一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法技术

本发明专利技术公开了一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法，该转移载板，包括：基底，具有贯穿基底厚度的多个通孔；基底包括相对的第一表面和第二表面；热塑性结构，热塑性结构填充对应的通孔，且热塑性结构的一端凸出于基底的第二表面，另一端覆盖对应的通孔周围区域的第一表面。本发明专利技术实施例提供的转移载板，结构简单、容易实现大尺寸化，且材料成本低，在发光二极管芯片转移的过程中，加热的发光二极管芯片可以嵌入到热塑性结构中，然后冷却后可使热塑性结构抓住发光二极管芯片，转移工艺成本低且易于实施，并且转移效率较高。

【技术实现步骤摘要】
一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法
本专利技术涉及显示
，尤指一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法。
技术介绍
微型发光二极管(LightEmittingDiode，LED)由于其自发光、发光效率高、对比度高、工作温度范围宽、寿命长、功耗低以及非常快的响应时间等优良特性，在显示器领域正受到越来越多的人的关注。其中，微型发光二极管(MiniLED/MicroLED)芯片由于自发光、结构简单、体积小和节能等优点，微型发光二极管显示技术将成为下一代具有革命性的技术，然而，目前微型发光二极管芯片转移固晶技术，由于速度慢且成本过高是而导致商用化困难，虽然，目前已有诸如基于凡德瓦尔力、静电力、电磁力的转移技术，但都有成本高、效率低、大尺寸化困难的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法，用以解决现有技术中存在的发光二极管芯片的转移工艺成本高、效率低、大尺寸化困难的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种转移载板，包括：基底，具有贯穿所述基底厚度的多个通孔；所述基底包括相对的第一表面和第二表面；热塑性结构，所述热塑性结构填充对应的所述通孔，且所述热塑性结构的一端凸出于所述基底的第二表面，另一端覆盖对应的所述通孔周围区域的所述第一表面。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述转移载板中，各所述热塑性结构覆盖所述第一表面的部分相互连接为一体结构。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述转移载板中，所述基底具有导热性。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述转移载板中，所述基底的材料为金属或陶瓷。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述转移载板中，还包括：位于所述基底的所述第一表面与所述热塑性结构之间的多条加热导线；多条所述加热导线均匀分布于所述基底除各所述通孔以外的区域；和/或，所述转移载板，还包括：位于所述基底的所述第二表面的多条加热导线；多条所述加热导线均匀分布于所述基底除各所述通孔以外的区域。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述转移载板中，所述热塑性结构的材料为蜡、橡胶或硅胶。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种发光二极管芯片的转移方法，包括：提供一表面具有多个发光二极管芯片的基板，以及提供一具有多个驱动电极的驱动背板；将上述转移载板的第二表面与所述基板具有所述发光二极管芯片的一面进行对位，并将所述转移载板的多个热塑性结构与对应的所述发光二极管芯片接触；对各所述发光二极管芯片进行加热，以使所述发光二极管芯片嵌入到对应的所述热塑性结构中，之后对各所述发光二极管芯片及对应的各所述热塑性结构进行冷却，以使各所述热塑性结构抓取对应的所述发光二极管芯片；移走所述转移载板，以使所述转移载板抓取的各所述发光二极管芯片与所述基板分离；将所述转移载板抓取有所述发光二极管芯片的一面与所述驱动背板具有所述驱动电极的一面进行对位并贴合；对各所述热塑性结构进行加热，以使所述热塑性结构软化后释放所述发光二极管芯片，之后移走所述转移载板。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述转移方法中，对各所述发光二极管芯片进行加热，以使所述发光二极管芯片嵌入到对应的所述热塑性结构中，包括：对表面具有多个所述发光二极管芯片的所述基板进行加热。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述转移方法中，所述转移载板与所述驱动背板进行对位贴合后，各所述发光二极管通过焊接材料与对应的驱动电极接触；所述对各所述热塑性结构进行加热，以使所述热塑性结构软化后释放所述发光二极管芯片，包括：对所述驱动背板进行加热，以使各所述发光二极管芯片与对应的所述驱动电极固定，同时，使各所述热塑性结构软化后释放所述发光二极管芯片。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种上述转移载板的制作方法，包括：提供一基底；形成贯穿所述基底的多个通孔；在所述基底的第一表面形成热塑性膜层；对所述热塑性膜层进行加热，并在所述热塑性膜层软化后挤压所述热塑性膜层，以使部分所述热塑性膜层填充各所述通孔并由所述基底的第二表面溢出；对所述热塑性膜层进行冷却，以形成各热塑性结构。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法，该转移载板，包括：基底，具有贯穿基底厚度的多个通孔；基底包括相对的第一表面和第二表面；热塑性结构，热塑性结构填充对应的通孔，且热塑性结构的一端凸出于基底的第二表面，另一端覆盖对应的通孔周围区域的第一表面。本专利技术实施例提供的转移载板，通过设置贯穿基底的多个通孔，以及多个热塑性结构，就能够实现对发光二极管芯片的转移，结构简单、容易实现大尺寸化，且材料成本低，在发光二极管芯片转移的过程中，加热的发光二极管芯片可以嵌入到热塑性结构中，然后冷却后可使热塑性结构抓住发光二极管芯片，转移工艺成本低且易于实施，并且转移效率较高。附图说明图1为本专利技术实施例提供的转移载板的结构示意图之一；图2为本专利技术实施例提供的转移载板的结构示意图之二；图3为本专利技术实施例中转移载板的俯视结构示意图之一；图4为本专利技术实施例中转移载板的俯视结构示意图之二；图5为本专利技术实施例提供的发光二极管芯片的转移方法的流程图；图6a至图6g本专利技术实施例提供的发光二极管芯片的转移方法中各步骤对应的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的转移载板的制作方法的流程图；图8a至图8d为本专利技术实施例中转移载板的制作方法中各步骤对应的结构示意图。具体实施方式针对现有技术中存在的发光二极管芯片的转移工艺成本高、效率低、大尺寸化困难的问题，本专利技术实施例提供了一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法。下面结合附图，对本专利技术实施例提供的转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。第一方面，本专利技术实施例提供了一种转移载板，如图1所示，该转移载板11，包括：基底111，具有贯穿基底111厚度的多个通孔U；基底111包括相对的第一表面T1和第二表面T2；热塑性结构112，热塑性结构112填充对应的通孔U，且热塑性结构112的一端凸出于基底111的第二表面T2，另一端覆盖对应的通孔U周围区域的第一表面T1。本专利技术实施例提供的转移载板，通过设置贯穿基底的多个通孔，以及多个热塑性结构，就能够实现对发光二极管芯片的转移，结构简单、容易实现大尺寸化，且材料成本低，在发光二极管芯片转移的过程中，加热的发光二极管芯片可以嵌入到热塑性结构中，然后冷却后可使热塑性结构抓住发光二极管芯片，转移工艺成本低且易于实施，并且转移效率较高。本专利技术实施例中的转移载板11包括多个通孔U，多个通孔U的分布可根据将要转移的发光二极管芯片的分布进行设置，并且，为了使热塑性结构112能够抓取发光二极管芯片，可将通孔U的尺寸设置为大于发光二极管芯片的尺寸。在具体实施时，可将多个热塑性结构112设置为分别与多个通孔U一一对应，或者也可以设置为通孔U的数量多于热塑性结构112的数量，此处不对通孔与热塑性结构的对应关系进行限定。在实际工艺过程中，在晶片上形成发光二极管芯片后，会将晶片上的各发光二极管芯片转移到基板上。若基板上的发光二极管芯片的数量较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移载板，其特征在于，包括：基底，具有贯穿所述基底厚度的多个通孔；所述基底包括相对的第一表面和第二表面；热塑性结构，所述热塑性结构填充对应的所述通孔，且所述热塑性结构的一端凸出于所述基底的第二表面，另一端覆盖对应的所述通孔周围区域的所述第一表面。

【技术特征摘要】
1.一种转移载板，其特征在于，包括：基底，具有贯穿所述基底厚度的多个通孔；所述基底包括相对的第一表面和第二表面；热塑性结构，所述热塑性结构填充对应的所述通孔，且所述热塑性结构的一端凸出于所述基底的第二表面，另一端覆盖对应的所述通孔周围区域的所述第一表面。2.如权利要求1所述的转移载板，其特征在于，各所述热塑性结构覆盖所述第一表面的部分相互连接为一体结构。3.如权利要求1所述的转移载板，其特征在于，所述基底具有导热性。4.如权利要求3所述的转移载板，其特征在于，所述基底的材料为金属或陶瓷。5.如权利要求3所述的转移载板，其特征在于，还包括：位于所述基底的所述第一表面与所述热塑性结构之间的多条加热导线；多条所述加热导线均匀分布于所述基底除各所述通孔以外的区域；和/或，所述转移载板，还包括：位于所述基底的所述第二表面的多条加热导线；多条所述加热导线均匀分布于所述基底除各所述通孔以外的区域。6.如权利要求1～5任一项所述的转移载板，其特征在于，所述热塑性结构的材料为蜡、橡胶或硅胶。7.一种发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，包括：提供一表面具有多个发光二极管芯片的基板，以及提供一具有多个驱动电极的驱动背板；将如权利要求1～6任一项所述的转移载板的第二表面与所述基板具有所述发光二极管芯片的一面进行对位，并将所述转移载板的多个热塑性结构与对应的所述发光二极管芯片接触；对各所述发光二极管芯片进行加热，以使所述发光二极管芯片嵌入到对应的所述热...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦轩伟，曹占锋，王珂，李海旭，梁志伟，吕志军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11