周杰，汪光志，施其龙，许衍，
申请(专利权)人：安徽铜冠铜箔有限公司，合肥铜冠国轩铜材有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34