一种电源管脚的静电释放保护结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电源管脚的静电释放保护结构，用于由电源、电阻、电容和反相器连接而成的驱动ESD NMOS保护管的clamp结构的电源管脚中，该静电释放保护结构还包括：一个PMOS静电释放保护管，被保护的所述电源管脚通过所述PMOS静电释放保护管连接到IO环电源。通过加入了一个PMOS静电释放保护管将被保护的电源管脚连接到IO环电源，形成从被保护电源管脚到IO环电源和Ground两条静电释放路径，被保护的电源管脚上的静电可以从IO环电源和Ground两条路径释放，可以起到更好的静电保护作用。

Electrostatic discharge protection structure of power pin

The invention discloses an electrostatic discharge protection structure of a power pin, which is used in a clamp structure power pin of driving ESD NMOS protection tube connected by a power supply, a resistance, a capacitor and a inverter. The electrostatic discharge protection structure also includes a PMOS electrostatic discharge protection tube, and the protected power pin is connected to the IO ring power supply through the PMOS electrostatic discharge protection tube. By adding a PMOS static electricity release protection pin, the protected power pin is connected to the IO ring power supply, forming two static electricity release paths from the protected power pin to the IO ring power supply and ground. The static electricity on the protected power pin can be released from the IO ring power supply and ground, which can play a better static electricity protection role.

【技术实现步骤摘要】
一种电源管脚的静电释放保护结构
本专利技术涉及静电保护领域，尤其涉及一种电源管脚的静电释放保护结构。
技术介绍
传统电源管脚(PAD)的ESD(Electro-Staticdischarge，即静电释放)结构如图1所示，该电源管脚结构为电阻电容加反相器，驱动ESDNMOS保护管的clamp结构。这种静电释放保护结构存在的问题是：电路中被保护电源管脚上的静电仅由Ground一条路径释放，产生静电较多时，静电保护性不好。
技术实现思路
基于现有技术所存在的问题，本专利技术的目的是提供一种电源管脚的静电释放保护结构，能解决现有的电源管脚的静电释放保护结构中，仅仅由Ground一条路径释放，产生静电较多时，静电保护性不好的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：本专利技术实施方式提供一种电源管脚的静电释放保护结构，用于由电阻、电容和反相器连接而成的驱动ESDNMOS保护管的clamp结构的电源管脚中，该静电释放保护结构还包括：一个PMOS静电释放保护管，被保护的所述电源管脚通过所述PMOS静电释放保护管连接到IO环电源。由上述本专利技术提供的技术方案可以看出，本专利技术实施例提供的图像传感器封装结构，其有益效果为：通过加入了一个PMOS静电释放保护管将被保护的电源管脚连接到IO环电源，形成从被保护的电源管脚到IO环电源和Ground两条静电释放路径，被保护的电源管脚上的静电可以从IO环电源和Ground两条路径释放，可以起到更好的静电保护作用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。图1为现有技术提供的电源管脚的静电释放保护结构的示意图；图2为本专利技术实施例提供的电源管脚的静电释放保护结构的示意图；图中标记为：1-电源；2-PMOS静电释放保护管。具体实施方式下面结合本专利技术的具体内容，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。本专利技术实施例中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。如图2所示，本专利技术实施例提供一种电源管脚的静电释放保护结构，用于由电阻、电容和反相器(即Invertor)连接而成的驱动ESDNMOS保护管的clamp结构的电源管脚中，该静电释放保护结构还包括：一个PMOS静电释放保护管，被保护的所述电源管脚通过所述PMOS静电释放保护管连接到IO环电源(即DVDDIO)。上述静电释放保护结构，被保护的所述电源管脚的电压不高于IO环电源的电压。本专利技术的结构中,由于设置了一个PMOSESD保护管将被保护的电源管脚连接到DVDDIO，使得被保护的电源(Power)管脚上的静电可以从DVDDIO和Ground两条路径释放，可以起到更好的静电保护作用。下面对本专利技术实施例具体作进一步地详细描述。参见图2，本专利技术的电源管脚的静电释放保护结构与传统结构相比通过加入了一个PMOSESD保护管将被保护的电源管脚连接到IO环电源(即DVDDIO)，这样被保护的电源(即Power)管脚上的静电可以从DVDDIO和Ground两条路径释放，可以更好的达到静电保护的作用，使用需限制被保护的电源(Power)管脚的电压不能高于DVDDIO的电压。该静电释放保护结构以相对简单的方式达到了更好的电源管脚静电保护效果。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源管脚的静电释放保护结构，用于由电阻、电容和反相器连接而成的驱动ESD NMOS保护管的clamp结构的电源管脚中，其特征在于，该静电释放保护结构还包括：一个PMOS静电释放保护管，被保护的所述电源管脚通过所述PMOS静电释放保护管连接到IO环电源。

【技术特征摘要】
1.一种电源管脚的静电释放保护结构，用于由电阻、电容和反相器连接而成的驱动ESDNMOS保护管的clamp结构的电源管脚中，其特征在于，该静电释放保护结构还包括：一个PMOS静电释放保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文杰，旷章曲，陈杰，
申请(专利权)人：北京思比科微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11